Параметров различных

Рассмотрим переходный процесс в цепи, вызванный изменением ее параметров, например изменением сопротивления в одном из участков цепи, изображенной на 4.6, а.

Логические ИМС характеризуются рядом специфических для них электрических параметров. Рассмотрим главные из них.

На 3.29, а, б, в изображены простейшие схемы активных фильтров нижних частот, полосно-пропускаю-.щего, фильтра верхних частот на основе приведенной выше схемы усилителя. По существу все три фильтра работают как регенеративные усилители, где в определенной области частот усиление соответствует порогу самовозбуждения. На других частотах (в полосе затухания) усиление резко падает. Таким образом, для активных фильтров существует проблема сохранения устойчивости работы схемы и стабильности ее параметров. Рассмотрим для примера схему полосового фильтра 3.29, б, в которой выражение для коэффициента передачи имеет вид [361:

Реальные ОУ, выполненные в виде ИМС, имеют характеристики, отличающиеся от идеальных. Для полного описания ОУ необходимо учитывать более 30 параметров. Рассмотрим основные из них. Коэффициент усиления по напряжению Ки« для современных интегральных ОУ составляет порядка 106. Коэффициент усиления падает с увеличением частоты входного сигнала. Логарифмическая АЧХ, состоящая из нескольких каскадов, представляет собой сумму АЧХ отдельных каскадов. Каждый каскад на достаточно высоких частотах вносит фазовый сдвиг, поэтому ФЧХ ОУ дает запаздывание по фазе л-90 °, где п — число каскадов ОУ. Для получения стабильных каскадов ОУ требуется коррекция их АЧХ и ФЧХ. С этой целью вводят корректирующие элементы, изменяющие скорость спада АЧХ элементарных каскадов. Основны-

Пренебрегая неидеальностью суммирования и наличием паразитных параметров, рассмотрим зависимость потерь энергии шумоподобного сигнала от отклонений величины задержки в отводах линии задержки. Можно показать [35], что относительные потери в амплитуде основного выброса (At) в зависимости от нестабильности величин задержки At для согласованного фильтра, работающего на радиочастоте /0, выражается формулой

параметров рассмотрим важнейшие физические процессы, протекающие в транзисторной структуре при смещении р-я-переходов. В нормальном режиме работы транзистора на один из его р-я-пе-реходов со стороны эмиттера подается прямое напряжение смещения, а на другой со стороны коллектора — обратное, как показано на 2.7, на котором изображена идеализированная структура транзистора типа я-р-я, не содержащая пассивных областей. При рассмотрении принципа работы транзистора и выводе основных соотношений будем предполагать, что неосновные носители заряда распространяются в активных областях транзисторной структуры только под действием градиента их концентрации.

Рассмотрим основные методы измерения статических параметров диодов и транзисторов.

Рассмотрим переходный процесс в цепи, вызванный изменением ее параметров, например изменением сопротивления в одном из участков цепи, изображенной на 4.6, а.

Одним из основных вопросов в решении проблемы точности и стабильности качества производства тонкопленочных элементов ИМС является изучение законов распределения производственных погрешностей их параметров. Рассмотрим конкретный пример исследования их в производстве тонкопленочных резисторов.

Выбирая подходящий транзистор для однотактно-го каскада усиления мощности, следует принять во внимание изменение температуры и возможный разброс' параметров. Рассмотрим расположение нагрузочных линий для постоянного и для переменного токов для двух крайних значений тока коллектора ( 6.4). При изменениях тока покоя напряжение L/C также несколько изменяется.

Для уяснения смысла перечисленных выше параметров рассмотрим рисунок 65. На нем видно, что э. д. с. индукции изменяется по закону синуса. В этом случае э. д. с., а соответственно напряжение и ток принято называть синусоидальными. Промышленное применение находят электроустановки, работающие главным образом на синусоидальном переменном токе.

Информация, полученная при входном контроле, поступает в общую систему управления качеством продукции предприятия и служит для обеспечения ритмичного выпуска высококачественной аппаратуры. Одновременно может проводиться селекция элементов по определенным значениям параметров для обеспечения заданной точности выходных параметров различных групп изделий.

прямое напряжение t/np, которое нормируется при определенном прямом токе /пр; максимально допустимый прямой ток диода/пр тах; максимально допустимое обратное напряжение диода Uo6p max; обратный ток диода /обр, который нормируется при определенном обратном напряжении ?/0gp. Сопоставление параметров различных выпрямительных диодов дано в табл. 1.1.

В табл. 13.8 приведены результаты ранжирования основных параметров различных логических элементов; при этом ранг 1 соответствует наилучшему значению параметра, а ранг 10 — наихудшему.

На основании математической модели выбирается численный метод решения задачи с учетом специфики уравнений и формул, их структуры и сложности, характеристики самого метода, его возможностей и т. д. Ответственным является этап выбора метода при решении задач оптимизации параметров различных устройств, когда требуется определять экстремум (максимум или минимум) функций, зависящих от нескольких переменных. В этом случае, как будет показано в гл. 6, соответствие метода поставленным условиям оказывается решающим фактором, определяющим успех решения задачи.

Электронные системы, применяемые в геофизике, в большинстве своем предназначены для измерения параметров различных геофизических сигналов. При этом: сигналы усиливаются, отфильтровываются друг от друга, от посторонних шумов и помех, преобразуются из непрерывной формы в дискретную и т. д. и в конце концов появляются на выходе системы. В общем виде указанный процесс может иллюстрироваться 30; на вход электронной системы поступает некоторое воздействие — обычно в форме изменяющегося во времени напряжения t/BX (t) — и через некоторое время на выходе системы появляется отклик — выходное напряжение ?/вых (t).

в) высокая степень согласования одинаковых параметров различных элементов, выполненных в одном кристалле;

в) высокая степень согласования одинаковых параметров различных элементов, выполненных на одной подложке;

В принципе существует возможность компенсации этих обоих влияний. Но скомпенсированное состояние зависит от всех резисторов, подключенных к мосту, и поэтому на него влияет температура (через /?7) и разброс параметров различных образцов датчиков (через JRS).

Далее на основе анализа (иногда & процессе анализа) (полупроводниковых интегральных микросхем определяют, а в процессе накопления статистических данных по характеристикам микросхем уточняют систему изА^еряемых параметров. При этом полупроводниковую интегральную микросхему рассматривают как многополюсник, а ее параметры' находят по основным характеристикам многополюсника/ входным, выходным, передаточным. Измеряемые параметры для каждой микросхемы оптимизируют по минимальному числу, достаточно полному для характеристики микросхемы в соответствии с техническими требованиями. Все эти параметры измеряются непосредственно в виде значений токов, напряжений и временных интервалов. Для измерений и контроля параметров составляют специальные тесты и разрабатывают контрольно-измерительную аппаратуру, которая по возможности должна быть универсальной для измерения параметров различных типов и серий микросхем.

— высокая степень согласования одинаковых параметров различных элементов, выполненных «а одной подложке;

Связь параметров различных форм уравнений (при выборе положительных направлений напряжений и токов согласно 11.1 записи основных уравнений четырехполюсника в виде уравнений 11.1 а — е) приведена в табл. 11.1.