Параметров поскольку

Схемы устройств для измерения удельного электрического сопротивления полупроводников аналогичны схемам для неразрушающего контроля качества металлов с использованием вихревых токов. Однако измерение параметров полупроводников в отличие от металлов осуществляют при более высоких частотах (вплоть до сотен мегагерц), что обусловлено значительно меньшей их удельной проводимостью. Вместе с мостовыми схемами, в которых комплексное сопротивление датчика уравновешивается по активной и реактивной составляющим, осуществляют включение катушки в цепь обратной связи схемы высокочастотного генератора. С помощью датчика задают коэффициент обратной связи электронной схемы, в результате чего генератор является элементом, реагирующим на сопротивление образца.

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ПУТЕМ ИЗМЕРЕНИЯ ЭДС ХОЛЛА И МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЯ

§ 4.1. Определение параметров полупроводников путем измерения стационарной фотопроводимости

Следует отметить, что изложенные ранее методы определения параметров полупроводников с помощью спектральных характеристик фотопроводимости получены на основе анализа фотопроводимости при выполнении условия электронейтральности как в объеме, так и на поверхности образца. Другими словами, при анализе предполагалось, что обязательно существующая вблизи поверхности образца область пространственного заряда не оказывает существенного влияния на рекомбинацию носителей заряда и фотопроводимость, а состояние поверхности можно характеризовать скоростью поверхностной рекомбинации. Введение скорости поверхностной рекомбинации предполагает наличие квазиравновесия между носителями заряда на поверхности и в объеме полупроводника. Из анализа следует, что существование приповерхностных изгибов энергетических зон, значительно превышающих среднюю тепловую энергию носителей заряда, нарушает такое равновесие уже при низких интенсивностях процессов рекомбинации на поверхности. Это приводит к качественным изменениям характеристик фотопроводимости.

§ 4.5. Измерение параметров полупроводников методом затухания фотопроводимости

Измерение времени затухания фотопроводимости, так же как и ее стационарного значения, используется для определения ре-комбинационных параметров полупроводников. Метод затухания фотопроводимости наряду с методом модуляции проводимости является одним из основных методов измерения времени жизни неравновесных носителей заряда. Метод затухания фотопроводимости позволяет измерять время жизни носителей заряда на образцах различных полупроводниковых материалов в интервале от нескольких микросекунд до единиц миллисекунд при точности 20%, а также скорость поверхностной рекомбинации и коэффициент диффузии.

§ 4.7. Определение параметров полупроводников

Для измерения параметров полупроводниковых материалов, составляющих часть структуры металл — полупроводник, металл — диэлектрик — полупроводник (МДП-структура) HJ и р-п-перехода, широкое распространение получили вольт-фараднь е методы. С их помощью проводят измерения концентрации легирующих примесей, глубоких уровней и их характеристик, генерационного времени неравновесных носителей заряда, плотности поверхностных состояний и их распределения по энергиям.

ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

Для вычисления параметров полупроводников нужно знать к>р и т. Для этого по экспериментальной зависимос-и К(ы) сначала

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ПУТЕМ ИЗМЕРЕНИЯ ЭДС ХОЛЛА И МАГНИТОСОПРОТИВ/ ЕНИЯ....... 45

Следует отметить, что наиденные общие выражения (5.8), (5.10) и (5.12) соответственно для Z-, У- и А-параметров содержат 12 параметров. Поскольку используются три схемы включения транзистора (ОБ, ОЭ, ОК), то возможно существование 36 параметров. Б каждой из этих схем включения одноименные параметры будут иметь различные значения. Чтобы отличать системы параметров по схеме включения транзистора, делают индексную приписку к данному параметру. Например, Ацб — означает входное сопротивление транзистора, включенного по схеме с ОБ. Подобные индексы приписки нами уже использовались при рассмотрении включений транзистора по схеме с ОБ и ОЭ, когда определялись коэффициенты передачи тока /гш и hz\3 (см. § 5.2).

Связь между системами параметров. Поскольку наряду с системой Л-параметров используют также систему ^-параметров, полезно знать соотношения между h- и //-параметрами. Удобней всего воспользоваться для этого матричной формой записи уравнений четырехполюсника. Если, например, токи и напряжения рассматривать как составляющие в прямоугольной системе координат

Связь между системами параметров. Поскольку наряду с системой Л-параметров используют также систему ^-параметров, полезно знать соотношения между h- и //-параметрами. Удобней всего воспользоваться для этого матричной формой записи уравнений четырехполюсника. Если, например, токи и напряжения рассматривать как составляющие в прямоугольной системе координат

3. Расчет основных параметров. Поскольку характеристические параметры выражаются через а-параметры, цепочечная матрица четырехполюсника может быть выражена через его характеристические параметры. Для этого из формулы (8.53) находим

ПОЛуЧШНЫе ВЫШе Выражений угловых характеристик дают правильные результаты, если в них подставляются насыщенные значения параметров. Поскольку эти значения в большинстве случаев неизвестны, то расчеты часто выполняются при подстановке

Анализ представленных результатов показывает, что новый критерий качества является функцией, пригодной для задачи оптимизации параметров, поскольку наблюдается четко фиксируемый минимум величины *?'к при

Следует отметить, что найденные общие выражения (5.8), (5.10) и (5.12) соответственно для Z-, Y- и А-параметров содержат 12 параметров. Поскольку используют три схемы включения транзистора (ОБ, ОЭ, ОК), то возможно существование 36 параметров. В каждой из этих схем включения одноименные параметры будут иметь разные значения. Чтобы различать системы параметров по схеме включения транзистора, делают индексную приписку к данному параметру. Например, АПб означает входное сопротивление транзистора, включенного по схеме с ОБ. Подобные индексы приписки были уже использованы при рассмотрении включений транзистора по схеме с ОБ и ОЭ, когда определяли коэффициенты передачи тока A2i6 и А21э (см. раздел 5.2).

Полученные выше выражения угловых характеристик дают правильные результаты, если в них подставляются насыщенные значения параметров. Поскольку эти значения в большинстве случаев неизвестны, то расчеты часто выполняются при подстановке

За последние годы существенно изменилась элементная база. Успехи микроэлектронной промышленности привели к тому, что набор широкой номенклатуры ИС переместился в область более высокой точности и более быстродействующих приборов. Современные АЦП и ЦАП при интегральной реализации достаточно уверенно дают 12—14-разрядную точность при времени преобразования в единицы и доли микросекунд. Точность и быстродействие многих аналоговых датчиков и исполнительных механизмов не требует больших значений указанных параметров. Поскольку выбор элементной базы предопределяет не только эксплуатационные характеристики проекта, но и в значительной мере его конструктивную реализацию, то су-

Общие положения по АРВ. Все современные синхронные генераторы, компенсаторы и мощные синхронные двигатели снабжаются УАРВ. УАРВ синхронных машин осуществляют непрерывное регулирование без зоны нечувствительности по входным величинам, что является необходимым условием для обеспечения работы генератора в области искусственной устойчивости. Основными требованиями к УАРВ являются быстродействие и обеспечение необходимого «потолка» возбуждения. По условию быстродействия астатические системы АРВ неприемлемы, вследствие чего используются исключительно статические системы регулирования. УАРВ разделяются на регуляторы пропорционального типа, изменяющие ток возбуждения пропорционально отклонению какой-либо входной величины, и регуляторы сильного действия (РСД), регулирующее воздействие которых определяется не только отклонениями режимных параметров, но и первой и второй производными этих параметров. Поскольку УАРВ выполняет функции АРН, то основной входной величиной этих устройств является отклонение от заданного значения напряжения на выводах генератора (на выходе укрупненного блока или на шинах электростанции при ГУВ). Дополнительно для улучшения качества регулирования, увеличения быстродействия системы АРВ, а также повышения статической и динамической устойчивости параллельной работы ЭЭС вводятся сигналы по возмущающим воздействиям (ток статора, coscp, взаимный угол, частота), а в необходимых случаях по первой и второй производным напряжения и других входных величин. Выбор типа УАРВ в основном определяется системой возбуждения гене-