Параметров полученных

4) высокой химической инертностью к осажденным материалам для снижения временной нестабильности параметров пленочных элементов, обусловленной физико-химическими процессами на границе раздела пленка — подложка;

Воспроизводимость параметров пленочных элементов в значительной степени зависит от свойств подложки. Размер зерна керамики, колебания толщин подложек влияют на разброс сопротивлений пленочных резисторов. Шероховатость поверхности, число и состав присадок керамической шихты определяют адгезию пленок к подложке. Коэффициенты термического линейного расширения материалов подложки и стекол, входящих в состав паст, должны иметь близкие значения во избежание разрушения пленочных элементов и снижения дрейфа их параметров.

3) независимостью погрешностей параметров пленочных элементов, изготовленных на разных технологических операциях.

Кроме того, при анализе отклонения выходного параметра ИМС можно осуществить переход от погрешностей комплексов1 пленочных элементов к погрешностям геометрических и физических параметров элементов, являющихся следствием взаимно независимых технологических операций (ширина и длина резисторов, удельное поверхностное сопротивление резистивной пленки и т. д.). При этом выражение (4.12) значительно упрощается, так как абсолютные отклонения геометрических и физических параметров элементов будут одинаковыми в пределах каждого комплекса. Следовательно, за а„, можно принять среднеквадрати-ческое отклонение выходного параметра ИМС от погрешности каждого из взаимно независимых комплексов геометрических и физических параметров пленочных элементов. Необходимо отметить, что в производственных условиях изготовления ИМС фак-

1) по электрической схеме—значения сопротивлений наиболее критичных коммутационных связей и тип питания; допустимые падения напряжений в определенных проводниках; значения реактивных параметров пленочных проводников и проволочных выводов; значения паразитных параметров между отдельными элементами; величина наведенных сигналов; допустимое значение емкости шин питания; общая мощность, рассеиваемая схемой; наличие контрольных точек;

Пленочные резисторы в структурном отношении представляют собой узкую полоску резистивной пленки, снабженную пленочными контактными площадками с низким сопротивлением. Они характеризуются такими основными параметрами, как номинальное значение сопротивления R, допуск на сопротивление ±6/?, мощность рассеяния Р, температурный коэффициент сопротивления ТКЯ, коэффициент старения /ССтя, интервал рабочих температур ДТ = Т — Т„, надежность и др. Требуемые значения параметров пленочных резисторов определяются схемотехническим решением и условиями эксплуатации ИМС. Кроме того, параметры пленочных резисторов зависят от материала резистивной пленки, способа нанесения пленки на подложку, способа получения необходимой конфигурации и других технологических факторов.

В гибридных ИМС одного конструктивно-технологического исполнения с целью обеспечения технологичности для пленочных проводников и контактных площадок, как правило, применяют одни и те же материалы, которые удовлетворяют общим требованиям благодаря низкому сопротивлению и высокой адгезии к подложке. Для обеспечения адгезии зачастую их выполняют многослойными (см. табл. 4.4). Конкретные значения параметров пленочных проводников и контактных площадок — сопротивления, индуктивности, паразитной емкости и др. — определяются материалом и геометрическими размерами. Поэтому при проектировании гибридных ИМС необходимо осуществлять расчет пленочных проводников и контактных площадок с учетом требований, предъявляемых к характеристикам ИМС. Эти требования проявляются в ограничении значений следующих параметров: падения напряжения на проводнике, сопротивления проводника и контактного перехода, плотности тока через проводник, собственной емкости и индуктивности проводника, уровня помех и др.

Требования к геометрической точности и шероховатости поверхности указаны на 10.1, а. Высокие требования к шероховатости поверхности обусловлены: необходимостью обеспечить однородность и воспроизводимость электрических параметров пленочных схемных элементов микросхемы, чувствительных даже к единичному незначительному дефекту на поверхности; необходимостью создать возможность последующего использования процессов вакуумного осаждения и фототравления для формирования схемных элементов.

Важным фактором воспроизводимости параметров пленочных элементов и улучшения их электрических свойств является чистота пленки. Загрязнения напыленной пленки происходят вследствие некачественной очистки поверхности подложки (в частности и от адсорбированных газов), недостаточно высокого вакуума (имеет значение и состав остаточного газа) и низкого давления насыщенного пара материала испарителя при температуре испарения. Повышение температуры подложки и скорости испарения способствует десорбции газа из пленки и улучшает ее состав.

2) нормальным законом распределения погрешностей параметров пленочных элементов при стабильном технологическом процессе и отсутствии отбраковки между отдельными операциями (разброс параметров элементов зависит только от площади подложки);

3) независимостью погрешностей параметров пленочных элементов, изготовленных на разных технологических операциях.

Время занятия t состоит из интервалов передачи от терминала к процессору ta и от процессора к терминалу ?п. Внутри каждого интервала имеются периоды активности и пассивности. Задача исследования заключается в получении законов распределения случайных величин, описывающих внутреннюю структуру потока пакетов на интервале занятия, и нахождении параметров полученных распределений. Соотношения между отдельными составляющими времени занятия канала иллюстрируются на 3.1. Анализ полученных данных позволяет сделать важные выводы. Во-первых, как терминалы, так и процессоры весьма слабо используют канал на интервале сеанса: суммарный интервал пассивности составляет больше половины времени занятия. Во-вторых, терминалы в исследуемых сетях существенно более пассивны, чем процессоры. В-третьих, интервалы активности используются почти полностью для передачи информации от процессора к терминалу. Пользователь активен только 5—15% времени сеанса связи, тогда как процессор 30—40% этого интервала. Эти результаты могут служить основанием для определения структуры сетей передачи данных. Одним из главных, с точки зрения проектировщика, является следующее: поскольку терминалы используют каналы связи весьма неэффективно, применение систем передачи и концентрации на участке «абоненты — процессор» становится необходимым техническим решением.

Создание информационного массива для передачи параметров, полученных в результате решения системы дифференциальных уравнений, в подпрограмму расчета энергетических показателей.

Создание информационного массива для передачи параметров, полученных в результате решения системы дифференциальных уравнений, в подпрограмму расчета энергетических показателей.

Откройте файл с6_08 ( 6.12). Рассчитайте реактивную мощность каждой фазы при значениях параметров, полученных в эксперименте 10. Установите в схеме вычисленные в эксперименте 10 значения параметров нагрузки. Включите схему и по показаниям ваттметров в схеме Арона вычислите активную и реактивную мощности системы источников.

Приборы второй группы имеют, как правило, один измерительный механизм, но могут, так же как и приборы третьей группы, вести регистрацию с помощью специального коммутирующего устройства одновременно нескольких значений параметров, полученных от различных объектов измерения.

Анализ доверительных оценок параметров рассматриваемых законов распределения (нормального и экспоненциального) показал, что ошибка, которая может возникнуть вследствие применения точечных оценок параметров, полученных по данным малых выборок, не превышает погрешности, допустимой при расчетах систем электроснабжения.

Расчетные зависимости, удовлетворительно описывающие теплообмен в химически неравновесном потоке че-тырехокиси азота при докритических давлениях, не позволяют удовлетворительно обобщить все данные по теплообмену в неравновесном потоке при сверхкритических параметрах, несмотря на малое отклонение состава от химического равновесия. Методика [3.26] удовлетворительно согласуется с опытными данными в сверхкритической области при значении параметра /Са = =coc^Qp2/?c>105. С увеличением неравновесности потока (/С2<105) опытные данные по теплообмену превышают расчетные. Поэтому для расчета теплообмена в рассматриваемой области температур и давлений составлено [3.30, 3.44] эмпирическое уравнение на основе безразмерных параметров, полученных в результате анализа дифференциальных уравнений сохранения массы k-ro компонента и энергии с помощью метода .подобия.

Динамические характеристики - это связи параметров, полученных при условии, что они зависят от времени. В этом случае отражается влияние первых, а возможно, и более высоких производных рассматриваемых параметров.

Можно рекомендовать при синусоидальном приложенном напряжении следующий метод последовательных приближений. Задаемся некоторыми вероятными значениями комплексных сопротивлений Zs = zs eJ% нелинейных элементов и, считая их постоянными, производим расчет цепей. Определив действующие токи в нелинейных элементах, проверяем соответствие заданных параметров элементов значениям этих параметров, полученных из действительных характеристик нелинейных элементов при найденных значениях токов. При несовпадении значений параметров вносим поправки в них и производим повторный расчет. Этот расчет следует выполнять до тех пор, пока принятые для расчета значения параметров не будут достаточно близки к их значениям, полученным из характеристик.

Являющееся практическим критерием реальной строгости технического исследования сопо став л ение расчета и опыта для любой сложной, искусственной или естественной (т.е. созданной человеком или природой) системы должно производиться с учетом возможных случайных вариаций в параметрах, тем более заметных, чем ближе к какому-либо экстремальному состоянию, например к пределу устойчивости, находится система. Такое сопоставление должно проводиться по специально разработанной методике, учитывающей или вариацию параметров, полученных в опытах с реальной системой, или вариацию параметров, полученных при расчетах, причем результаты расчетов и опытов должны представляться и сопоставляться в критериальной форме, записанной в соответствии с теорией подобия *.

полученных при совместной оптимизации, меньше или равны дисперсиям оценок параметров, полученных при раздельной оптимизации функций правдоподобия.