Параметров параметры

Кроме системы /г-параметров, транзистор характеризуется эксплуатационными параметрами, предельные значения которых указывают на возможности практического применения прибора. К числу таких параметров относятся следующие.

К числу информативных параметров относятся так называемые «унифицированные» параметры: постоянное налряжение, амплитудное значение переменного напряжения, постоянный ток, частота (период). Кроме того, информативными могут быть и некоторые другие параметры, используемые в качестве промежуточных в процессе преобразования информации из одноя формы в другую, например интервал времени, начало и коней которого отмечаются тем или иным образом.

На основании представленных соотношений можно определить основные динамические параметры микросхемы ЭСЛ, характеризующие ее быстродействие. К числу этих параметров относятся:

Параметры предельно допускаемого режима. К этой группе параметров относятся прежде всего электрические параметры прибора — предельв:о допускаемые значения, выход за пределы которых не разрешается стандартом или техническими- условиями. В паспорте лампы, как правило, указываются наименьшее и наибольшее значения напряжения накала. Перекал катода, как уже было сказано выше, недопустим, так как при этом уменьшается долговечность лампы. При недокале оксидного катода также возможен его перегрев вследствие увеличения объемного сопротивления оксидного слоя при понижении температуры. Особенно опасен режим недокала в лампах с большим анодным током. Участки катода с повышенным сопротивлением разогреваются текущим по катоду током, и на них образуются очаги перегрева.

Статические параметры режима отсечки в значительной мере определяют температурную нестабильность работы транзистора и обязательно используются во всех расчетах схем на транзисторах. К числу этих параметров относятся следующие токи, уже обсуждавшиеся в предыдущих параграфах.

К числу климатических параметров относятся относительная влажность окружающей среды при температуре 40 °С и минимальное и максимальное атмосферное давление. В особых случаях оговаривается устойчивость приборов против морского тумана, циклических изменений температуры, радиоактивного облучения, космических лучей и пр.

Кроме старческих и динамических параметров, характеризующих электрический режим работы логической ИМС, используются и эксплуатационные параметры. Они характеризуют работоспособность интегральных микросхем в условиях воздействия окружающей среды. _Д числу эксплуатационных параметров относятся: диапазон рабочих температур, допустимые механические нагрузки (вибрации, удары, линейные ускорения), границы допустимого изменения атмосферного давления, влажности и т. п.

Транзистор, как и любой другой электронный прибор, характеризуется рядом эксплуатационных параметров, предельные значения которых - указывают на возможности практического применения того или иного транзистора. К числу таких параметров относятся: Максимально допустимая мощнсаПь Рк.шах, рассеиваемая коллектором, — это превращающаяся в тепло мощность тока коллектора, бесполезно расходуемая на нагревание транзистора. В общем случае мощность, рассеиваемая транзистором, складывается из мощностей, рассеиваемых каждым р-п переходом:

Параметры предельно допускаемого режима. К этой группе параметров относятся прежде всего электрические параметры прибора — предельв:о допускаемые значения, выход за пределы которых не разрешается стандартом или техническими- условиями. В паспорте лампы, как правило, указываются наименьшее и наибольшее значения напряжения накала. Перекал катода, как уже было сказано выше, недопустим, так как при этом уменьшается долговечность лампы. При недокале оксидного катода также возможен его перегрев вследствие увеличения объемного сопротивления оксидного слоя при понижении температуры. Особенно опасен режим недокала в лампах с большим анодным током. Участки катода с повышенным сопротивлением разогреваются текущим по катоду током, и на них образуются очаги перегрева.

Статические параметры режима отсечки в значительной мере определяют температурную нестабильность работы транзистора и обязательно используются во всех расчетах схем на транзисторах. К числу этих параметров относятся следующие токи, уже обсуждавшиеся в предыдущих параграфах.

К числу климатических параметров относятся относительная влажность окружающей среды при температуре 40 °С и минимальное и максимальное атмосферное давление. В особых случаях оговаривается устойчивость приборов против морского тумана, циклических изменений температуры, радиоактивного облучения, космических лучей и пр.

Каждый объект технико-экономического анализа характеризуется множеством исследуемых параметров, которые целесообразно разделить на следующие категории: технические, экономические и технико-экономические. Примерами технических параметров являются напряжение, мощность, скорость, вес. Они характеризует физические свойс1ва объекта. К числу экономических параметров относятся приведенные затраты, капиталовложения, издержки эксплуатации. Они выражают стоимостные характеристики объектов. Технико-экономические параметры представляют собой промежуточное связующее звено между техническими и экономическими гарметрами. Примерами их являются стоимость 1 кет • ч выработанной электроэнергии, удельная стоимость строительства электростанции.

Практическое применение находят три системы малосигнальных параметров: параметры сопротивления, или z-параметры; параметры провод имостей, или «/-параметры; смешанные, или гибридные, h-na-раметры (от слова «hibrid» — «смешанный»).

Пример. Рассмотрим определение Н-параметров каскада усилителя на транзисторе со схемой, показанной па 9.11, а. Каскад усилителя образуется в результате параллельного соединения транзистора и П-образного пассивного четырехполюсника ( 9.1 1, б). Поэтому следует оперировать матрицами Y соединяемых четырехполюсников. Ранее для П-образной схемы была найдена матрица А. От нее с помощью та(5л. 9.1 можно перейти к матрице Y П-образного четырехполюсника. Для транзистора, включенною по схеме с общим эмиттером, Y-параметры возьмем из справочника. Просуммировав найденные таким образом матрицы Y П-образного четырехполюсника и транзистора, получим матрицу Y усилительного каскада. Далее по табл. 9.1 перейдем к искомой матрице Н усилительного каскада.

Графическое изображение импульса дает общее представление о характере изменения сигнала, но неудобно при расчетах. Для расчетов импульсных устройств импульс стараются описать конечным и по возможности небольшим числом параметров. Параметры импульсов делят на основные, производные и дополнительные.

На 5.2,а—в приведены схемы замещения линейного чета ., рехполюсника, соответствующие указанным системам параметров. Параметры схем замещения четырехполюсников определяются в режиме короткого замыкания JK3) и холостого хода (XX) со стороны входа и выхода четырехполюсника по формулам

Система параметров диодов включает большое число параметров. Параметры диодов подразделяются на предельные параметры, определяющие предельно допустимые значения — максимально и (или) минимально допустимые значения— и характеризующие (рабочие) параметры.

Графическое изображение импульса дает общее представление о характере изменения сигнала, но неудобно при расчетах. Для расчетов импульсных устройств импульс стараются описать конечным и по возможности небольшим числом параметров. Параметры импульсов делят на основные, производные и дополнительные.

Как (/-параметры, так и А-параметры могут быть выражены через z-napa-метры и обратно. Также нетрудно установить связь между сопротивлениями Т-образной эквивалентной схемы 4.26 и у- или А-параметрами подобно тому, как это было сделано для z-параметров; (/-параметры более удобны для анализа свойств транзисторов на высоких частотах, для чего нередко и используются. Преимуществом Л-параметров является простота их экспериментального определения, почему они обычно и приводятся в справочных данных.

Параметры системы электроснабжения. К основным параметрам системы электроснабжения относятся: число подстанций, расстояние между ними, их мощность (числом мощность агрегатов) и сечение проводов контактной сети. Вопросы выбора этих параметров чрезвычайно сложны. Конечно, исключительное значение при выборе параметров имеет их экономическая оценка. Вместе с тем многие факторы, влияющие на выбираемый параметр, не /поддаются экономической оценке и учитываются при выборе варианта как некоторые показатели качества, определяющие надежность работы. Главную трудность расчета создают резкие случайные изменения нагрузок систем, электроснабжения, исключающие возможность использования методов расчета, применяемых в системах со стационарными нагрузками. Это особенно сильно проявляется при выборе трансформаторов тяговых подстанций. Хотя трансформатор и выпрямитель или инвертор составляют один агрегат и имеют одинаковую нагрузку, реакция их на эту нагрузку различна, что обусловлено в первую очередь различием их постоянных времени т нагревания. У выпрямителя и инвертора величина т незначительна и установившаяся температура достигается в течение нескольких минут. Их требуемая мощность определяется максимальными нагрузками, достигаемыми за это короткое время. Расчет в этом случае существенно изменяется. Иначе выражается влияние нагрузки на трансформатор. Здесь главное — это потеря под действием нагревания изоляцией трансформатора своих свойств (так называемое старение): изоляция становится хрупкой и. при толчках нагрузки может разрушиться. Процесс старения длителен, он исчисляется обычно годами. Не учитывая его, невозможно ни правильно выбрать необходимую мощность, ни учесть в дальнейшем использованную (отжитую), часть срока службы. Представляется, что развитие методов.выбора мощности трансформаторов пойдет по пути учета их старения в условиях непрерывно увеличивающихся размеров перевозок на данной линии. Видимо, и для повышения экономической эффективности эксплуатации системы электроснабжения, и для более точного выбора сроков и средств ее усиления необходимо учитывать старение трансформаторов в процессе эксплуатации.

Как (/-параметры, так и '(-параметры могут быть выражены через г-пара-метры и обратно. Также нетрудно установить связь между сопротивлениями Т-образной эквивалентной схемы 4.26 и у- или Л-параметрами подобно тому, как это было сделано для г-параметров; (/-параметры более удобны для анализа свойств транзисторов н,а высоких частотах, для чего нередко я используются.

Пример. Рассмотрим определение Н-параметров каскада усилителя на транзисторе со схемой, показанной на 9.11, а. Каскад усилителя образуется в результате параллельного соединения транзистора и П-образного пассивного четырехполюсника ( 9.11, б). Поэтому следует оперировать матрицами Y соединяемых четырехполюсников. Ранее для П-образной схемы была найдена матрица А. От нее с помощью табл. 9.1 можно перейти к матрице Y П-образного четырехполюсника. Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, Y-параметры возьмем из справочника. Просуммировав найденные таким образом матрицы Y П-образного четырехполюсника и транзистора, получим матрицу Y усилительного каскада. Далее по табл. 9.1 перейдем к искомой матрице Н усилительного каскада.

люсника ( 7.1,а), а для замещения полевых транзисторов— схемы с у- или g-параметрами ( 7.2,а) [45, 46, 47]. В рассмотренных ниже задачах анализ усилителей ограничен средними частотами, что позволяет пренебречь зависимостью параметров от частоты. В этом случае параметры у и g схем замещения полевого транзистора совпадают (поскольку g обычно используется для обозначения действительной части параметра у) [49]. При обычных порядках значений отдельных параметров получается хорошая аппроксимация, если упрощенная эквивалентная схема на 7.1,6 используется для анализа схем на биполярных транзисторах с общей базой и общим эмиттером, а схема на 7.2,6 — для схем с полевыми транзисторами.