Параметров отдельных

Необходимо обратить внимание на то, что нахождение любого из электрических параметров осуществляется простыми операциями умножения, независимо от сложности исходных электротехнических выражений. В этом и заключается основное преимущество рассматриваемого метода.

Электрические цепи, в которых хотя бы один из параметров изменяется по какому-либо заданному закону, называются параметрическими. Предполагается, что изменение (модуляция) параметра или параметров осуществляется электронным способом при помощи управляющего колебания. 364

Здесь F—частота, Гц. Передача других параметров осуществляется через общую область

Передача других параметров осуществляется через общую область оператором COMMON (см. П1.3).

Передача других параметров осуществляется через общую область оператором COMMON (см. П1.3).

Измерение температур производится с помощью малоинерционных микротермопар, измерение давления — датчиками типа ЭДД, показания которых контролируются образцовыми манометрами. Запись всех параметров осуществляется на ленты электронных самописцев типа ЭПП-09. Особое внимание при оборудовании установки было уделено вопросу определения массового расхода истекающей среды. Как показал анализ ранее выполненных экспериментальных работ, оценка момента наступления кризиса, проведенная по фиксированным точкам замера расхода, прив'одит к большим погрешностям и нередко к противоречивым выводам. Учитывая это, в экспериментальную установку введено расходомерное устройство, позволяющее вести непрерывную запись во времени значения секундного расхода истекающей среды.

Теория, описанная в предыдущем разделе, может быть использована не только для объяснения характерных особенностей солнечных элементов на основе a-Si, но и для оценки произведений подвижности на время жизни (^птп, МрТр) и параметров эффективной поверхностной рекомбинации (Sn, 5p) в реальных элементах. Вычисление этих физических параметров осуществляется на основе анализа спектров эффективности собирания носителей Tj(a, Va), как функции приложенного напряжения смещения Va. На практике лучше обрабатывать нормализованные спектры эффективности собирания 7j(a, Ka)/7j(a, 0), поскольку такая нормализация компенсирует спектральные зависимости оптической системы. Детальный анализ спектров т? (а, ^а)/т?(а, 0) показал, что со стороны низкого поглощения они главным образом определяются величинами M«rn + + грТр и Sn X Sp, а в области более высокого поглощения — отношением ИпТп/ИрТр и параметром эффективной поверхностной рекомбинации на лицевой стороне [11, 13]. Если получены экспериментальные зависимости *?(<*, Ka)/7?(a, 0) по крайней мере для двух приложенных напряжений в областях низкого и высокого поглощения, то могут быть подсчитаны значения ^птп, ^рТр, $п и 5р. Пример такой процедуры показан на 5.1.10 [12]. Для приведенных диаграмм свет падает нар-слой и предполагается, что диффузионный потенциал Vb составляет 0,9 В, а приложенное напряжение смещения Va для измерения нормализованной эффективности собирания носителей равны — 1,0 и 0,4 В. Подобные графики для случая падения света на n-слой можно легко получить только перестановкой индексов п и р на 5.1.10, б. Прежде всего, как можно видеть из 5.1.10, а, экспериментально полученные величины г)(а, Ka)/7j(a,0) в области более слабого поглощения (где a = 1,0 • 104 см'1) используют да определения ИпТп + ИрТр и Sn X5p. Затем, как указывается на< 5.1.10, а рассчитываются значения цптп + МрТр и Sn путем сравнения экспериментальных данных TJ(a, Ka)/7j(a, 0) в области более высокого

Теория, описанная в предыдущем разделе, может быть использована не только для объяснения характерных особенностей солнечных элементов на основе a-Si, но и для оценки произведений подвижности на время жизни (^птп, МрТр) и параметров эффективной поверхностной рекомбинации (?„, 5Р) в реальных элементах. Вычисление этих физических параметров осуществляется на основе анализа спектров эффективности собирания носителей Tj(a, Va), как функции приложенного напряжения смещения Va. На практике лучше обрабатывать нормализованные спектры эффективности собирания 7j(a, Ka)/7j(a, 0), поскольку такая нормализация компенсирует спектральные зависимости оптической системы. Детальный анализ спектров TJ (a, Ka)/7j(a, 0) показал, что со стороны низкого поглощения они главным образом определяются величинами цптп + + r-рТр и Sn X Sp, а в области более высокого поглощения — отношением '^nTnl^pTp и параметром эффективной поверхностной рекомбинации на лицевой стороне [11, 13]. Если получены экспериментальные зависимости *?(<*, Ka)/7?(a, 0) по крайней мере для двух приложенных напряжений в областях низкого и высокого поглощения, то могут быть подсчитаны значения ^птп, ^рТр, $п и 5р. Пример такой процедуры показан на 5.1.10 [12]. Для приведенных диаграмм свет падает нар-слой и предполагается, что диффузионный потенциал V^ составляет 0,9 В, а приложенное напряжение смещения Va для измерения нормализованной эффективности собирания носителей равны — 1,0 и 0,4 В. Подобные графики для случая падения света на n-слой можно легко получить только перестановкой индексов п и р на 5.1.10, б. Прежде всего, как можно видеть из 5.1.10, а, экспериментально полученные величины т?(а, Кд)/77(а,0) в области более слабого поглощения (где a = 1,0 • 104 см'1) используют да определения ИпТп + ИрТр и $п Х5р. Затем, как указывается на- 5.1.10, а рассчитываются значения цптп + МрТр и Sn путем сравнения экспериментальных данных TJ(a, Va)lr)(a, 0) в области более высокого

Важным свойством силового ключа является его управляемость. Основным прибором, занимавшим монопольное положение в регулируемых электроприводах средней и большой мощности, длительное время был тиристор. Последний обладает неполной управляемостью, что существенно ограничивает развитие устройств силовой электроники по многим технико-экономическим показателям. Этот недостаток проявляется в необходимости принудительной коммутации тиристора при его выключении. При этом возникают значительные трудности практической реализации схем выпрямительно-инверторных преобразователей, позволяющих функционировать во всех четырех квадрантах комплексной плоскости на стороне переменного тока. При использовании полностью управляемых ключей эти задачи успешно решаются. При этом, как правило, в таких преобразователях регулирование параметров" осуществляется по способу широтно-импульсной модуляции (ШИМ), позволяющему значительно увеличить КПД и коэффициент мощности

Измеритель параметров изоляции Вектор - 2.0 М представляет собой мост переменного тока, осуществляющий синхронное измерение электрических сигналов. Измеритель параметров изоляции предназначен для использования при контроле изоляционных характеристик электрооборудования под рабочим напряжением. Прибор непосредственно измеряет с высокой точностью два падения напряжений на двух низкоомных сопротивлениях, а также угол сдвига между электрическими сигналами по образцовому и измеряемому каналам. Определение всех остальных параметров осуществляется расчетным путем при помощи микропроцессора, встроенного в корпус прибора. Прибор позволяет измерять параметры изоляции - емкость и тангенс диэлектрических потерь, напряжение на объекте, частоту, сдвиг фаз, мощность и коэффициент мощности, импеданс и векторы.

Измерение основных параметров осуществляется отдельными схемами при использовании соответствующей коммутации, 394

В большой степени, как указывалось выше, точность работы электроизмерительных приборов зависит от физических параметров отдельных деталей и сборочных единиц, например магнитного потока постоянного магнита, жесткости спиральной пружины, создающей противодействующий момент, электрического сопротивления рамки и т. д. Обеспечение требуемой функциональной точности работы прибора по физическим параметрам, т. е. точности преобразования измеряемой величины в перемещение указывающего устройства (стрелки), методами селективной сборки, сборки с подгонкой и регулировкой производят так же, как при обеспечении точности взаимного расположения деталей и узлов, но с учетом коэффициента пропорциональности для каждого физического параметра сборочной единицы или детали, входящего в уравнение шкалы прибора [12].

При проверке приборов определяется соответствие параметров отдельных блоков или изделия в целом заданным техническим условиям.

АСК могут применяться для контроля качества электрического монтажа прибора, для контроля, параметров отдельных элементов и прибора в целом, для контроля общей работоспособности прибора, для поиска и обнаружения неисправностей и т д.

Когда распределение параметров элементов имеет вид, представленный на 12.1,6, желательно пользоваться методом моментов. К этому же методу следует прибегать в тех случаях, когда между отклонениями параметров отдельных элементов существуют сильные корреляционные связи (что, например, имеет место в интегральных микросхемах).

Содержание ИТ подбирается таким образом, чтобы, с одной стороны, с ее помощью можно было проверить и настроить максимально возможное число звеньев тракта передачи, с другой стороны, чтобы формирование ИТ не было слишком затруднительным (это особенно важно для ЭИТ). Методика использования ИТ и ЭИТ для контроля параметров отдельных звеньев тракта передачи описана в работах [8, 25] .

Следует отметить, что целью производственного контроля является не только своевременная отбраковка дефектных изделий на различных этапах изготовления, но и обеспечение требуемого уровня качества ИМС, что достигается за счет контроля технологических операций и процессов. Такой контроль может быть осуществлен как путем измерения параметров структуры, сформированной в результате проведения технологической операции или процесса, так и путем контроля технологических режимов и параметров, характеризующих данную операцию. Производственный контроль охватывает комплекс различных физических, химических и электрических методов измерений, предназначенных для контроля параметров материалов, полуфабрикатов, структурных элементов и готовых ИМС, а также для контроля технологических режимов и параметров отдельных операций.

С ростом степени интеграции ИМС усложняется процедура производственного контроля их качества, а визуальные и электрические методы контроля параметров отдельных слоев после выполнения соответствующих операций становятся малоэффективными из-за их ограниченности. Ограниченность рассмотренных в § 2.2, 2.3 методов и видов контроля при изготовлении БИС и МСБ состоит в том, что сведения, полученные в результате единичных измерений, распространяются на всю партию, т. е. статистически не обоснованы. Кроме того, в ходе межоперационного контроля, проводимого до металлизации, а при изготовлении гибридных БИС и МСБ — до сборки нельзя получить информацию о параметрах готовых элементов БИС и МСБ и об отдельных дефектах, а также о характере распределения параметров на пластинах (подложках) и в партии. На основе данных существующего производственного контроля качества невозможно практически установить степень взаимного влияния контролируемых параметров и влияния каждого из них на выход годных БИС. Следовательно, визуальные и электрические методы контроля параметров отдельных слоев при изготовлении БИС недостаточно полно характеризуют технологический процесс в целом и тем самым — качество БИС. Поэтому в отечественной и зарубежной практике в последнее время для контроля качества ИМС, в первую очередь БИС и МСБ, как в процессе разработки (см. § 2.1), так и при изготовлении применяют тестовый контроль.

Для удобства сопоставления параметров отдельных машин и упрощения расчета характеристик параметры асинхронных машин выражают в относительных единицах, принимая за базисные значения номинальное фазное напряжение и номинальный фазный ток статора.

а) по осциллограммам uc(t) опыта п. 6 определить постоянные времени исследуемых /?С-цепей при разрядке и зарядке конденсатора и сравнить их с соответствующими значениями, рассчитанными по числовым значениям параметров отдельных элементов цепи;

имеет место при оптимальной полосе пропускания Рэ.от, которая обеспечивается соответствующим выбором параметров отдельных элементов системы (коэффициентов усиления, постоянных времени и т. д.).

В настоящее время наблюдается тенденция выпуска не отдельных радиоэлементов, а небольших функционально законченных блоков-модулей. Модульные конструкции облегчают согласование конструктивных и электрических параметров отдельных блоков. Они улучшают рабочие характеристики радиотехнических систем.