Параметров некоторых

5. Определение алгоритмов и параметров настройки средств управления системой в аварийных условиях

6. Уточнение параметров настройки средств управления системой в аварийных условиях

4. Корректировка параметров настройки средств управления системой в аварийных условиях с учетом изменения режима работы системы

6. Определение алгоритмов и параметров настройки средств управления в аварийных условиях

туры и выбор ГСС, задача 3 и параметров настройки ГСС, задача 3

Блок Discrete-Time Integrator выполняет численное интегрирование входного сигнала. Большинство параметров настройки этого блока совпадают с параметрами блока Integrator раздела Continuous. Отличия состоят в следующем: в блоке дискретного интегратора есть дополнительный параметр — метод численного интегрирования (Integrator method). С помощью списка можно выбрать один из трёх методов:

Product — вычислитель, формирующий на выходе результат умножения или деления двух и более входных сигналов В качестве параметров настройки указывается число входов и вид выполняемой операции ( 1.12);

ENTITY <имя проекта> IS [<объявление параметров настройки>]

Объявление параметров настройки включается в entity для создания проектов, которые предполагается использовать как фрагменты в разнообразных других проектах, причем возможна модификация некоторых свойств встраиваемого фрагмента, точнее выбор параметра из множества значений, определенного типом параметра.

В заключение рассмотрения схем комбинационной логики в листинге 3.22 приведены программные модули, описывающие некоторые базовые узлы цифровых устройств: дешифратор (entity decode), мультиплексор (entity mux), схема выделения признака четности (entity parity). Декларация библиотек и пакетов здесь опущена. Значения параметров настройки, определенных в декларации generic (я — разрядность входного или выходного кода и delay — время задержки), могут задаваться в модулях высшего уровня иерархии, в которые эти узлы включаются. При автономном использовании проектных модулей decode, mux и parity принимается п = 16 и

<метка вхождения> : ([ COMPONENT ] <имя компонента> GENERIC MAP (<Список соответствий параметров настройки>) PORT MAP (<список соответствий порта>); <список соответствий> ::=

К расчету организационно-производственных параметров некоторых типов ОНПЛ, МНПЛ

Быстродействие оптрона оценивают при подаче на его вход прямоугольного импульса по времени задержки *3д от момента подачи импульса до момента достижения выходным током значения 0,1/выхтах, а также по времени нарастания tnap выходного тока от 0,1 до 0,9 его максимального значения. Суммарное время задержки и нарастания называют временем включения ^вкл. Быстродействие фотоприемника характеризуется его частотными свойствами, т. е. такой частотой синусоидально модулированного светового потока, при которой чувствительность ^фрто-приемника вследствие инерционности уменьшается в У 2 раз. Значения основных параметров некоторых типов оптронов приведены в табл. 9.1.

В табл. 2.2 приведены значения параметров некоторых диэлектриков, в табл. 2.1 — условные графические изображения конденсаторов.

Для определения диапазона изменения значений тока базы транзистора V9 на грани режима насыщения /б.нэ произведем выбор параметров некоторых элементов схемы сравнения.

Ориентировочные значения критических параметров некоторых сверхпроводников

Типовые значения параметров некоторых отечественных БИС ОЗУ, ПЗУ, ППЗУ и РПЗУ приведены в табл. 6.4. Следует отметить, что БИС ПЗУ и ППЗУ на биполярных структурах обладают высоким быстродействием (/в.а=15-г-150 не), имеет удельную потребляемую мощность Р0=0,01 -=-0,8 мВт/бит и информационную емкость 1024—65536 бит.

Из работ по определению вольт-амперных характеристик стабилизованной дуги и параметров некоторых видов плазмотронов в первую очередь следует указать на работы Института прикладной и теоретической механики СО АН СССР [Л 48].

Для кремния, покрытого оксидом SiC^, помимо заряда ловушек существует постоянный поверхностный заряд ионов в оксид. В пленке SiO2 вблизи границы раздела с кремнием возникает тонкий переходный слой, содержащий большое число дефектов типа кислородных вакансий (недостаток одного атома кислорода в молекуле SiCb), в котором образуется положительный заряд ионов Si+. Кроме того, в оксиде присутствуют, как правило, ионы щелочных металлов (особенно натрия), представляющие собой загрязнения структуры. Они могут очень медленно перемещаться под действием электрического поля, причем скорость движения увеличивается с ростом напряженности поля и температуры. С этим связана временная нестабильность параметров некоторых приборов. Полный заряд ионов в оксиде количественно оценивается удельным зарядом (на единицу пло-

Для иллюстрации значения параметров некоторых триодов при фиксированных (наиболее распространенных в практике) значениях потенциалов анода и сетки, вблизи которых производится измерение, приводятся в табл. 5.2, где ил и ис0 — потенциалы анода и сетки, при которых определены значения S, ц и r:; ia0 — ток в цепи анода при указанных значениях «а и «С0; Рат — максимально допустимая мощность, рассеиваемая на аноде лампы (см. § 5.6).

Как следует из изложенного выше, лучевые тетроды, и особенно пентоды (благодаря наличию третьей сетки с постоянным потенциалом), имеют коэффициент усиления значительно больший, а емкость Сос значительно меньшую, чем у триодов. Примеры параметров некоторых лучевых тетродов и пентодов даны в табл. 5.5. В таблице приведены входные (Свх) и выходные (Свых) междуэлектродные емкости ламп. Отличие их от ранее указанных емкостей Сск И С8К (см,, например, табл. 5.4) заключается в том, что в многоэлектродных лампах обычно экранирующая и антидинатронная сетки имеют постоянные потенциалы и для переменных составляющих практически соединены с катодом. Вследствие этого в эквивалентную схему лампы, изображенную на 5.10, а, входит емкость

Таблица 14.3. Средние значения параметров некоторых частиц