Параметров конструкции

На 16.19 показаны схемы мостов переменного тока для определения параметров конденсаторов.

Мосты для измерения параметров конденсаторов: а) при малых углах потерь

Таким образом, для измерения параметров конденсаторов и катушек индуктивностей необходимы методы и аппаратура, позволяющие производить раздельное измерение активной и реактивной составляющих комплексного сопротивления. Наиболее часто для этих целей применяются мостовые методы.

Мосты для измерения емкости и угла потерь конденсаторов. На 11.15, а, б показаны мостовые схемы для измерения параметров конденсаторов с последовательной и параллельной схемами замещения последнего. Допустим, что конденсатор, параметры которого измеряются, включен в первое плечо моста и мост уравновешен.

Для примера измерения емкости, индуктивности и сопротивления рассмотрим универсальный прибор типа Е7-8. Этот прибор предназначен для автоматического измерения параметров конденсаторов, катушек индуктивности я сопротивлений.

а действительный комплексный коэффициент с учетом реальных параметров конденсаторов . ,

2.8. ИЗМЕРЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ КОНДЕНСАТОРОВ, РЕЗИСТОРОВ, КАТУШЕК ИНДУКТИВНОСТЕЙ

2.8. Измерение электрических параметров конденсаторов, резисторов, катушек индуктивностей..... "6*

а действительный комплексный коэффициент с учетом реальных параметров конденсаторов

Универсальные мосты предназначаются для измерения сопротивлений в широких пределах, емкости — от десятков пикофарадов до ста микрофарадов, tg б — от тысячных долей до одной десятой, индуктивности — от единиц микрогенри до сотен генри и добротности — от единиц до нескольких сотен. Погрешность универсальных мостов зависит от измеряемой величины. В качестве нуль-индикатора обычно применяются усилители переменного тока с выпрямительным прибором на выходе. Измерения параметров конденсаторов и катушек индуктивности в универсальных мостах обычно производится на частоте 1000 Гц,

5.53р. Для измерения параметров конденсаторов применяют мостовую уравновешенную схему ( 5.36). Вывести условия равновесия схемы (отсутствие тока в ветви прибора) и определить емкость конденсатора Сх> тангенс угла потерь tg 6, если / = 1000 Гц; С4 = 0,1 мкФ;

ляется возможность использования ее мете как унифицированных, так и оригинальных вых изделий РЭА. Значение технологический тает с увеличением конструктивной сложно ющей рост требуемого количества ТП и высококачественного изготовления аппарат количества вновь разрабатываемой большое влияние оказывают конструктивная ксимально возможная стандартизация гео стей собираемых элементов конструкции Р; го числа типов и параметров конструкции нию числа применяемых ТП и к сокращен меняемой оснастки. Ввиду того, что срок правило, больше времени нахождения и при изготовлении однотипных изделий на приятии удается повторно использовать оснастки для изготовления составных чаете Кроме того, мероприятия по технологи ходят широкое распространение при рядов различных типов технологического о ки и монтажа РЭА. Типизация ТП позвол*

Статическая тяговая характеристика определяется при установившемся значении тока в обмотке электромагнита. В процессе перемещения подвижной системы ток будет отличаться от установившегося значения. Вследствие этого динамическое тяговое усилие отличается от статического при одном и том же положении якоря. Поэтому создание аппаратов, обладающих высокой механической и электрической износоустойчивостью и достаточным быстродействием, непосредственно связано с исследованием динамических процессов в них. Только расчет динамики дает возможность установить рациональные соотношения параметров конструкции с точки зрения ее надежности и износоустойчивости.

Таким образом, получено выражение для относительного значения отводимых потерь в функции относительных значений параметров конструкции и режима. Оно позволяет судить о возможностях системы охлаждения при тех или иных изменениях параметров.

Таким образом, увеличение точности и помехозащищенности радиотехнических систем связано не только с необходимостью усложнения схем, но и с ростом требований к точности изготовления и стабильности параметров конструкции при работе в условиях жестких климатических и механических дестабилизирующих факторов.

Результатом работы подсистемы является набор значений основных размеров и параметров конструкции двигателя, оптимизирующий критерий качества, выбираемый конструктором.

Переход 1 ( 1-8) от состояния полной работоспособности к неработоспособности (полный отказ) является катастрофическим событием для конструкции (и часто для потребителя). Менее катастрофичной является деградация параметров конструкции РЭА (переход 2), которая может быть медленной или быстрой. Деградация параметров является формой частичного отказа, развивается не по всей конструкции сразу, а в отдельном блоке, ячейке, ГИМ и приводит к ухудшению или ограничению выполнения заданных функций. Состояние частичного отказа может перейти к полному отказу (переход 3) в результате дальнейшего развития разрушительного процесса. Переход к полному отказу наблюдается и в результате ремонтных работ, связанных с необходимостью полного отключения РЭА при их проведении, что для потребителя равносильно полному отказу.

Точный анализ температурного состояния РЭА связан с большими трудностями, которые объясняются сложностью конструкции и происходящих в ней процессов, поэтому при изучении теплового режима РЭА применяют приближенное физико-математическое исследование и расчет теплоотвода в РЭА носит оценочный характер, необходимый для установления исходных параметров конструкции.

Для достижения более высокой эффективности преобразования солнечной энергии в 1981 г. [48] фирмой "Fuji Klectric" в качестве слоя со стороны окна в солнечном элементе со структурой ОНО/n-i-p/Нерж. ст. была использована микрокристаллическая пленка Si : Н. Показано, что оптические свойства этой пленки являются подходящими для ее использования в качестве слоя со стороны окна. Были также улучшены характеристики солнечных батарей большой площади путем оптимизации параметров конструкции и расположения элементов. Начальным этапом практического применения солнечных батарей в качестве источников силовой энергии явилось исследование модульных структур и стабильности солнечных элементов на основе a-Si : Н.

Для достижения более высокой эффективности преобразования солнечной энергии в 1981 г. [48] фирмой "Fuji Klectric" в качестве слоя со стороны окна в солнечном элементе со структурой ОНО/n-i-p/Нерж. ст. была использована микрокристаллическая пленка Si ; Н. Показано, что оптические свойства этой пленки являются подходящими для ее использования в качестве слоя со стороны окна. Были также улучшены характеристики солнечных батарей большой площади путем оптимизации параметров конструкции и расположения элементов. Начальным этапом практического применения солнечных батарей в качестве источников силовой энергии явилось исследование модульных структур и стабильности солнечных элементов на основе a-Si : Н.

В упрощенных расчетах предполагаются известными температуры горячего и холодного спаев термоэлемента. В реальных условиях чаще всего известны температуры сред, окружающих горячий и холодный спаи, температуры самих спаев зависят от теплообмена со средами. Учет теплообмена существенно усложняет задачу определения как максимального холодильного коэффициента, так и оптимальных параметров конструкции термоэлемента.