Параметров комплексного

Широко распространены приборы, в основу работы которых положен принцип вариации параметров колебательного контура. При введении полупроводникового образца изменяются добротность и резонансная частота колебательного контура. По этим изменениям можно определить удельное сопротивление образца. Калибровку прибора выполняют по образцам с известным удельным сопротивлением.

Так же как и в случае индуктивной связи, при использовании емкостной связи наиболее часто применяют устройства, которые созданы на базе измерителя добротности и основаны на принципе вариации параметров колебательного контура. Образец через емкостные контакты подключают параллельно или последовательно с колебательным контуром.

Измерение параметров колебательного движения (вибраций) чаще всего осуществляют с помощью механической инерциальной системы и преобразователя, принимающего колебания этой системы и преобразующего их в электрический сигнал. В качестве таких преобразователей могут использоваться индуктивные, емкостные, индукционные, а иногда и реостатные, тензорезистивные и пьезоэлектрические преобразователи. Механическая инерциальная система не должна увеличивать массу и изменять собственную частоту колебаний объекта измерения, чтобы не возникало значительных динамических погрешностей измерения.

Добротность представляет собой один из наиболее важных параметров колебательного контура и характеризует собой отношение энергии, накопленной в контуре, к тепловой энергии, расходуемой в резисторе R.

Измерение параметров колебательного движения (вибраций) чаще всего осуществляют с помощью механической инерциальной системы и преобразователя, принимающего колебания этой системы и преобразующего их в электрический сигнал. В качестве таких преобразователей могут использоваться индуктивные, емкостные, индукционные, а иногда и реостатные, тензорезистивные и пьезоэлектрические преобразователи. Механическая инерциальная система не должна увеличивать массу и изменять собственную частоту колебаний объекта измерения, чтобы не возникало значительных динамических погрешностей измерения.

Стабильность частоты L^-генераторов определяется стабильностью параметров колебательного коктура и его добротностью Q, которая, как указано в § 10.9, на низких частотах не может быть сделана достаточно большой. Поэтому LC-генераторы применяются главным образом в диапазоне радиочастот. Для генерации синусоидальных колебаний низко! частоты (например, в звуковом диапазоне и ниже) широко применяются генераторы с реостатно-ем-костной настройкой или генераторы RC.

Одним из основных параметров колебательного контура является полоса пропускания II, под которой понимают спектр частот, в пределах которого токи в контуре отличаются от своего резонансного значения не больше чем в У"2 раз. Полосу пропускания кон-

входной э. д. с. cos/ MI/ -\ — — зависят как от параметров колебательного конту-

бательного контура, следовательно, величина его переменной части Cv — один из основных параметров колебательного контура.

§ 5.2. Связь выходных параметров колебательного контура

§ 5.2. Связь выходных параметров колебательного контура с первичными ..................................196

Развитие мостов переменного тока за последнее время идет по пути построения автоматических цифровых приборов. Наметилась тенденция создания универсальных мостов широкого назначения. Это, например, мост переменного тока типа Р5010. Он является быстродействующим универсальным измерителем параметров комплексного сопротивления на частоте 1000 Гц и предназначен для измерений емкости и тангенса угла потерь, индуктивности и сопротивления потерь, активного сопротивления, остаточной индуктивности и постоянной времени. Диапазон измерений моста составляет: емкости от 0,1 пФ до 100 мкФ;

Диапазоны измерения параметров комплексного сопротивления могут быть весьма широки. Так, значения измеряемых емкостей заключены в пределах от тысячных долей пикофарада до десятков тысяч микрофарад, а индуктивностей — от тысячных долей микрогенри до тысячи генри. Диапазон измеряемых добротностей Q составляет 0,01... ...1000, tg 6 — от 0,00001 до 10, а в отдельных частных случаях значения измеряемых tg б и Q могут иметь значения, лежащие за пределами указанного диапазона.

15.4. Преобразование параметров комплексного сопротивления в напряжение

Использование схем 5...8 для определения составляющих комплексного сопротивления требует выполнения дополнительных расчетных операций, поскольку каждая из составляющих комплексного сопротивления оказывается одновременно связанной с обеими составляющими выходного напряжения. Следует, однако, отметить, что в последнее время в измерителях параметров комплексного сопротивления начинают широко применяться средства микропроцессорной техники; поэтому необходимость осуществления тех или иных расчетных операций не является препятствием к использованию приведенных схем. Кроме того, включение микропроцессора в состав измерителя параметров комплексного сопротивления позволяет значительно расширить его функциональные возможности за счет передачи микропроцессору функций автоматического управления работой измерителя, коррекции погрешностей, сокращения числа образцовых мер, организации самоконтроля и получения отсчета люЗых требуемых параметров комплексного сопротивления.

15.4. Преобразование параметров комплексного сопротивления в напряжение 225

Развитие мостов переменного тока за последнее время идет по пути построения автоматических цифровых приборов. Наметилась тенденция создания универсальных мостов широкого назначения. Это, например, мост переменного тока типа Р50 10. Он является быстродействующим универсальным измерителем параметров комплексного сопротивления на частоте 1000 Гц и предназначен для измерений емкости и тангенса угла потерь, индуктивности и сопротивления потерь, активного сопротивления, остаточной индуктивности и постоянной времени. Диапазон измерений моста составляет: емкости от 0,1 пФ до 100 мкФ;

Диапазоны измерения параметров комплексного сопротивления могут быть весьма широки. Так, значения измеряемых емкостей заключены в пределах от тысячных долей пикофарада до десятков тысяч микрофарад, а индуктивностей — от тысячных долей микрогенри до тысячи генри. Диапазон измеряемых добротностей Q составляет 0,01... ...1000, tg б — от 0,00001 до 10, а в отдельных частных случаях значения измеряемых tg б и Q могут иметь значения, лежащие за пределами указанного диапазона.

15.4. Преобразование параметров комплексного сопротивления в напряжение

Использование схем 5...8 для определения составляющих комплексного сопротивления требует выполнения дополнительных расчетных, операций, поскольку каждая из составляющих комплексного сопротивления оказывается одновременно связанной с обеими составляющими выходного напряжения. Следует, однако, отметить, что в последнее время в измерителях параметров комплексного сопротивления начинают широко применяться средства микропроцессорной техники; поэтому необходимость осуществления тех или иных расчетных операций не является препятствием к использованию приведенных схем. Кроме того, включение микропроцессора в состав измерителя параметров комплексного сопротивления позволяет значительно расширить его функциональные возможности за счет передачи микропроцессору функций автоматического управления работой измерителя, коррекции погрешностей, сокращения числа образцовых мер, организации самоконтроля и получения отсчета любых требуемых параметров комплексного сопротивления.

15.4. Преобразование параметров комплексного сопротивления в напряжение 225