Параллельными плоскостями

простейшего конденсатора с плоскими параллельными пластинами DS—Q. Поскольку E=D/?a = Q/&aS и E=U/d, то емкость идеализированного элементарного конденсатора без учета искажения электрического поля на краях пластин будет C = Q/U= = eaSyj. С увеличением S/d возрастает емкость конденсатора.

Задача 1.2. Между параллельными пластинами ( 1.6, а), размеры которых значительно больше расстояния между ними, напряжение U = = 100 В. Определить потенциалы пластин, полагая равным нулю потенциал точки, отстоящей от положительной пластины на расстояние r = d, 3rf/4, d/2, d/4, где d — расстояние между пластинами.

25. Напряжение между двумя параллельными пластинами, находящимися на расстоянии 0,1 м друг от друга, составляет 100 В. Какая сила действует на помещенный между пластинами заряд 10~8 Кл? Чему будет равна эта сила, если расстояние между пластинами увеличить вдвое?

1.21. Электрон с начальной энергией 50 эВ в момент времени t=0 влетает в электрическое поле между параллельными пластинами под углом 60° к направлению, перпендикулярному пластинам. Расстояние между пластинами 1 см. Напряжение, приложенное к пластинам, изменяется по закону и=\№е°'5'104 • Определить: а) время пролета электрона до верхней пластины; б) скорость и энергию электрона при ударе о верхнюю пластину.

Емкость конденсатора (в пФ), образованного двумя плоскими параллельными пластинами:

При синусоидальном воздействии на подвижную пластину, т. е. в случае, когда расстояние между пластинами динамического конденсатора будет изменяться по закону б = 60 + Аб sin (ot, емкость С конденсатора с плоско-параллельными пластинами будет изменяться по закону

между двумя параллельными пластинами и напряженность перекрытия по фарфоровому цилиндру между теми же пластинами в зависимости от расстояния между ними (высота цилиндра). Напряжение перекрытия твердых диэлектриков уменьшается с увеличением влажности окружающего воздуха вследствие образования на поверхности пленок воды, искажающих распределение потенциала по поверхности, приводящих к местным поверхностным электрическим перегрузкам. В этом отношении не спасает и несмачи-

2-36, Сравнение электрической прочности воздуха (верхняя кривая) и перекрывающей напряженности электрического поля изоляторного фарфора (нижняя кривая) между двумя параллельными пластинами.

На 1.8, а показано однородное электрическое поле, созданное между двумя параллельными пластинами достаточно большой протяженности, чтобы пренебречь искривлением поля у краев.

В качестве примера на 1-1 изображено электрическое поле между двумя заряженными параллельными пластинами. В центральной области поле однородное, поэтому оно изображено одинаково направленными параллельными электрическими линиями, проведенными с оди-

Электрическое поле между двумя заряженными плоскими параллельными пластинами.

1) зазор образован двумя параллельными плоскостями;

Пусть провод с током / расположен в воздушном зазоре между двумя параллельными плоскостями NN и ММ, являющимися поверхностями раздела воздуха со сталью ( 25.6, а). Для расчета поля в воздухе следует воспользоваться методом зеркальных изображений, при этом магнитную проницаемость стали можно положить равной

Во многих случаях реальных иоздушных зазоров не удается получить строгого математического выражения для их магнитной проводимости. Поэтому проводимости определяют но приближенным формулам, полученным или аналитически на основании упрощающих предположений относительно картины поля в зазоре, или на основании применения метода подобия и математической обработки экспериментальных данных [9]. Так, например, проводимость между параллельными плоскостями с учетом выпучивания линий индукции у краев полюсов может быть определена при рассмотрении картины поля, если считать ее неизменной, в сечениях, перпендикулярных ребрам призм, образующих зазор (на 1.8,а а — ширина призмы, ft —длина, с — ее толщина). Тогда, использовав метод конформных преобразований, получим

обычно неоднородное, трудно поддающееся расчету. Линии магнитной индукции выпучиваются по краям зазора. Поэтому даже в самом простом случае, когда зазор образован двумя параллельными плоскостями, перпендикулярными оси участка магнитопровода, выпучивание искажает поле, делая его неравномерным ( 21-9,6). Если

Феррокспланы имеют кристаллическую решетку, в которой направление легкого намагничивания расположено в определенной плоскости. Это — коренное отличие феррокспланов от ферритов с кубической-решеткой. Ферриты имеют гексогональную кристаллическую решетку магнетоплюмбита МеО-(Ре203)„; здесь Me — ионы бария, стронция или свинца. Обычно используется феррит ВаО(Ре203)0, в котором ионы бария частично замещены ионами кобальта, никеля, магния, цинка, а также Мп, Си и др. Выпускаются как изотропные феррокспланы с беспорядочно расположенными плоскостями легкого намагничивания, так и анизотропные с параллельными плоскостями намагничивания. Такие феррокспланы получают прессованием в магнитном поле; они имеют более высокую магнитную проницаемость чем изотропные до частот порядка 800 Мгц ( 18. 7). Феррокспланы имеют в большинстве высокие точки Кюри 300—500° С и индукцию

(__Линии равного потенциала представляют собой окружности, а поверхности равного потенциала — круговые цилиндры, геометрические оси которых смещены относительно электрических осей.(Одна из этих поверхно-стей~"вырождается в плоскость с нулевым значением потенциала. [Линии напряженности представляют собой дуги окружностей, начинающиеся на оси с положительным зарядом и кончающиеся на оси с. отрицательным зарядом^ Картина поля показана на 27.6. Если семейство равнопотенциальных поверхностей рассечь параллельными плоскостями, перпендикулярными заряженным осям, то

На 2.25 показан сложный разрез А—А, выполненный двумя параллельными плоскостями. Такой разрез называется ступенчатым. При ступенчатом разрезе секущие плоскости условно совмещаются в одну плоскость.

11. Весьма длинный провод расположен между двумя параллельными плоскостями, потенциалы которых равны нулю. Имеет ли смысл собственный потенциальный коэффициент провода?

Если катод и экран являются параллельными плоскостями, то поле между ними, пренебрегая краевыми искажениями, можно считать однородным. Такая система была бы идеальным преобразователем, свободным от аберраций. Правда, увеличение подобной системы равнялось бы единице. Но идеальное изображение получилось бы при условии испускания электронов фотокатодом с нулевыми начальными скоростями. Реальный фотокатод испускает электроны с начальными скоростями, распределенными в интервале от 0 до глотах- Начальные скорости зависят от работы выхода фотокатода, величины световых квантов, а также от температуры фотокатода. Выражая начальную скорость через эквивалентную разность потенциалов и0, можно показать, что в случае однородного электростатического поля каждая точка фотокатода отобразится на экране кругом рассеяния, радиус которого

Проводимость между параллельными плоскостями, обращенными

II участок магнита заменяется равновеликими параллелепипедами. Проводимость между параллельными плоскостями магнита, обращенными друг к другу, с учетом выпучивания силовых линий по размеру 6,5 см