Параметров используемых

1. Отдельные изолированные области в процессе эксплуатации ИМС должны быть разделены слоем полупроводникового материала противоположного типа электропроводности и областями объемного заряда обратно смещенных p-n-переходов. Изоляция будет надежной только тогда, когда изолирующие р-п-переходы не пробиваются и области их объемных зарядов не перекрываются. Это условие обеспечивается путем соответствующего выбора ширины вскрытого окна под изолирующую диффузию, которая в свою очередь зависит от параметров исходного полупроводникового материала и напряжения смещения р-я-перехода между изолированной областью и подложкой.

Объясняется это прежде всего тем, что при изготовлении ИМ практически невозможно идеально выдержать технологический режим и строгую однородность физико-химической структуры применяемых материалов. Поэтому случайные колебания параметров исходного сырья, режимов работы применяемого технологического оборудования и других факторов, существенных для производства, влияют на 'продолжительность безотказной работы ИМ. В СВ.ОЮ очередь, это приводит к тому, что за рассматриваемый конечный -промежуток времени отказ каждой конкретной ИМ может произойти или не произойти, т. е. -возникновение отказов испытываемых ИМ в разные промежутки (времени представляет собой случайное событие. Вопросами изучения случайных событий занимается теория вероятностей. Рассмотрим основные понятия теории вероятностей.

3—3'. Ввод в ОП параметров исходного режима (начальных значений переменных).

Таким образом, диод с толстой базой может быть использован в качестве магнитодиода при соответствующем выборе геометрических размеров базы диода и электрофизических параметров исходного материала. Обычно магнитодиоды изготовляют с толщиной базы, соответствующей нескольким диффузионным длинам неосновных носителей, т. е. толщиной в несколько мил-

/ — определение и регистрация параметров исходного кремния; 3 — установление требуемых параметров диффузионного слоя; 3 — определение времени и температуры диффузии; 4 — проверка печи и вывод ее на режим; S — обработка кремниевых пластин; 6 —загрузка пластин в печь; диффузия, разгрузка; 7 — определение и запись величин глубины перехода и удельного поверхностного сопротивления; 8 — следующий процесс; 9 — брак; W — повторная диффузия. '

ник, а на 12.4, б —• дополняющий. Если их последовательно соединить, то результирующее сопротивление будет чисто активное. Схема, характер элементов и численные значения параметров дополняющего двухполюсника зависят от схемы, характера элементов и численного значения параметров исходного двухполюсника.

ник, а на 12.4, б —• дополняющий. Если их последовательно соединить, то результирующее сопротивление будет чисто активное. Схема, характер элементов и численные значения параметров дополняющего двухполюсника зависят от схемы, характера элементов и численного значения параметров исходного двухполюсника.

Способ 3. Данный способ заключается в разбиении четырехполюсника на регулярное соединение более простых четырехполюсников, параметры которых известны, и определении по ним параметров исходного четырехполюсника. Представим Т-образный четырехполюсник в виде последовательного регулярного соединения двух простых четырехполюсников ( 12.17, а). Пусть известны Z-параметры каждого из этих четырехполюсников:

Устойчивость как необходимое условие существования установившегося режима электрической системы. Статическая неустойчивость электрической системы может проявляться в виде апериодического или колебательного процесса при нарастающем изменении параметров исходного установившегося режима (см. § 1-2). Колебательный характер процесса может быть обусловлен неправильной настройкой регулирующих устройств, что бывает сравнительно редко и что обычно является предметом отдельных исследований, направленных на надлежащий б ** П

Энергосистема должна работать так, чтобы некоторые изменения (ухудшения) режимных параметров не приводили к нарушению ее устойчивости, т. е. необходим запас. Запас по устойчивости оценивается соотношением параметров исходного и предельного (по устойчивости) режимов [35.13].

Устройства автоматической дозировки воздействий (АДВ) определяют интенсивность управляющих воздействий и выдают соответствующие команды на электростанции, линии электропередачи или потребителям. Эти команды вырабатываются в зависимости от интенсивности аварийного возмущения и параметров исходного (доаварийного) режима, информация о которых поступает от ПУ. Если устройства АДВ оценивают послеаварийное состояние ЭЭС непосредственно в момент возникновения возмущения, т. е. прогнозируют это состояние, то увеличивается быстродействие ПА и может быть снижена интенсивность управляющих воздействий. Для этого управляющие воздействия вырабатываются с использованием аппаратуры запоминания дозировок (АЗД), в которую введены результаты предварительных расчетов, образующие массив управляющих воздействий. АЗД может совмещаться с АДВ, но может находиться и в местах реализации ОГ и АУМПТ.

В зависимости от электрических свойств содержащихся в структуре зпитаксиальных слоев такое изделие можно считать как полупроводниковым материалом, так и полупроводниковым прибором. Критерием для определения изделия служит характер выходных параметров, используемых для контроля качества структуры. Если они материа-ловедческие (химический состав, концентрация легирующей примеси, структурное совершенство, электрические, оптические и.другие физические свойства)1, то эпитаксиальная структура представляет собой материал. Если же в комплекс выходных параметров входят приборные характеристики (параметры электролюминесценции, пробивное напряжение, вольт-амперная характеристика и др.), то такая эпитаксиальная структура представляет собой полуфабрикат— приборную заготовку. И действительно, заключительные операции по изготовлению прибора сводятся к ряду монтажных операций: разделке приборной структуры на отдельные кусочки — так называемые кристаллы, изготовлению контактов к ним и сборке прибора, «упаковке» его в корпус.

На комплементарных транзисторах могут быть построены и регистры сдвига. Схемы на комплементарных МДП-транзисторах обеспечивают устойчивую работу при больших разбросах параметров используемых транзисторов, что существенно облегчает решение технологических задач в процессе изготовления таких схем.

минимальное число параметров, используемых при описании потоков ошибок в моделях, и простота измерений этих параметров.

6. Для срабатывания реального НИ напряжение ивх.сг,.с должно быть больше Ua на некоторую величину, называемую напряжением срабатывания (Уни. с. Это напряжение за счет изменений параметров используемых в НИ триодов может существенно колебаться. Для того чтобы практически исключить влияние этих колебаний на работу устройства в целом, минимальный уровень сравниваемых величин выбирается на порядок выше UHH c (например, при Um c я^ яг 0,05 н- 0,1 В выбирается ?/„.мин > 1 В).

Погрешности измерений зависят от метрологических параметров используемых средств измерений (основной и дополнительных погрешностей, диапазона измерений, мощности, потребляемой приборами от

Физический смысл параметров, используемых в уравнениях (5.11), можно установить, если воспользоваться режимами короткого замыкания на входе и выходе схемы замещения. При коротком замыкании на выходе (?/с = 0) находим два параметра

Для устройств, создающих электромагнитные колебания при выполнении своих функций (например, электронные ключи), воздействие на механизм образования ИРП заключается в правильном выборе параметров используемых колебаний с целью максимально возможного ограничения занимаемой полосы частот.

нений, витковых замыканий, а также ошибок в схеме соединений, уточнения параметров, используемых при расчетах.

Использование машинных методов расчета в применении к цир-куляторам позволяет воспользоваться всеми преимуществами, присущими этим методам: возможностью быстрого анализа различных вариантов конструктивного выполнения устройства и выбором конструкции, обеспечивающей оптимальные характеристики; оценкой влияния конструктивных и технологических факторов, а также разбросов параметров используемых материалов на характеристики и т. д. Рассмотрим основные этапы машинного проектирования У-циркуляторов.

Одним из параметров, используемых в теории циркуляторов, является внешняя добротность ферритового резонатора QBH, определяющая потенциальную широкополосность циркулятора. Эта величина пропорциональна относительному расщеплению резонансных частот м+ и to- намагниченного резонатора и для низших колебаний с п = 1 определяется соотношением

Большинство параметров, используемых в СВЧ для характеристики свойств двухполюсников и четырехполюсников, можно найти при известных комплексных

Для надежной работы схемы необходимо, чтобы ток сигнализации был примерно в три раза меньше, чем ток управления. Расчет систем с амплитудным признаком должен обеспечивать эту разность токов при возможных изменениях параметров используемых физических цепей.