Параметров интегральных

3. Собрать несимметричный мультивибратор и, поочередно изменяя сопротивления резисторов Roc, R', R", наблюдать за изменениями параметров импульсов выходного напряжения. При минимальных и максимальных значениях R0c, R', R" зарисовать осциллограммы ивых, измерить напряжения t/выхтах, период Т, длительности импульса ta и паузы tn-

1. Измерение напряжения f/выхтах, длительности и других параметров импульсов производят с помощью осциллографа.

передачи информации, а помехоустойчивость — способность аппаратуры правильно функционировать в условиях действия помех. Сигналы импульсных устройств дискретны и представляются комбинацией стандартных импульсов, поэтому скорость передачи таких сигналов выше, чем непрерывных. Выше и помехоустойчивость, так как искажение параметров импульсов (например, амплитуды) помехами не искажает информацию, заключенную в определенном сочетании импульсов.

Электронным (электронно-лучевым) осциллографом * называют прибор, предназначенный для записи или наблюдения на экране электронно-лучевой трубки изменений электрических сигналов во времени, а также для измерения различных электрических величин (напряжения, тока, частоты, сдвига фаз, параметров импульсов и т. д.).

Генераторы прямоугольных импульсов применяют для настройки и исследования различных импульсных устройств и подразделяют на генераторы импульсов микросекундной (0,05—10е мкс) и наносекундной (1—106 не) длительностей. Генераторы импульсов часто выполняют двухканальными с независимым регулированием параметров импульсов каждого канала и с регулируемым временем задержки импульсов одного канала относительно другого.

Для расчета параллельного соединения тиристоров и выбора параметров импульсов управления необходимо знать время вклю-ния /вкл- Рассмотрим переходный процесс включения тиристоров ( 7.21). Величина /вкл определяется как промежуток времени между началом импульса управления и моментом, когда величина прямого напряжения Unp уменьшится до 10% от своего начального значения: Эта величина является функцией величины и характера нагрузки, а также параметров управляющего импульса.

При измерениях необходимо учитывать влияние параметров импульсов тока и времени задержки на результаты измерений. Как следует из выражений (3.52), (3.53) и условий (3.5 ), (3.54), по мере увеличения длительности инжектирующего импульса должен происходить рост измеряемых значение времени жизни носителей заряда. Экспериментальные данные показывают, ч го, когда длительность импульса тока достигает значения, большего объемного времени жизни носителей заряда, измеряемое значение времени жизни перестает зависеть от длительности импульса и далее не изменяется. Аналогичным образом время жизни носителей заряда зависит от тока; при увеличении тока оно растет, достигая постоянного значения. Эти данные находятся в ка<ественном соответствии с теорией. Напротив, при малых значениях времени задержки измеряемое время жизни оказывается заниженным. Причиной несоответствия, возможно, является то, чтс при рассмотрении не учитывалась рекомбинация носителей заряда на поверхности модели.

Описанные схемы имеют значительную зависимость параметров импульсов от колебаний напряжения питания и температуры окружающей среды. При изменении напряжения питания на ±10% выходная частота мультивибратора изменяется на ±15% почти по линейному закону.

6. Макетирование сомнительных мест или основных цепей в узлах, использующих принципиально новые решения. Корректировка пп. 4, 5. Изготовление и испытание экспериментальной партии (около 100 штук) импульсных формирователей тока. Уточнение параметров импульсов тока, их разброса, расчет всех цепей принципиальных схем на худший (граничный) случай (см. § 2-4).

недостатки. Кроме помех от полувозбуждения и связанной с этим чувствительно:тью ЗУ к разбросу параметров сердечников и их ка^ству, а также к изменениям параметров импульсов токов возбуждения и температуры окружающей среды имеются принципиальные ограничения по скорости работы ЗУ.

альный сигнал существует не бесконечно долгое время, а имеет начало и конец. Кроме того, параметры импульсов с течением времени из-за влияния дестабилизирующих факторов могут несколько изменяться, хотя бы на очень малые значения. Практически последовательность импульсов считают периодической, если она периодична в интервале наблюдения Т&, где ™н > Т, а отклонения параметров импульсов из-за влияния дестабилизирующих факторов малы по сравнению со значением того или иного параметра.

Одной из важных особенностей элементов полупроводниковых ИМС является высокая степень согласованности параметров транзисторов и других элементов, располагающихся на одном кристалле. Несмотря на то, что абсолютный разброс параметров интегральных транзисторов больше, чем дискретных, различие, например, в значениях напряжения l/ъэ для соседних интегральных транзисторов составляет — \ мВ, коэффициенты передачи тока р отличаются на ^ 5%. Температурные коэффициенты также велики, но благодаря малым различиям температуры соседних участков подложки, отстоящих на 100... 150 мкм, и подобию структур, температурные изменения происходят согласованно, так что различия не выходят за указанные выше пределы [81.

Особенности контроля интегральных схем. Параметры интегральных схем (ИС) после окончания процесса их изготовления не подлежат регулировке. Поэтому главным моментом является контроль параметров интегральных схем как непосредственно перед монтажом электронных измерительных приборов, так и в процессе регулировки отдельных блоков и прибора в целом.

Операционный усилитель характеризуется теми же параметрами, что и другие усилители. Знание параметров интегральных ОУ позволяет быстро и грамотно спроектировать различные электронные блоки и устройства, а также предотвратить выход их из строя, т. е. работу в недопустимых режимах.

Для полупроводниковых ИМС основным и наиболее универсальным элементом является биполярный транзистор. В большинстве случаев в ИМС используются транзисторы п-р-п-типа. Значения параметров интегральных транзисторов: коэффициент усиления 5=100, граничная частота /т = 300 МГц, максимально допустимое напряжение [/ктах = 40 В.

4. Измерение параметров цифровых интегральных микросхем / Д. Ю. Эйдукас, Б. В. Орлов, Л. М. Попель и др.; Под ред. и. Ю. Эйдукаса, Б. В Орлова. — М.: Радио и связь, 1982.

8. Докучаев Н. И., Коледов Л. А. Элементы надежности и измерение параметров интегральных микросхем. — М.: Изд. МИЭТ, 1979.

88. Шлыков Г. П. Измерение параметров интегральных ЦАП и АЦП. — М.: Радио н связь, 1985.

Формулы для расчета динамических параметров интегральных микросхем ЭСЛ и ЭЭСЛ

ном итоге, приводят к снижению процента выхода годных ИМС, точности и стабильности параметров интегральных компонентов. ' Равномерность фоторезистивного слоя в первую очередь зависит от метода и условий формирования слоя и определяется также физико-химическими свойствами фоторезиста.

Прибор ЭМ-630, предназначенный в совокупности с зондовой установкой ЭМ-627 для контроля статических параметров интегральных схем, может формировать 79 различных контрольных тестов. Длительность контрольного теста 10 мс. Диапазон граничных уровней контролируемых напряжений 0,05—9,99 В, погрешность контроля ±(1,5%+0,5 мВ). Диапазон граничных уровней контролируемых токов 10~7—0,0999 А, погрешность контроля +(2% + 10 нА). Число одновременно коммути-. -руемых выводов интегральной схемы равно 24.

Погрешность толщины фоторезиста и невоспроизводимость ее в серии подложек ухудшают такие важнейшие параметры, как светочувствительность и кислостойкость, и приводят к снижению процента выхода годных ИМС, точности и стабильности параметров интегральных компонентов.