Параметров диффузионных

Упражнение 5.5. Какой характер имеют зависимости шумовых параметров биполярного транзистора ^ш, Gm, Fш от тока коллектора /к, тока базы /Б, проводимости прямой передачи 5 = r/2i?

§ 2.3. РАСЧЕТ УСИЛИТЕЛЬНЫХ И ЧАСТОТНЫХ ПАРАМЕТРОВ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

§ 2.3. Расчет усилительных и частотных параметров биполярного

Влияние частоты на значения параметров биполярного транзистора. По мере повышения частоты между токами и напряжениями малого сигнала, действующего в цепях транзистора, возникают фазовые сдвиги и все параметры эквивалентного четырехполюсника становятся частотно-зависимыми комплексными величинами (подробнее о комплексных параметрах см. § 5.9). При этом каждый из параметров представляют либо в виде алгебраической суммы вещественной (активной) и мнимой (реактивной) составляющих Z 22 —г22~Н/-*:22, либо в показательной форме с помощью модуля и

4.3.2. МОДЕЛИ Z-ПАРАМЕТРОВ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

4.3.4. МОДЕЛИ //-ПАРАМЕТРОВ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

4.3.5. МОДЕЛИ У-ПАРАМЕТРОВ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

Когда известны элементы, определяющие У-параметры полевого транзистора с управляемым р-п переходом, не составляет большого труда построить П-образную эквивалентную схему полевого транзистора с управляемым р-п переходом по аналогии с эквивалентными схемами для У-параметров биполярного транзистора (см. 4.9). Однако с учетом всех перечисленных элементов эквивалентная схема полевого транзистора получается громоздкой. Ею пользуются обычно при очень точных расчетах. Для инженерных расчетов применяется упрощенная эквивалентная схема полевого транзистора, показанная на 4.11, а. Она содержит зависимый источник тока, управляемый напряжением, и межэлектродные емкости.

4.3.2. Модели Z-параметров биполярного транзистора , 145

4.3.4. Модели Я-параметров биполярного транзистора , 150

Большинство параметров биполярного фототранзистора аналогично по физическому смыслу параметрам фотодиодов. Кроме того, фототранзистор характеризуется рабочим напряжением питания, емкостями переходов Ск и Сэ, статическим коэффициентом усиления по току и другими параметрами обычного транзистора. Отметим некоторые особенности параметров. Интегральная чувствительность биполярного

готовленные с помощью ультразвуковой резки или химического травления ( 2.1). Образцу и боковым отросткам придают гантелеобразную форму. При этом технология изготовления контактов упрощается, облегчаются операции металлизации и вплавления. Такие контакты не искажают линии тока в образце и за счет большой площади имеют малое сопротивление контакта и более низкий уровень шума. Наличие нескольких боковых отростков позволяет одновременно с ЭДС Холла измерять удельное сопротивление образца. При измерении параметров диффузионных и эпитаксиальных слоев можно использовать стандартную технологию с применением фотолитографии.

Диффузия примесей из планарных (параллельных) источников позволяет обеспечить хорошую воспроизводимость параметров диффузионных структур. В данном методе источник примеси, изготовленный в форме пластины, и пластины полупроводника размещают параллельно друг другу на расстоянии, не меньшем 2 yDt, где D — коэффициент диффузии в газовой фазе. Для того чтобы поток диффузанта по всей площади был равномерным, размеры пластин источника должны превышать размеры полупроводниковых пластин.

§ 5.5. Контроль параметров диффузионных структур

§ 5.1. Механизмы диффузии в полупроводниках (179). § 5.2. Распределение примесей в процессе диффузии (186). § 5.3. Методы осуществления диффузионных процессов (199). § 5.4. Аномалии распределения примесей и дефекты диффузионных слоев (207). § 5.5. Контроль параметров диффузионных структур (211).

7-15. Влияние технологических факторов процесса диффузии на значения электрофизических параметров диффузионных слоев. Зависимость глубины залегания р-п перехода (а, в) и удельного поверхностного сопротивления (б, г) от скорости потока диффузанта и температуры диффузии.

Точность выходных характеристик ИС непосредственно зависит от точности электрофизических параметров диффузионных областей. Поэтому важным этапом является межаперационный .контроль в процессе диффузии (обычно с помощью пластины-свидетеля). В табл. 1.3 даны характерные величины параметров эпитаксиально-планарной структуры ИС и допуски на них.

Двухэтажный процесс диффузии позволяет улучшить воспроизводимость параметров диффузионных областей за счет корреяспиров'ки процесса на втором этапе в зависимости от результатов первого этапа (например, за счет уточнения значения коэффициента диффузии). Результаты процесса необходимо оценивать также при отработке режимов диффузии с целью их оптимизации.

Контроль параметров диффузионных слоев. К параметрам диффузионного слоя относят глубину залегания

Преимуществом процессов окисления при высоком давлении пара является возможность одновременного снижения температуры и времени обработки, что очень важно для повышения воспроизводимости параметров диффузионных Областей.

6.7. Контроль основных параметров диффузионных структур. 146

6.7. КОНТРОЛЬ ОСНОВНЫХ ПАРАМЕТРОВ ДИФФУЗИОННЫХ СТРУКТУР