Параметром характеризующим10. Каким условием продиктован выбор частоты накачки в параметрическом усилителе?
10.13. В двухконтурном параметрическом усилителе ( 10.8) первый контур с резонансной частотой /\ = 30 МГц при характеристическом сопротивлении р! = 160Ом, внутренней проводимости источника сигнала Gf = 0,2 • 10~3 См и нагрузочной проводимости GHl = G, — 0,2 • 10~3 См должен за счет использования накачки обладать полосой пропускания 80 кГц. Частота накачки /„ = 90 МГц, постоянная составляющая параметрической емкости С0 = 50пФ. Нагрузочная проводимость второго контура GH2 = = GHl=0,2 • 10~3 См. Определить коэффициент модуляции емкости.
10.14. В двухконтурном параметрическом усилителе из предыдущей задачи определить коэффициент усиления мощности Кр.
В параметрических усилителях роль активного элемента выполняет либо /7-«-переход в полупроводнике с высокой подвижностью носителей заряда при температурах ниже 90 К, либо переход металл —полуметалл (InSb). Этот полуметалл при температурах ниже 90 К приобретает свойства полупроводника, имеющего подвижность носителей заряда в 100—1000 раз выше, чем германий и кремний. В параметрическом усилителе периодически изменяется емкость колебательной системы. Мощность, потребляемая параметрическими усилителями, равна примерно 0,02—0,1 Вт.
§ 18.5. Параметрический генератор и параметрический усилитель. В параметрическом генераторе (ПГ) и параметрическом усилителе (ПУ) емкость варьируют не механическим, а чисто электрическим путем—изменяя емкость диода (варикапа), находящегося в запертом состоянии. Схема показана на 18.6, а, причем в ПГ зажимы аЬ закорочены, а в ПУ к зажимам аЬ подключают источник сигнала частотой сос (показано пунктиром). Источник постоянной э. д. с. Е0 запирает диод.
Для иллюстрации количественных соотношений в двухчастотном параметрическом усилителе приведем следующий пример.
ном параметрическом усилителе.
Для иллюстрации количественных соотношений в двухчастот-ном параметрическом усилителе приведем следующий пример.
Важным преимуществом параметрического усилителя является относительно низкий уровень шумов по сравнению с транзисторным или ламповыми усилителями. В § 7.2 отмечалось, что главным источником шумов в транзисторном и ламповом усилителях является дробовой эффект, обусловленный хаотическим переносом дискретных зарядов электронов и дырок (в транзисторе). В параметрическом усилителе аналогичный эффект имеет место в приборе, осуществляющем модуляцию параметра. Так, например, изменение емкости варикапа происходит за счет перемещений электронов и дырок. Однако интенсивность потока носителей электричества в варикапе во много раз меньше, чем в транзисторе или лампе. В последних интенсивность потока определяет непосредственно мощность полезного сигнала, выделяемого в цепи нагрузки, а в варикапе — всего лишь эффект модуляции параметра. Ослабление влияния дробового эффекта столь значительно, что в параметрическом усилителе уровень шумов определяется в основном тепловыми шумами. В связи с этим часто применяют охлаждение параметрического диода до (5-10) К.
10.23. Соотношение мощностей на различных частотах в параметрическом усилителе — преобразователе частоты.
В параметрических усилителях роль активного элемента выполняет либо p-n-переход в полупроводнике с высокой подвижностью носителей заряда при температурах ниже 90 К, либо переход метал—полуметалл (InSb). Этот полуметалл при температурах ниже 90 К приобретает свойства полупроводника, имеющего подвижность носителей заряда в 100—1000 раз выше, чем германий и кремний. В параметрическом усилителе периодически изменяется емкость колебательной системы. Мощность, потребляемая параметрическими усилителями, равна примерно 0,02—0,1 Вт.
Таким образом, стабилизатор представляет собой устройство, обеспечивающее поддержание выходной величины Y на определенном постоянном, заранее заданном уровне, при изменении входной величины X в достаточно широких пределах. Основным параметром, характеризующим качество поддержания постоянства выходной величины, является интегральный коэффициент стабилизации
Параметром, характеризующим сельсин, работающий в трансформаторном режиме, является удельное выходное напряжение
Основным параметром, характеризующим эффективность действия сглаживающего фильтра, является коэффициент сглаживания, равный отношению коэффициентов пульсаций на входе и выходе фильтра:
Основным параметром, характеризующим качество работы всех стабилизаторов, является коэффициент стабилизации. Для стабилизаторов напряжения коэффициент стабилизации
Основным параметром, характеризующим работу терморезистора, является температурный коэффициент сопротивления
Нагрузочными устройствами усилителей мощности нередко являются обмотки электродвигателей, реле, громкоговорителей и другие элементы электрических цепей, имеющие сравнительно небольшие сопротивления (единицы и десятки ом). В этих устройствах требуется значительная мощность усиленного сигнала, достигающая в ряде случаев десятков и даже сотен ватт. Иногда выходная мощность может быть очень небольшой (десятки милливатт), но если усилитель должен обеспечить максимально возможное усиление мощности входного сигнала, то его также называют усилителем мощности. Таким образом, основным параметром, характеризующим работу усилителя мощности, является коэффициент усиления по мощности /Ср.
противление индуктивной катушки очень мало. Сопротивление транзистора постоянному току (статическое сопротивление) на два-три порядка меньше сопротивления переменному току (динамическое сопротивление). Основным параметром, характеризующим эффективность действия сглаживающего фильтра, является коэффициент сглаживания, равный отношению коэффициентов пульсаций на входе и выходе фильтра:
Основным параметром, характеризующим качество работы всех стабилизаторов, является коэффициент стабилизации. Как отмечалось, определяющими дестабилизирующими факторами, из-за которых изменяются выходные величины стабилизатора, являются входное напряжение стабилизатора t/B!t и нагрузочный ток /„.
В несимметричных р-л-переходах концентрация инжектированных носителей из эмиттера в базу гораздо больше, чем в обратном направлении. Параметром, характеризующим однонаправленность ин-жекции, является коэффициент инжекции у. Для рассматриваемого нами перехода можно записать
Остановимся подробнее на факторах, определяющих быстродействие базовых элементов рассмотренного типа. Так же как и в БТ, в нормальных закрытых ПТУП, работающих при прямых смещениях на р-л-переходе затвор— исток, происходит накопление избыточного заряда неосновных носителей в затворной, истоковой и канальной областях. Поэтому быстродействие схем с непосредственными связями на ПТУП также зависит от времени рассасывания неосновных носителей, которое и определяет в основном время формирования положительного фронта выходного импульса при переключении инвертора при закрывающемся ПЭ. Кроме того, параметром, характеризующим длительность переходных процессов в схемах с непосредственными связями на ПТУП, является зарядка паразитной выходной емкости инвертора при формировании отрицательного фронта выходного импульса. Разрядка выходной емкости происходит через сопротивление канала открытого ПТУП и зависит в первом приближении от постоянной времени, равной RKCBb[K. Следует отметить, что составляющая времени задержки переключения, обусловленная накоплением избыточного заряда неосновных носителей, больше других составляющих при значениях рабочих токов, соответствующих высокому уровню инжекции p-n-перехода затвор— исток ПТУП. Однако с уменьшением уровня токов влияние эффектов накопления на время задержки переключения уменьшается. При малых уровнях токов, соответствующих низкому уровню инжекции /?-п-перехода затвор—исток ПТУП, их влияние незначительно по сравнению с влиянием времени зарядки—разрядки паразитных емкостей. В инверторах, использующих ПТШ в качестве ПЭ, эффекты, связанные с накоплением неосновных носителей, отсутствуют, поскольку ПТШ является униполярным прибором .
Основным параметром, характеризующим быстродействие И2Л, является время задержки. В режиме малых токов время задержки
Похожие определения: Параметрах теплоносителя Параметрами характеризуются Параметрами транзистора Параметра срабатывания Параметрических преобразователей Параллельных соединений Параметров электрических
|