Параметрами транзистора

ние напряжений такое, как указано на 8.13, т. е. точка АВ1 измерительного устройства имеет положительный потенциал, а точка Бщ — отрицательный (соответственно Ав2 ~ положительный, БВ2 — отрицательный), значения напряжения записываются выше оси времени (если бы вольтметр мог реагировать на мгновенное значение напряжения, то его стрелка отклонялась бы вправо), при обратной полярности — ниже оси времени (стрелка вольтметра отклонялась бы влево). Из графиков 8.12 следует, что ток в первичной обмотке i1 отстает or напряжения и 1 на угол, значение которого обусловлено параметрами трансформатора ZK и потребителя ZH = ги + ух„.

Номинальными параметрами трансформатора называют параметры, указанные заводом-изготовителем. В частности, приводятся номинальные напряжения 1/ном обмоток, номинальная полная мощность SHOM = = ^ном'ном. ток холостого хода /1х в процентах от номинального, напряжение короткого замыкания (71к также в процентах от номинального. Мощность холостого хода Рх = t/lx/lx cos
Длительность импульсов определяется параметрами трансформатора, внутренним сопротивлением Rt транзистора в режиме насыщения и величинами R5 и Сб. Если R5 ^ Rt, а индуктивность обмоток трансформатора велика, то

Неблагоприятные условия в схеме создают германиевые и кремниевые диоды при коротком замыкании на выходе выпрямителя. Так как их внутреннее сопротивление чрезвычайно мало, то ток короткого замыкания выпрямителя ограничивается лишь параметрами трансформатора и поэтому достигает, по сравнению с номинальным, очень большого значения. Такое явление в селеновых элементах не наблюдается,

10-14,6, после дешунтирования электромагнита отключения нагрузка на трансформаторы тока существенно возрастает и как следствие значительно увеличивается погрешность. В этих условиях для обеспечения необходимой надежности защиты мощность, отдаваемая трансформаторами тока, должна быть достаточной для работы отключающего электромагнита привода при минимальном расчетном токе короткого замыкания в первичной цепи. Мощность 52, отдаваемая трансформатором тока, зависит от сопротивления нагрузки 22 и наибольшее значение имеет при равенстве сопротивления ветви намагничивания трансформатора суммарному сопротивлению вторичной обмотки трансформатора и нагрузки. С увеличением нагрузки отдаваемая мощность вначале растет, достигая максимума, а далее уменьшается, что объясняется насыщением сердечника трансформатора тока. Отдаваемая мощность пропорциональна току в первичной цепи. Работа трансформаторов тока в области максимальной отдаваемой мощности неустойчива, поэтому нагрузку согласовывают с параметрами трансформатора тока так, чтобы он работал в начальной части характеристики S2=f(z2).

В результате сделанных замечаний первой задачей является исследование связей между величиной р и параметрами трансформатора. Для решения этой задачи обратимся к выражению (3-17), которое может быть представлено в виде

тет, достигая максимума, а далее уменьшается, что объясняется насыщением сердечника трансформатора тока. Отдаваемая мощность пропорциональна току в первичной цепи. Работа трансформатора тока в области максимальной отдаваемой мощности неустойчива, поэтому нагрузку согласовывают с параметрами трансформатора тока так, чтобы он работал в начальной части характеристики 52= =/(Z2).

Соотношение между параметрами трансформатора, вентилей и нагрузки в схеме с уравнительным реактором приведены в табл. 5.2. Там же приведены соотношения для наиболее распространенных многофазных схем мри активно-индуктивной нагрузке. ,

В результате сделанных замечаний первой задачей является исследование связей между величиной р и параметрами трансформатора. Для решения этой задачи обратимся к выражению (3.17), которое может быть представлено в виде

Искажения формы импульсов в основном характеризуются следующими параметрами трансформатора: действующей в импульсном режиме индуктивностью первичной или вторичной обмотки: Lt = = 4nlO~8Wi,ScnB//c или L2 = Liln? (10 — средняя длина магнито-провода сердечника; п = WJWZ — коэффициент трансформации); эквивалентной индуктивностью рассеяния L8; динамическими значениями емкостей Ст1 и СТ2 обмоток трансформатора.

В настоящее время еще не найдены математические модели, в полной мере описывающие упомянутые связи между электромагнитными параметрами трансформатора и всеми факторами, определяющими его технико-экономические характеристики. Поэтому известные методы оптимизации ограничиваются частными математическими моделями, отражающими связь только между некоторыми электромагнитными параметрами и технико-экономическими факторами.

Пример 3.4. Рассчитать входное и выходное сопротивления каскада с ОБ ( 3.2) с параметрами транзистора КТ503А, приведенными в примерах 3.1 и 3.2, и /I2i9 = 5-10~2 См, #6=7,4 кОм< #к=2,2 кОм; #1=#2 = 75 Ом.

Для определения основных параметров эмиттерного повторителя следует рассмотреть его упрощенную схему замещения, изображенную на 2.7, б (при условии 1/Л22>/?э )• В этой схеме АЦ и АЛ являются параметрами транзистора при включении его по схеме ОЭ; сопротивление резистивного элемента

На 5.3 графически показан описанный процесс установления стационарных колебаний. Благодаря высокой добротности контура Lx_CiC2 форма выходного напряжения синусоидальна, его амплитуда в установившемся режиме ( 5.3, в) определяется ЭДС источника питания +?к, коэффициентом обратной связи JJ, параметрами транзистора (А1Ь hi, h22) и контура (LK, С\, С2) и активным сопротивлением катушки R'K. Регулировка амплитуды колебаний автогенератора производится изменением напряжения источника ЭДС + ?к или сопротивления резистора /?э'. Частота колебаний определяется по формуле

Z-параметры в схеме с общим коллектором связаны с параметрами транзистора соотношениями [2, § 5.4]

Таблица 6.2 Зависимость между первичными и вторичными параметрами транзистора

схема широко используется в инженерной практике (при расчетах токораспре деления в сложных цепях, при анализе режима работы и т.п.) . Сопротивления г б' г э' гк и коэффициент усиления /3 являются физическими параметрами транзистора. Важно подчеркнуть, что для разных режимов работы указанные параметры не постоянны. В то время как сопротивление базы г g изменяется незначительно, сопротивления переходов г и г * обратно пропорциональны протекающим токам [см. формулы (3.5) и (З.о)]. Наиболее заметно прояв ляется непостоянство коэффициента усиления /3, величина которого зависит от многих факторов. В частности?ранее отмечалось, что наклон выходных характеристик увеличивается при повышении напряжения на коллекторе, что ука зывает на возрастание /3 вследствие модуляции толщины базы.

Эквивалентные схемы транзистора подразделяют на две большие группы: эквивалентные схемы, построенные с учетом физических свойств транзистора, его структуры и геометрии (модели транзистора), и эквивалентные схемы, отражающие свойства транзистора как активного линейного четырехполюсника (формальные эквивалентные схемы). Первые характеризуются физическими (внутренними) параметрами транзистора, вторые — параметрами транзистора как четырехполюсника (характеристическими параметрами).

Между характеристическими и внутренними параметрами транзистора для каждой схемы включения существует определенная связь, которую можно выразить системой уравнений. Например, для схемы ОБ имеем:

8.61. Установить связь между 2-параметрами и /-параметрами транзистора.

8.86. Докажите, что соотношения между параметрами системы г и собственными параметрами транзистора имеют вид: 211

Частные производные в уравнениях (16.16) являются дифференциальными //-параметрами транзистора: