Параметры усилительного

где 6С и Ь[ — параметры уравнения регрессии; Явх и ЯВых — средние значения выходного параметра на входе и выходе операции. Линия регрессии показывает, как в среднем изменяется параметр на выходе данной операции при соответствующем изменении его на входе. Коэффициент Ь0 определяет систематические погрешности, вызываемые технологическими операциями, и рассчитывается по формуле

Результаты измерений при определении максимальной поперечной чувствительности показаны на 2.27. Из соответствующего графика могут быть легко найдены параметры уравнения (2.70). Угол р Q дает направление максимальной поперечной чувствительности; перпендикулярное к нему влияние FQ в идеальном случае равно 0.

Для промышленных жаропрочных материалов активационные параметры уравнения долговечности зависят от границ темпе-ратурно-силовой области работы материала. В таких условиях оценку параметров уравнений долговечности необходимо получать путем совместной статистической обработки результатов испытаний, проведенных в условиях, адекватных (по механизму разрушения) эксплуатационным.

Таблица 3.6 Параметры уравнения Дебая — Гюккеля — Онзагера

где alt az, a3, Т„ и Тв — параметры уравнения. Для функции ' можно предположить степенную зависимость распухания, причем показатель степени в свою очередь также зависит от температуры облучения [84]:

Дху > О, Ах < Ду . 8. Вывдсдяов параметры уравнения эллипса рассеяния ЦЭН:

Для выбранных функций методом наименьших квадратов определяют параметры уравнения [86], а затем - коэффициенты корреляции последнего и производят оценку их значимости по t-критерию Стьюдента. Выбранное уравнение оценивается по F-критерию Фишера. По методике, приведенной выше, вычисляются остатки et, St, ^ и проводится их анализ. Если автокорреляция в остатках несущественна, то модель ряда электропотребления определена правильно. Бели автокорреляция в остатках существенна, то необходимо глубже изучить процесс, явление, описываемые данной статистикой, и разработать новую математическую модель.

где е — заряд электрона; Npt - число фотонов, падающих за единицу времени на единицу площади; R — коэффициент отражения; 17 — квантовый выход; d - межэлектродное расстояние. Подгоняя параметры уравнения (2.4.7) к кривым на 2.4.6, получаем дт = (2,4-^>) х х!СГ9 см2/В для комнатной температуры и дг = 2,3 • 10~9 см2/В для 204 К. Таким образом, величина дт от температуры, по-видимому, зависит мало. Принимая во внимание, что в исследуемых образцах при комнатной температуре д = 0,06 см2/(В-с), 'получаем время жизни т = КГ'-М-КГ8 с.

Таким образом с помощью выражений (4.3.3) — (4.3.5) можно определить объемные доли Ха и Х0г- Для простоты полагаем, что в пленках Si: Н, полученных в высокочастотном тлеющем разряде с напряжением 200 В, X0i = 1. Это позволяет вычислить все известные параметры уравнения (4.3.5). Результаты расчета величин X0i, Ха^ и Хс зависимости от напряжения высокочастотного разряда показаны на 4.3.13. Как видно из рисунка, величины X0i и Хс в области напряжений между 350 и

где е — заряд электрона; Npt - число фотонов, падающих за единицу времени на единицу площади; R — коэффициент отражения; г\ — квантовый выход; d - межэлектродное расстояние. Подгоняя параметры уравнения (2.4.7) к кривым на 2.4.6, получаем дт = (2,4-^>) х х!СГ9 см2 /В для комнатной температуры и дг = 2,3-1СГ9 см2/В для 204 К. Таким образом, величина дт от температуры, по-видимому, зависит мало. Принимая во внимание, что в исследуемых образцах при комнатной температуре д = 0,06 см2 /(В -с), 'получаем время жизни т= ID'7- 4 -Ю-8 с.

Таким образом с помощью выражений (4.3.3) — (4.3.5) можно определить объемные доли Ха^ и Хиг- Для простоты полагаем, что в пленках Si: Н, полученных в высокочастотном тлеющем разряде с напряжением 200 В, Xui = 1. Это позволяет вычислить все известные параметры уравнения (4.3.5). Результаты расчета величин Ха^, Ха^ и Хс зависимости от напряжения высокочастотного разряда показаны на 4.3.13. Как видно из рисунка, величины Ха< и Хс в области напряжений между 350 и

Параметры уравнения А, В ш С, представляющие собой коэффициенты использования световых потоков светильников, непосредственно падающих на плоскость АБ, стены и расчетную плоскость, относительно расчетной плоскости, могут быть записаны в виде х

На '0.67 приведена типовая схема усилительного каскада на полевом транзисторе с ОИ. Назначения всех элементов схемы аналогичны их назначениям в усилительном каскаде на биполярном транзисторе с ОЭ ( 10.60). Основные параметры усилительного каскада с ОИ определяются его схемой замещения в режиме малого сигнала ( 10.68) с учетом схемы замещения полевого транзистора ( 10.21). Исключая из нее резистивные элементы 1/уц и 11у^г [см. (10.9)] с большими относительно других резистивных элементов сопротивлениями и полагая синусоидальным изменение напряжения сигнала, получаем:

Коэффициент усиления и другие параметры усилительного каскада могут быть найдены с помощью схемы замещения для переменных составляющих тока и напряжения.

На '0.67 приведена типовая схема усилительного каскада на полевом транзисторе с ОИ. Назначения всех элементов схемы аналогичны их назначениям в усилительном каскаде на биполярном транзисторе с ОЭ ( 10.60). Основные параметры усилительного каскада с ОИ определяются его схемой замещения в режиме малого сигнала ( 10.68) с учетом схемы замещения полевого транзистора ( 10.21). Исключая из нее резистивные элементы 1/уц и \1угг [см. (10.9)] с большими относительно других резистивных элементов сопротивлениями и полагая синусоидальным изменение напряжения сигнала, получаем:

На '0.67 приведена типовая схема усилительного каскада на полевом транзисторе с ОИ. Назначения всех элементов схемы аналогичны их назначениям в усилительном каскаде на биполярном транзисторе с ОЭ ( 10.60). Основные параметры усилительного каскада с ОИ определяются его схемой замещения в режиме малого сигнала ( 10.68) с учетом схемы замещения полевого транзистора ( 10.21). Исключая из нее резистивные элементы \jy\\ и \1угт. [см. (Ю.9)] с большими относительно других резистивных элементов сопротивлениями и полагая синусоидальным изменение напряжения сигнала, получаем:

Динамические (реальные) параметры усилительного каскада можно рассчитывать графическим или анали-

Для проведения графического расчета необходимо располагать входной и выходной статическими характеристиками транзистора по схеме ОЭ. Построив нагрузочные прямые по постоянному и переменному току, определяют параметры точки покоя. Используя также входную динамическую характеристику для известного значения амплитуды напряжения (или тока) входного сигнала. Um (/m), находят амплитудные значения напряжения и тока на выходе усилительного каскада (UKm, /кш). Такие построения для усилительного каскада по схеме ОЭ ( 4.13, а и 2.16) были проведены в § 2.3 (см. 2,17, а). По результатам графических построений можно определить основные параметры усилительного каскада:

Усилители мощности являются обычно выходными каскадами многокаскадных усилителей. Их основная задача — обеспечить получение заданной мощности сигнала на заданном сопротивлении нагрузки. В ряде случаев необходимая мощность в нагрузке весьма значительна и поэтому энергетическим показателем работы каскада необходимо уделять серьезное внимание. К таким характеристикам в первую очередь относятся: коэффициент полезного действия каскада, максимальная рассеиваемая мощность в активных элементах каскада, максимально реализуемое соотношение между мощностью, отдаваемой в нагрузку и рассеиваемой в активном элементе. Существенной особенностью каскадов мощного усиления является полное использование характеристик усилительного элемента из-за большой амплитуды входного сигнала, вследствие чего параметры усилительного элемента за период сигнала изменяются в широких пределах. Поэтому коэффициент усиления получается значительно ниже, чем у каскадов предварительного усиления на том же активном элементе.

С помощью обобщенной схемы замещения 2.8, б найдем другие параметры усилительного каскада с ОЭ, которые являются производными от /СуХх, RBX и Яаых. Полагаем, что источник сигнала Ег имеет внутреннее сопротивление Rr. Найдем коэффициент усиления каскада по напряжению при К„=^=оо;

Динамические (реальные) параметры усилительного каскада можно рассчитывать графически или аналитически. Поскольку оба метода во многом дополняют друг друга, обычно применяют комплексный графоаналитический расчет.

по схеме ОЭ были приведены в § 3.3. По результатам графических построений можно определить основные параметры усилительного каскада: входное сопротивление

Y,Z,H,K — параметры усилительного четырехполюсника К*, Z*, Я*, К* — параметры четырехполюсника ОС