Получения колебаний

Отношение числа вторичных электронов, выбиваемых из динода, к числу первичных электронов определяет коэффициент вторичной электронной эмиссии а. Для получения коэффициента вторичной эмиссии больше единицы используют сурьмяно-цезие-вые, многощелочные пленочные диноды или диноды, у которых эмигрирующий слой образуется окислением сплавов на основе серебра, меди, алюминия с присадкой магния или бериллия.

5.4. Каскад транзисторного апериодического усилителя задан схемой замещения коллекторной цепи ( 5.3). Определить проводимость нагрузки <7Н, необходимой для получения коэффициента усиления K(2nf)= 14 на частоте /= I МГц. Крутизна проходной характеристики транзистора S=5Q мА/В, суммарная паразитная емкость С0 = 40 пФ, выходная проводимость транзистора G, = 1,5 • 10~4 См.

Спад вершины импульса, измеренный относительно уровня Еяк, имеет значение Д=?эк — иу-*' (чг)=?э„(1 — е'^9), а коэффициент спада Кс *= Д/?8К= 1 — е"т/в- ПРИ в > т, так и в случае разделительной ЯС-цепи, Ке «"• t/в. Для получения коэффициента спада вершины, не превышающего заданного значения /СсДОш индуктивность намагничивания трансформатора LM >•------------7^-----.

Коэффициент к зависит от ряда факторов: электрофизических свойств материала, толщины слоя полупроводника вблизи поверхности и др. В самом деле, величина фототока определяется характером движения неравновесных «световых» носителей заряда. Это движение включает в себя диффузию частиц к запирающему слою и дрейф носителей в поле §к через запирающий слой. Очевидно, что если основные акты поглощения происходят в р-слое, то для получения коэффициента к, близкого к единице, толщина этого слоя w должна быть много меньше диффузионной длины: w <^ L. С другой стороны, чрезмерное уменьшение w может привести к к тому, что основные акты поглощения будут происходить очень близко к поверхности, где вероятность рекомбинации на поверхностных уровнях существенно больше.

Коэффициент к зависит от ряда факторов: электрофизических свойств материала, толщины слоя полупроводника вблизи поверхности и др. В самом деле, величина фототока определяется характером движения неравновесных «световых» носителей заряда. Это движение включает в себя диффузию частиц к запирающему слою и дрейф носителей в поле §к через запирающий слой. Очевидно, что если основные акты поглощения происходят в р-слое, то для получения коэффициента к, близкого к единице, толщина этого слоя w должна быть много меньше диффузионной длины: w <^ L. С другой стороны, чрезмерное уменьшение w может привести к к тому, что основные акты поглощения будут происходить очень близко к поверхности, где вероятность рекомбинации на поверхностных уровнях существенно больше.

а коэффициент спада Кс = -^—== 1—егт'°. При 9^>т, как и в случае разделительной /?С-цепи, получим /Сс»т/0. Для получения коэффициента спада вершины, не превышающего заданного значения Л"сдоп, индуктивность намагничивания трансформатора LM ^

Таким образом, для получения коэффициента передачи системы в целом в соответствии с формулой (7.71) комплексно со-

Длина прямой, проведенной из конца вектора тока до оси мнимых величин под углом ф2 к оси вещественных, пропорциональна средней мощности Р всей цепи при этом режиме, а вектор /к. з Делит ее на среднюю мощность Р2 приемника и на среднюю мощность Рг потерь в линии, что может быть использовано для непосредственного получения коэффициента полезного действия г) для каждого режима.

В режиме деления для получения коэффициента деления /(дел=64 достаточно выход Р одной микросхемы соединить со входом 14 — другой. Если требуется уменьшить коэффициент счета (деления) в пределах одной микросхемы, вход R соединяют с надлежащим выходом.

Из (8 14). (8 11) и (8 10) можно определить свял, межчу коэффициентом нелинейности В и коэффициентом исплпьз* ванкя чапрял»°н \я источника пиТс'ч!'1Я ? Действительно, примем ат » Ьс wx- ^эгда, подставив (8 8) в (8 11). получим ?. » «Р Е = 1 — е" «' ^ с. Сравнив полученное выражение с (8.14), имеем f> я? Е = иР Е Таким образом, значения р* и Е приблизительно одинаковы Из этого следует, что для получения коэффициента ^нелинейности развертки примерно 5 % необходимо, чтобы коэффициент использования источника питания также не превышал 5 %. Например, если Е = 100 В, Р -- 5 %, то напряжение развертки составит всего иР = ?Е = 100 к X 0,05 - 5 В. Таким образом, при использовании экспоненты для формирования пилообразного напряжения высокую линейность можно получить лишь при использовании малого начального участка, т. е. при малом Е. Если полученное напряжение иР меньше необходимого, то выход один — увеличение напряжения источника питания. Это вызывает большие неудобства при проектировании осциллографа Поэтому на практике прибегают к различным способам исправления формы (линеаризации) отклоняющего напряжения

баритами, массой и высокой экономичностью. Отметим, что наиболее целесообразно использовать туннельные диоды для получения колебаний в диапазоне СВЧ, где их преимущества проявляются в наибольшей степени.

24. Поясните физическую картину получения колебаний с частотой биений.

Умножение частоты широко применяется для получения колебаний высокой частоты. Такая возможность имеет особенно большое значение, когда непосредственное генерирование колебаний с требуемой частотой встречает трудности. Например, использование генераторов специального типа позволяет получать колебания с частотой до 3-1010 Гц. При необходимости иметь колебания еще большей частоты применяют умножение частоты с помощью нелинейных элементов — обычно точечных диодов. Таким способом удается получать колебания с частотой 5-Ю11 Гц и выше. Для того чтобы амплитуда используемой гармоники была достаточно велика, на устройство, производящее умножение, стремятся подавать возможно более сильный входной сигнал. Подобное использование процесса умножения частоты встречается, например, в радиоспектроскопии.

В технике физического эксперимента и во многих областях радиотехники важное место занимают устройства, предназначенные для генерирования электрических колебаний, т. е. для преобразования энергии источника постоянного тока в электрическую энергию переменного тока. Для получения колебаний той или иной частоты и формы используются различные радиотехнические устройства, но общей принципиальной особенностью их является наличие нелинейного элемента. Устройства, преобразующие постоянный ток в переменный, принято называть автогенераторами (генераторами) *).

В зависимости от способа получения колебаний требуемой частоты НЧ-генераторы делятся на генераторы основных колебаний и генераторы на биениях. В генераторах первого типа основу составляет задающий генератор, колебания которого после необходимого усиления поступают на выход. В качестве примера на 7.1 изображена структурная схема генератора ГЗ-109. Источником синусоидального сигнала служит задающий ??С-генератор, колебания которого через предва-

высокого значения, когда прибор находится в состоянии пробоя, до низкого значения после того, как лавинный ударный фронт прошел через /г-слой. Как только напряжение падает, ток увеличивается, в то время как удерживаемая плазма выносится из прибора. На 10.7 изображена типичная форма напряжения и тока, которая имеет место, когда прибор соединяют с соответствующей схемой для получения колебаний [14]. I ± ОдразоВание

Для получения колебаний в диапазоне от десятков до тысяч герц используются электродинамические вибростенды, основой которых является постоянный магнит в зазоре, между его полюсными наконечниками расположена катушка, скрепленная с платформой: При пропускании переменного тока через катушку в результате взаимодействия магнитных полей катушка приобретает возвратно-поступательное движение в вертикальной плоскости.

Однако наличие индуктивности не обязательно для получения колебаний, и можно построить такие колебательные схемы, в которых индуктивность не играет никакой роли. Простейший пример подобной схемы изображен на 460. Здесь конденсатор С, параллельно которому присоединена неоновая лампа НЛ, заряжается от источника тока через большое сопротивление г. Если бы неоновой лампы не было, то напряжение конденсатора Uc увеличивалось бы с течением времени согласно пунктирной кривой ( 460, справа) и стремилось бы асимптотически к э. д. с.

По схеме на 2-117 возможно выполнение как малогабаритного переносного приемника, так и приемника, рассчитанного для работы в стационарных условиях. Блок контуров должен иметь четыре направления коммутации при работе на ДВ, СВ и КВ. Катушка входного контура может быть намотана на стержне ферритовой антенны или на отдельном каркасе в соответствии с данными § 2-2. Сопряжение контуров рассчитывается по графикам § 2-5. Катушка i,.gr для получения колебаний на частоте контура гетеродина должна иметь сильную связь с контурной катушкой, т. е. ее витки должны быть намотаны поверх витков контурной катушки Lki-. а не рядом на каркасе, для KB и в одном броневом сердечнике для ДВ и СВ. Расположение катушек в блоке должно обеспечивать слабую связь (лучше полное ее отсутствие) между катушками разных поддиапазонов. Цепь i?ani C(,n, включенная параллельно катушке связи с контуром гетеродина, пред-

В контрольно-измерительной аппаратуре декатроны применяются: 1. В генераторах прямоугольных колебаний с точным соотношением полуволн. 2. Для деления частоты в схемах генерации меток времени и в схемах синхронизации на кратных частотах. 3. В кварцевых генераторах высокостабильных частот для получения стабильных более низких кратных и некратных частот. 4. В электронных и шлейфных осциллографах при получении сетки времени для определения временных параметров процессов. 5. В генераторах точной изменяемой частоты ступенчатой формы для получения колебаний звуковых и инфразвуковых частот. 6. В генераторах прямоугольных колебаний с точным соотношением полуволн. 7. В частотомерах-фазометрах: для определения разности фаз двух напряжений низкой частоты, для измерения времени между двумя электрическими импульсами, Для измерения периода колебаний частоты с повышенной точностью.