Параметры транзисторов

Заметим, что необходимый режим работы транзистора по постоянному току можно получить и без резисторов гг иг Однако последние позволяют стабилизировать положение рабочей точки А при изменении температуры окружающей среды. Повышение температуры окружающей среды изменяет параметры транзистора так, что токи базы, коллектора и эмиттера увеличиваются при прочих неизменных условиях. При наличии резистора /•„ в цепи эмиттера это приводит к увеличению на нем напряжения. Одновременно уменьшаются напряжение ?/БЭ и ток базы. Таким образом реализуется отрицательная обратная связь и стабилизация режима покоя. В режиме малого сигнала описанный механизм отрицательной обратной связи отсутствует, так как параллельно резистору г э включен конденсатор большой емкости Сэ.

(•приведенные к 0 дБ на частоте f0) hii3...h223 — 'параметры транзистора в схеме с ОЭ

Упражнение 5.4. Какие Вы знаете шумовые параметры транзистора?

Для схемы 7.7,6 Ca^Cal/4, L^R^ + hn^jInf^h^, где RISK — эквивалентное сопротивление со стороны вторичной обмотки входного трансформатора; /1цэ,ь h2\3,\ — параметры транзистора V\. Вносимое затухание цепи ОС на асимптотических частотах определяется следующим уравнением:

Пример 7.28. Схема 7.15. Рассчитать элементы цепей, предназначенных для коррекции АЧХ T(f) в рабочем диапазоне частот усилителя (fB = 6 МГц), если 20 lg 7=47 дБ, Лт3х = 3'9 дБ, частоты полюсов fpi = 7 МГц, !/р2=8 МГц, /Рз=17 МГц, запасы по модулю х=\0 дБ, и по фазе фг = 30°, параметры транзистора КТ610А Ацэз = 50 Ом, /121эз=ЮО.

Пример 7.30. Схема 7.15. Рассчитать элементы цепей, предназначенных для коррекции АЧХ T(f) за рабочим диапазоном частот усилителя. Данные примера 7.28. Параметры транзистора V\ /i2i3i=120, /111э1=780 Ом, транзистора V2 /12132= 150, h\\32= = 300 Ом.

Задача 7.1. Схема 7.13,а. Транзистор КТ302А. Параметры транзистора Й21э=165, Л11э = 4,0 кОм, Л22э=0. Резисторы #6i = = 130 кОм, #62=18 кОм, Яэ=910 Ом, #к = 4,7 кОм. Рассчитать глубину ОС, если усилитель работает от источника сигнала с внутренним сопротивлением #ir = 3 кОм.

Задача 7.27. Схема 7.13,в. Транзистор КТ3102Е. Параметры транзистора /г21э=286, /1Иэ=2,8 кОм, /122э=0. Резисторы Rei = = 180 кОм, Яб2 = 22 кОм, Я„ =1,5 кОм, #э = 680 Ом. Сопротивления конденсаторов считать равными нулю. Рассчитать глубину ОС, если усилитель работает от источника сигнала с внутренним сопротивлением ,/?ir = 300 Ом.

Задача 7.60. Схема 7.7,6. Известно, что /в = 4 МГц, цепь ОС выполнена по схеме № 3 табл. 7.2, причем ^i = 500 Ом, R2 = = 150 Ом, ^з = 500 Ом. Параметры транзистора входного каскада /121э=180, /1пэ = 2)5 кОм, входные и выходные цепи сбалансированы, сопротивления источника сигнала и нагрузки 7?1Г=^2н = 75 Ом, Я'б=ЮО Ом, Я"б = 33 Ом, сопротивления цепей смещения первого транзистора #6i = 130 кОм, Яб2 = 27 кОм, 7n' = m" = 0,3, я'=1,6, п" = = 2,1. Определить минимальные значения элементов обхода, считая сопротивление нагрузки третьего транзистора Кнз^К"?-

Задача 7.67. Схема 7.9. Рассчитать элементы цепей, предназначенных для коррекции АЧХ T(f) в полосе пропускания, если авн = 20 дБ, /н=150 кГц, RR3 = 0, ^?м = 400 Ом, параметры транзистора V,-: h\i3j = 2,2 кОм, А2ы = 150.

При малых синусоидальных колебаниях рабочие участки характеристик можно считать прямолинейными. Если частоты достаточно низки, то параметры транзистора, вы-

Пример 7.25. Рассчитать неминимально-фазовый сдвиг ср2 на верхней граничной частоте полосы пропускания /в = 6 МГц. Известно, / = 20 см, е = 6, параметры транзисторов в усилителе ( 17.15): /г21э1 = Л21э2=150, Л21эз=ЮО, Ск1 = Ск2 = 2 пФ, Ск3 = 4 пФ, г/бэ1 = /-'бэ2 = 200 Ом, г'бэз=10 Ом, /с = 969 МГц (из примера 7.24).

Задача 7.38. Схема 7.14,а. Транзисторы КТ340А. Параметры транзисторов ft2i3i = 170, ЯцЭ1 = 3,8 кОм, Й22э1 = 0, /г21э2 = 200, А, 1э2 = 3,0 кОм, /122э2 = 0. Резисторы: #i=2,7 кОм, #2 = 330 Ом, #3 = = 2,4 кОм, #4=1,1 кОм, #5 = 620 Ом, #6 = 470 Ом. Рассчитать входное сопротивление второго каскада.

Задача 7.42. Схема 7.14,6. Транзисторы 'КТ316Б. Параметры транзисторов /121э1 = 170, /1цэ1 = 1,75 кОм, /г22Э1 = 0, /г21э2 = 90, Апэ2 = 2 кОм, /122э2 = 0. Резисторы: 7?i = 100 кОм, #2=1,6 кОм, R3 = = 2,7 кОм, #4 = 300 Ом, #s = 390 Ом, #6=1,8 кОм. Рассчитать глубину общей ОС при условии, что сопротивления конденсаторов равны нулю, сопротивление источника сигнала #ir = 5 кОм.

На лабораторной панели ( 2.15) расположены полусборки усилителей на биполярном Т\, составном Т2 и полевом Т3 транзисторах, а также конденсаторы, переменные и постоянные резисторы, позволяющие собрать усилители ОЭ, ОК, ОИ. Исследуемые в работе типы биполярных, составных и полевых транзисторов, сопротивления резисторов усилителей указаны в табл. 2.1 для каждой бригады студентов, выполняющих лабораторную работу. Параметры транзисторов приведены в

Если левая и правая половины усилителя симметричны: ЯК1 = ЯК2=:/?К, а параметры транзисторов одинаковы, то нетрудно убедиться, что при /?н=°°

мальные изменения частоты. Для уменьшения влияния температуры на изменение емкости конденсаторов и сопротивления резисторов в автогенератор включают конденсаторы и резисторы с отрицательными и положительными ТКС и TKR. Снижение воздействия температуры на индуктивность катушек достигается за счет применения специальных материалов для каркасов катушек. Для исключения влияния температуры на параметры транзисторов в отдельных случаях автогенераторы помещают в термостат.

10 МГц. Какой формы будет сигнал на выходе этого усилителя, если на его вход подать прямоугольный импульс? Параметры транзисторов указаны в задаче 2.37.

Задача 2.39. Между предварительным усилителем и выходным каскадом с общим коллектором установлен разделительный конденсатор Ct ( 2.24). В цепи нагрузки также стоит конденсатор С2. Параметры транзисторов: Р = 80; гэ = 5 Ом; гБ = 50 Ом; Гк=10 кОм. Найти коэффициент передачи усилителя и сдвиг фазы выходного сигнала относительно входного синусоидального сигнала частотой 100 Гц.

На 6.11 приведены входные (а, б) и выходные (в, г) характеристики транзистора типа КТ301 по схеме с ОЭ для двух значений температуры: 20 и 85° С. При работе транзисторов необходимо знать допустимые пределы или диапазоны изменения температуры окружающей среды и самих приборов, при которых гарантируется их надежная работа. Для характеристики этих режимов вводятся тепловые параметры транзисторов, которые указываются в их паспортных данных.

Первое требование состоит в симметрии обоих плеч ДУ. Необходимо обеспечить идентичность параметров каскадов ОЭ, образующих ДУ. При этом должны быть одинаковы параметры транзисторов VTl и VT2, а также RKl=Rf2 (и RQ1 = R02). Если

Ят — параметры транзисторов