Получаются значительно

Узлы РЭА на микросхемах практически осуществляются соединением простейших корпусных микросхем на многослойной печатной плате, содержащей обычно четыре-шесть слоев коммутации. Такая многослойная печатная плата позволяет соединять до 50...70 полупроводниковых микросхем. Однако изготовление этих печатных плат и монтаж на них — операции весьма трудоемкие и сложные. Кроме того, соединения большой протяженности неизбежно вносят большие паразитные емкости, снижающие быстродействие аппаратуры. Габариты и масса изготовленных таким методом узлов аппаратуры получаются значительными.

и отключении рабочей катушки поток (сплошная кривая на 17-20) нарастает и спадает медленно, так как его изменению препятствует ток, возникающий в короткозамкнутой обмотке. Соответствующие выдержки времени tCD и (отп получаются значительными. При отсутствии короткозамкнутой обмотки изменения потока (штриховая кривая) происходят быстрее и промежутки времени /с'р, <0'тп будут значительно меньше. В ряде случаев выдержка времени при отпускании якоря получается путем замыкания рабочей катушки ОР накоротко (схема на 17-20 справа вверху).

Таким образом, скорость, приобретаемая э.гектроном при движении в ускоряющем поле, зависит только от пройденной разности потенциалов. Из формулы (1.1-7) видно, что скорости электронов, даже при сравнительно небольшой разности потенциалов, получаются значительными. Например, при U — 100 В получаем V = = 6000 км/с. При такой большой скорости электронов все процессы в приборах, связанные с движением электронов, протекают очень быстро. Например, время,, необходимое для пролета электронов между электродами в электронной, лампе, составляет доли микросекунды. Именно поэтому работа большинства электронных приборов может считаться, практически безынерционной.

Из электротехники известно, что кривые переменного тока различных потребителей и напряжения на их зажимах в ряде случаев отличаются от синусоиды вследствие искажения, вызванного характером нагрузки отдельных потребителей. Несинусоидальная кривая тока или напряжения может рассматриваться как сумма синусоиды основной частоты (т. е. 50 Гц) с синусоидами более высоких частот (высших гармонических), кратных основной частоте. Отношение частоты высшей гармоники к частоте основной синусоиды принято называть порядком к этой высшей гармоники. Высшие гармоники в кривых тока и напряжении получаются значительными, если от системы питаются потребители, имеющие мощные статические преобразователи. Такие потребители являются мощными генераторами высших гармоник. Появление гармоник в кривой-тока, иначе — ее искажение, всегда связано с нелинейными элементами электрической системы. К числу нелинейных элементов относят цепи со сталью и особенно, как уже было отмечено, цепи, содержащие выпрямительные, установки.

16-33) нарастает и спадает медленно, так как его изменению препятствует ток, возникающий в короткозамкнутой обмотке. Соответствующие выдержки времени tcf и ^отп получаются значительными.

= 20 ч- 45 Вт/(°С-м). Теплопроводность электроизоляционных материалов, наоборот, мала: например, для изоляции класса А Я.пр — = 0,10 -f- 0,13 Вт/(°С-м), а для изоляции класса В Япр =0,15 -ь 0,20 Вт/(°С-м). Вследствие этого перепады температуры в изоляции обмоток электрических машин получаются значительными, что затрудняет охлаждение обмоток и ограничивает значения линейной нагрузки и плотности тока.

Недостатки рассматриваемой схемы заключаются в следующем. Размеры, масса и стоимость автотрансформаторов получаются значительными. В ряде случаев приходится устанавливать вместо одного два трехфазных автотрансформатора, включенных параллельно, или группу из однофазных автотрансформаторов, что нежелательно. Ток КЗ на шинах среднего напряжения, а также на стороне низшего напряжения значительно больше, чем в схемах с автотрансформаторами связи. Поэтому на станциях с блоками 500 МВт и выше использование автотрансформаторов в качестве повышающих трансформаторов оказывается нецелесообразным.

= 20 ч- 45 Вт/(°С-м). Теплопроводность электроизоляционных материалов, наоборот, мала: например, для изоляции класса А Кир --— 0,10 -н 0,13 Вт/(°С-м), а для изоляции класса В Хпр =0,15 -=-0,20 Вт/(°С-м). Вследствие этого перепады температуры в изоляции обмоток электрических машин получаются значительными, что затрудняет охлаждение обмоток и ограничивает значения линейной нагрузки и плотности тока.

Мощности ГУБТ даже при минимальном подогреве газа перед ними (около 100° С) получаются значительными, например до 20—25 МВт при ДП объемом 5000—5500 м3, что составляет около половины мощности доменного турбокомпрессора (см. 3.2). Объясняется это тем, что объем доменного газа V, значительно превышает объем дутья Кд. Так, при атмосферном дутье отношение 1/г/]/д= 1,3 ч-1,4, а при дутье, обогащенном кислородом до 35%, Уг/Кд«1,5. Превышение объема газа происходит в основном из-за того, что при сгорании твердого углерода с образованием СО из одного моля кислорода дутья образуются два моля СО. Расчеты показывают, что если при сухой тонкой газоочистке температура газа перед ГУБТ составит около 350° С (как на выходе из некоторых печей), то при обогащении дутья кислородом до 35% О2 мощность ГУБТ станет равной мощности доменного турбокомпрессора, т. е. в этом случае для подачи в печь дутья не потребуется энергия со стороны.

Дециметровый диапазон волн. В дециметровом диапазоне обычно используется зарезонансный режим работы. Поэтому, если в циркуляторе используется ферритовая подложка, необходимо весь ее объем во избежание потерь намагнитить до значений полей, больших резонансных. Такое конструктивное решение приводит к существенному увеличению массы и габаритных размеров магнитной системы. Поэтому в дециметровом диапазоне обычно используют диэлектрические подложки со встроенными ферритовыми дисками и анализ проведен для ед=10; 2,2; 1. В зарезонансном режиме значение параметра ги-ротропии растет по мере приближения магнитного поля к резонансному, но при этом растут и потери. Для обычно используемых на дециметровых волнах ферритов ЗОСЧЗ, 40СЧ2, 60СЧ, 80СЧ максимальные значения fe/ц, при которых потери в феррите не превышают допустимые, составляют 6/ця#0,3... 0,4. Поэтому анализировались решения первого уравнения циркуляции, соответствующие fe/(i^0,25 для ветви I и fe/a,^0,4 для ветви II. Анализ с помощью уравнения (3.276) показал, что принципиально возможно выполнить А-циркулято-ры дециметрового диапазона на сплошных ферритовых дисках, встроенных в диэлектрические подложки. Однако [34] размеры устройств получаются значительными. Так, при Х»(20... 40) см радиусы резонаторов равны примерно

К величине и однородности внешнего магнитного поля предъявляются довольно высокие требования. Для достижения однородности поля в зазоре выбирают полюсные наконечники большого диаметра. В результате габариты и масса электромагнитов или постоянных магнитов получаются значительными. В последнее время разработаны магнитные системы со сверхпроводящими обмотками (так называемые сверхпроводящие магниты), которые позволяют существенно снизить массу и габариты систем. Эти магниты помещают в сосуд Дюара вместе с резонатором, благодаря чему сокращается объем, в котором необходимо создавать магнитное поле. Энергия питания расходуется только при включении сверхпроводящего магнита, а затем ток в обмотке может существовать бесконечно долго за счет явления сверхпроводимости Стабильность поля «замороженного» тока является абсолютной.

Проведенный анализ показал, что существующая экономическая ПЛОТНОСТЬ тока занижает оптимальное сечение примерно в 1,5 — 2 раза, что приводит к увеличению потерь электрической энергии и соответственно к возрастанию расхода топлива. Как показали расчеты, при выборе сечений по экономическим интервалам приведенные затраты получаются значительно меньше, чем при выборе по существующей таблице экономической плотности тока. Так, для сетей 110 кВ Латвийской энергосистемы экономия в приведенных затратах составляет 200 тыс. руб/год, а для сетей 330 кВ Северо-Запада — более 1 млн. руб/год.

Технологический цикл гибридных микросхем так же, как и полупроводниковых, можно разделить на двз этапа. Первый включает процессы формирования на подложках пассивных пленочных элементов и проводников соединений. В тонкопленочных микросхемах для этой цели применяют операции нанесеь;:я тонких пленок (см. § 2.7). Рисунок формируется непосредственно в процессе нанесения пленок с помощью накладных трафаретов либо в процессе фотолитографии (см. § 2.10). В толстопленочных микросхемах пассивные элементы создаются методом трафаретной печати, описанным ниже. Основными достоинствами толстопленочной технологии являются простота, высокая производительность и малая стоимость, однако размеры элементов получаются значительно больше, а их плотность — существенно ниже, чем в тонкопленочной. В конце первого этапа на подложках формируют матрицу одинаковых структур, каждая из которых соответствует одной микросхеме, т. е. пассивные части микросхем создаются групповыми методами. Последовательность операций первого этапа

обратна передаточной функции рассмотренной дифференцирующей цепи. Следует отметить, что в обеих цепях напряжения wa (t) на выходе получаются значительно меньше напряжений иг (t) на входе. Этот недостаток устраняется применением на выходе усилителей.

Поскольку параметр ак/рк зави- / _ * = о- 2 - * = о 5 z; сит от U/UK = kU (0/t/«, то U (I) ик = 1,шф; сус' = 2. ° находится путем совместного графического решения двух уравнений: (20-15) и уравнения сск/р\ = = f (U/UK), заданного графически на 20-3. Аналогичным образом, но по несколько более сложным формулам можно найти напряжения и в нерезонансной области. Результаты такого решения с последующей проверкой на модели даны на 20-4. Резонансные кривые получаются значительно менее острыми, чемлри отсутствии короны; их максимумы несколько превышают 3 Е — 3(УФ и смещены в стороны меньших длин из-за влияния дополнительной емкости. Этот же емкостный эффект короны является причиной незначительного повышения напряжения в дорезонансной области.

Амплитуды высших гармоник МДС получаются значительно меньшими (имеются в виду их абсолютные значения)

Как отмечалось (см. §3.3.2), потери в конденсаторе получаются значительно меньше, чем в катушке индуктивности (dc'Cd/.), и ими можно пренебречь. При этом эквивалентная схема последовательного контура упрощается, как показано на 4.3, б, где r = /?/+'"t—.сопротивление потерь контура, которому равно и его резонансное сопротивление.

Напряжение на токоприемнике является функцией времени и состоит из детерминированной ДУ и случайной AV" составляющих (см. с. 3G8). Статистически следует оценить -вторую составляющую. Это может быть выполнено исходя из биноминального закона распределения поездов, что, однако, приводит к сложным выражениям [26J. Далее приближенно принимается, что Д С/to подчиняется нормальному закону распределения вероятностей. Задача шожет быть решена и более точно исходя непосредственно из биномиального распределения числа поездов в рассматриваемой зоне [26]. При этом, однако, получаются значительно более сложные выражения, •

Четвертый этап решения задач управления состоит в изучении законов изменения текущих координат цели во времени и вычислении параметров ее движения. В математическом отношении эта задача сводится к дифференцированию, т. е. к определению скорости изменения координат цели или функций от них. Одновременно, при решении этой задачи производится сглаживание (усреднение) вычисленных скоростей изменения координат цели. Это необходимо, поскольку координаты цели измеряются с ошибками, часто изменяющими свой знак. А поэтому ошибки в скорости изменения координаты получаются значительно большими в процентном отношении, чем ошибки в координатах. Уменьшить их удается только путем сглаживания (усреднения).

Условия (2.152) являются основой для выбора параметров реализуемой схемы. Поскольку количество уравнений в системе (2.152) меньше количества неизвестных, необходимо задаваться параметрами некоторых элементов. Выбор величин сопротивлений и емкостей можно подчинить дополнительным условиям, определяемым общими требованиями к схеме. Естественно, что эти дополнительные требования не должны противоречить системе. Так, например, можно задаться величинами С\ и С2 соответственно величинам емкостей, выпускаемых промышленностью, а затем по уравнениям (2.152) вычислить RI и R2. При этом С2 и С\ следует брать такими, при которых R\ и R2 получаются значительно больше сопротивления проводов и значительно меньше сопротивления изоляции, т. е. в пределах от сотен ом до нескольких мегом.

Нетрудно видеть, что указанные выше условия, наложенные на соотношения между параметрами простейших дифференцирующих и интегрирующих цепей, приводят к тому, что напряжения и2 на выходе получаются значительно меньше напряжений щ на входе. Этот недостаток можно устранить, увеличивая напряжение и2 с помощью усилителя, включаемого между выходом цепи и приемни-

(порядка единиц и десятков килогерц). При этом элементы сглаживающего фильтра также получаются значительно меньше.

тор в сторону движения потока пара. Эти усилия особенно велики в турбинах реактивного типа, так как давление пара по обе стороны рабочих лопаток различно. Если бы на ступенях реактивных турбин рабочие лопатки закреплялись на дисках, то эта разность давлений, действуя на всю площадь дисков, могла бы создать осевое усилие весьма большой величины. Даже при использовании в реактивных турбинах барабанных роторов осевые усилия получаются значительно большими, чем в турбинах с активными ступенями.