Положительно заряженной

ца — ядро гелия гНе, р-частица — электрон, позитрон — элементарная положительно заряженная частица с массой электрона или нейтрон), то ядро может перейти в возбужденное состояние, образовав составное ядро. Нейтрону легче других элементарных частиц, приблизиться к ядру, так как он не несет электрического заряда.

В момент времени / = т действие входного импульса прекращается. Напряжение на входе ывх(0 — 0. Учитывая допущение о бесконечно малом выходном сопротивлении ГИ, можно считать, что при />т входные клеммы разделительной цепи замкнуты накоротко через ГИ. Левая, положительно заряженная обкладка конденсатора С будет связана с корпусом. Напряжение на правой, отрицательно заряженной обкладке создает выходной сигнал. Так как напряжение

Изменением сеточного напряжения даже при переходе к отрицательному его значению влиять на ход разряда не представляется возможным. Это объясняется тем, что с появлением плазмы основного разряда положительно заряженная сетка притягивает к себе из плазмы электроны, а отрицательно заряженная сетка притягивает к себе из

Если в полупроводниковом фоточувствительном слое есть примеси, являющиеся ловушками захвата для неосновных носителей заряда (сенсибилизирующие или очувствляющие примеси), то захват неосновных носителей этими ловушками может существенно (на несколько порядков) увеличить эффективное время жизни неравновесных основных носителей. В этом случае время жизни может значительно превышать время пролета носителей между электродами. Когда один из электронов достигает положительного электрода, другой электрон входит в полупроводниковый слой из отрицательного электрода для сохранения электрической нейтральности объема полупроводника, в котором осталась нескомпенсированная положительно заряженная ловушка захвата. Таким образом, поглощение одного фотона может служить причиной прохождения через фоторезистор многих электронов.

шими соседями — атомами кремния — и становятся отрицательно заряженными ионами. В покинутой связи остается положительно заряженная дырка проводимости, свободно перемещающаяся по связям. Это также меняет соотношение между концентрациями дырок и электронов по сравнению с собственным полупроводником. Дырок становится больше, они чаще рекомбинируют с электронами, уменьшая концентрацию последних. Однако и в акцепторном (р-ти-па), и в донорном (я-типа) полупроводнике, как следует из рассмотрения (1.1) и (1.2),

В момент времени / = т действие входного импульса прекращается. Напряжение на входе uBX(t) = 0. Учитывая допущение о бесконечно малом выходном сопротивлении ГИ, можно считать, что при t > т входные точки разделительной цепи замкнуты накоротко через ГИ. Левая, положительно заряженная обкладка конденсатора С будет связана с корпусом. Напряжение на правой, отрицательно заряженной обкладке, создает выходной сигнал. Так как напряжение на конденсаторе не может скачком изменить свое значение или полярность, то в первый момент времени после окончания входного импульса мвых(0 = — А- Затем из-за разряда конденсатора через резистор R отрицательное напряжение на выходе

VD частицы с зарядом q и массой т осуществлен потенциальный барьер, выполненный в виде трех плоских сеток, расположенных перпендикулярно движению ( 23.2). Крайние сетки заземлены, а на среднюю подан положительный потенциал ерь Сумеет ли преодолеть потенциальный барьер, т. е. пролетит ли насквозь: а) отрицательно заряженная частица (q <С 0); б) положительно заряженная частица (q > 0)? Зависит ли скорость частиц на выходе системы и время их пролета от знака заряда?

ной скорости %> 0; положительно заряженная частица — только при

VD частицы с зарядом q и массой т осуществлен потенциальный барьер, выполненный в виде трех плоских сеток, расположенных перпендикулярно движению ( 23.2). Крайние сетки заземлены, а на среднюю подан положительный потенциал ерь Сумеет ли преодолеть потенциальный барьер, т. е. пролетит ли насквозь: а) отрицательно заряженная частица (q <С 0); б) положительно заряженная частица (q > 0)? Зависит ли скорость частиц на выходе системы и время их пролета от знака заряда?

ной скорости %> 0; положительно заряженная частица — только при

ной связи и т. д. Все происходит так, как будто перемещается положительно заряженная частица, эквивалентная дырке.

тины и притягиваясь к положительно заряженной, буд>т отклоняться, и луч электронов будет перемещаться в вертикальном направлении, поэтому пластины 6 называют вертикально отклоняющими. Аналогично пластины 7, используемые для отклонения луча в горизонтальном направлении, называют горизонтально отклоняющими.

В первом случае атомы легирующей примеси имеют большее число валентных электронов, чем атомы полупроводника. Такую примесь называют донорной. Вследствие введения донорной примеси после образования химических связей примесного атома с окружающими его атомами полупроводника один валентный электрон оказывается «лишним», т. е. не участвует в химических связях. Поэтому достаточно лишь небольшой энергии ED ( 3, б), чтобы «оторвать» от примесного атома и сделать «свободным» этот валентный электрон, т. е. перевести его в зону проводимости. При этом образуется нескомпенсированный положительный заряд, который отличается от положительно заряженной дырки, способной перемещаться по кристаллу, тем, что остается неподвижным в кристаллической решетке. Легирование полупроводника донорной примесью увеличивает концентрацию электронов в зоне проводимости при неизменной концентрации дырок в валентной зоне. При этом электропроводность осуществляется в основном электронами, находящимися в зоне проводимости. Такие полупроводники называют электронными, или полупроводниками п-типа электропроводности.

При анодно-механической обработке для создания разрядов используют быстрое перемещение отрицательно заряженного инструмента относительно положительно заряженной заготовки ( 2.10).

Отклоняющие системы и чувствительность ЭЛТ. В электростатических трубках электронный луч отклоняется пластинами X и Y, расположенными вдоль оси трубки перпендикулярно друг другу. Когда к паре пластин подводится постоянное напряжение, луч под действием поперечного поля отклоняется в сторону положительно заряженной пластины, что приводит к соответствующему перемещению светящегося пятна на экране. При одновременном подведении к обеим парам пластин различных отклоняющих напряжений светящееся пятно прочеркивает результирующую кривую, вид которой определяется соотношением амплитуд, фаз и частот, приложенных к пластинам напряжений.

В связи с тем, что объемный заряд влияет на процесс пробоя газа в неоднородном поле, Uv зависит от полярности электродов (4.23). Так, в случае электродов игла — плоскость и„р выше при отрицательной полярности иглы, чем при положительной. Объёмный заряд в случае отрицательной полярности острия ослабляет электрическое поле по направлению к плоскому электроду и затрудняет тем самым развитие разряда. При обратной полярности электродов (игла положительной полярности) пробой происходит при меньшем напряжении. Это объясняется следующим образом. Ионизация газа при любой полярности на электродах происходит около иглы, т. е. там, где существуют наибольшие значения напряженности электрического поля, и, следовательно, около нее образуется "облако" из положительно заряженных ионов - молекул, с орбит которых ушли электроны. При положительной полярности на игле этот объемный заряд служит продолжением иглы и сокращает протяженность разрядного промежутка. Положительный объемный заряд отталкивается и уходит от положительно заряженной иглы, однако более подвижные электроны, обусловливающие процесс ионизации, все время успевают его восстанавливать, г. е. получается картина "прорастания" положительного

1.60. Электрон с малой скоростью влетает в пространство между пластинами плоскопараллельного заряженного конденсатора, на который в отрицательном направлении оси z параллельно пластинам наложено магнитное поле с индукцией В. Начальная скорость электрона перпендикулярна пластинам. Напряженность электрического поля Е. Найти радиус круга, образующего циклоиду, по которой будет двигаться электрон. Выяснить условия, при которых электрон не достигнет верхней положительно заряженной пластины. На каком расстоянии от места вылета он попадает на отрицательно заряженную пластину в этом случае?

4.16. Почему анодный ток при положительно заряженной сетке и при постоянном анодном напряжении с увеличением сеточного напряжения сначала увеличивается, а потом начинает уменьшаться?

5.6. Иногда наблюдается, что ток, текущий в цепи положительно заряженной сетки, отрицателен. Объясните, в каких случаях это возможно в лампах с высоким вакуумом.

5.15. На 5.2 изображена схема для снятия характеристик пентода при положительно заряженной управляющей сетке. Ползунки потенциометров находятся в среднем положении. Как изменится напряжение управляющей сетки, если увеличить напряжение экранирующей сетки f/C2? Как изменится напряжение экранирующей сетки Ucz, если уменьшать анодное напряжение t/a?

где г\ — расстояние от выбранной точки поля до положительно заряженной оси;

тенциальных поверхностей с плоскостью хоу — окружности, удовлетворяющие равенству гг/Г1 = const =k. Обозначим координаты произвольной точки М, через которую проходит эквипотенциальная линия х и у. Расстояние от точки М до положительно заряженной оси равно ( 8-18):