Параметры технологического

На 3.50 изображена р-п-р-п структура, отличительной особенностью которой является выведение базового р2-слоя к металлическому контакту. В результате эмиттерный переход ПЗ шунтируется. Для прямого анодного напряжения переходы П1 и ПЗ оказываются под прямым, а переход П2 — под обратным напряжением; при этом переход ПЗ при малых токах через структуру практически не инжектирует электроны в базовую р2-область. Прямое напряжение на переходе ПЗ определяется падением напряжения на радиальном сопротивлении р2-базы. Если это падение напряжения U^ >U0 — напряжения отсечки В АХ р-п перехода ПЗ, то работает трехслойная ргпгр2 структуры; при Ub>Ua имеем обычную тиристорную pi-ni-p2-«2 структуру. Изменяя параметры структуры, протяженность эмиттерной области /,, и базовой области /р, выходящей к контакту, а также ширину и удельное сопротивление р-базы, иначе говоря, меняя радиальное сопротивление этой области, можно регулировать ток включения структуры с зашунтированным эмиттером. На основе рассмотренной элементарной структуры разработаны сим-

Подставляя типичные для маломощных (интегральных) МДП-транзисторов параметры структуры N = = 10-'в см-3, (/си =16 В, /с =1 мА, L=10 мкм, получаем гс=200 кОм.

случае с учетом неравномерной плотности тока форму эллипсоида вращения. Предельным считается режим, когда максимальная температура объема Tvmax достигает предельного значения Taf; теплофизические параметры структуры считаем постоянными.

Температурный коэффициент прямого напряжения кок-такта металл — полупроводник отрицателен. В сильноточных выпрямительных диодах с повышением температуры сопротивление базы увеличивается, и из-за этого явления температурный коэффициент прямого напряжения диода положителен. Материал и параметры структуры гетероперехода, у которого температурный коэффициент прямого напряжения отрицателен, подбирают так, что до 200 °С получается термокомпенсация прямого напряжения диода. Параметры и ВАХ диода с гетеропереходом остаются стабильными в более широких пределах изменения темпера-

На 4.9 приведена зависимость р(/э) для эпитакси-ально-планарного транзистора, параметры структуры которого даны в приложении. На участке / в области малых токов значение р мало вследствие сильного влияния рекомбинации в эмиттерном переходе. Возрастание р на этом участке связано с уменьшением

Важнейшие геометрические размеры структуры ( 5.1): длина L и ширина Ъ канала и толщина подзатворного диэлектрика dK. Основные электрофизические параметры структуры, определяющие характеристики и параметры транзистора: концентрация примесей в подложке Nn, доза легирования слоя 6 NJ,, диэлектрическая проницаемость подзатворного диэлектрика е0ед, плотность поверхностного заряда QHOB и подвижность электронов в канале (д,п. Дозой легирования называют число атомов примесей, введенных через единицу поверхности (1/см2).

На подложке / р-типа создается зпитаксиальный слои 2 n-типа ( 5.21). Методом диффузии формируются области затвора 4 р^-типа, истока 3 и стока 5 п+-тина, к которым создаются выводы. Каналом является слой п-типа 6, заключенный между областью затвора 4 и подложкой. Области 4 и 6 образуют управляющий р-п-переход. При работе транзистора он должен быть включен в обратном направлении, что соответствует отрицательным напряжениям ?/зи- На сток относительно истока подается положительное напряжение: p-n-переход между эпитаксиальным слоем 2 «-типа (частью которого является канал 6) и подложкой должен быть также смещен в обратном направлении, поэтому к подложке относительно истока должно быть приложено отрицательное напряжение. С помощью напряжения на подложке можно изменять параметры транзистора. Иногда подложка используется как второй затвор. В некоторых транзисторах подложка не имеет отдельного вывода и соединяется с затвором. Важнейшие параметры структуры—длина канала L, равная длине затвора, технологическая толщина канала d0, равная расстоянию между металлургическими границами двух р-гс-переходов, и ширина — размер в направлении, перпендикулярном чертежу.

и производят расчет усилительных (путем решения уравнения непрерывности) и частотных (путем решения уравнения плотностей токов) свойств транзистора. Одновременно определяют и другие физические параметры структуры. После этого рассчитывают геометрию транзистора, диффузионных резисторов и конденсаторов. Для интегральных микросхем на МДП-транзисторах выбор физической структуры сводится IK выбору удельного сопротивления подложки, толщины окисла под затвором и параметров диф-

— технологические (параметры структуры, минимально допустимые расстояния между элементами и точности получения заданной геометрии);

На 3.1 представлена расчетная [2] спектральная зависимость коэффициента собирания кремниевого СЭ (7) и показан вклад в фотоответ различных частей структуры: фронтального слоя (2), области объемного заряда (3) и базовой области (4). Параметры структуры, использованные при расчете: удельное сопротивление базовой области р-типа р = 1 Ом-см, скорость поверхностной рекомби-

Повысить коэффициент G0 можно также увеличением произведения a-Nd- При этом необходимо обратить внимание на то, что напряжение VP определяется произведением Nd-a2. Для того чтобы напряжение Ур поддерживать на уровне расчетной величины и одновременно повысить G0, следует уменьшать величину а и повышать концентрацию Na- Однако увеличение Na приводит к понижению напряжения пробоя обратносмещенного контакта Шоттки. Быстродействующие интегральные схемы на GaAs, изготовленные по современной технологии, имеют следующие основные параметры структуры: длина канала — 1 мкм, толщина активного слоя — 0,1 мкм, концентрация примеси — 5-1017см-3.

всегда возможно в силу сложности ММ. Кроме того, с течением времени изменяются параметры технологического оборудования, исходного сырья, внешних условий и т. п. Эти изменения зачастую случайны. Указанные и другие подобные обстоятельства приводят к так называемой априорной недостаточности, т. е. к недостатку или изменчивости сведений об условиях функционирования объекта управления и управляющих устройств.

где at(t), b,-(t) —коэффициенты, определяющие параметры технологического объекта и системы управления; x(t), y(t) — входная и выходная переменные соответственно,

Во многих классах технологических задач показатель качества изделия при определенных граничных условиях можно выразить через параметры технологического процесса или, как говорят, через параметры управления.

1.5. Параметры технологического процесса ............ 15

1.5. ПАРАМЕТРЫ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА

сбор и обработка информации от многочисленных датчиков, измеряющих параметры технологического процесса;

обор и обработка информации от многочисленных датчиков, измеряющих параметры технологического процесса;

В табл. 6 приведены основные параметры технологического процесса фосфатирования с исЕ1ользован.;ем фосфатирующих концентратов.

— в цинк фосф т ом растворе — Концентр чы для ф сф тировг.ння сталей 2.51, 52— Корректировка раствора 2.БС, 51 — Особенности процесса 2.51 — Параметры технологического процесса фосфатнрования 2.51, 53 — Совтавлепие раствора 2.50, 31 —Со-етав (I оофатных пленок 2.52 — Составы раотооров 2.50 — оксидное — Оптимальные параметры процесса 2.84— Составы растворов 2.64. Фосфатирбваиие химическое алюминия и его сплавов 2.56

В табл. 6 приведены основные параметры технологического процесса фоефатирования е исЕЮльзован.;ем фосфатирующих концентратов.

— в цинк фосф 1 ом растворе — Концентр ты для ф сф тироВг.ння сталсп 2.51, 52— Корректировка раствора 2.БС, 51 — Особенности процесса 2.51 — Параметры технологического процесса фосфатирования 2.51, 53 — Совтавлепие раствора 2.50, 31 —Со-етав (I оифатных пленом 2.62 — Составы раотооров 2.50 — оксидное — Оптц-Мальные параметры процесса 2.84— Составы растворов 2.64. Фоофатироваиие химическое алюминия и его сплавов 2.56