Положительного сопротивления

Под действием положительного потенциала фокусирующего анода 4 и ускоряющего анода 5 испускаемые катодом электроны формируются в узкий пучок — луч и ускоряют свое движение к экрану 8. Экран — дно стеклянной колбы, покрытое люминофором, способен излучать свечение при бомбардировке электронами и сохранять его некоторое время (от 0,05 до 30 с) после прекращения луча электронов в зависимости от состава люминофора.

Напряжение, при котором тиристор открывается, может быть сильно снижено подачей положительного потенциала

пульсы длительностью около 280 мс. Рассмотрим процесс преобра^ зования. В исходном состоянии транзистор Т1 открыт, но в режим насыщения не входит, так как его базовый потенциал фиксируется диодом Д1. При появлении на инверсном выходе триггера положительного потенциала конденсатор С1 заряжается до напряжения + 3 В по следующей цепи; верхняя обкладка конденсатора С1, резистор R1, выход триггера, источник питания +3 В, «земля», диод

Наличие положительного потенциала на сетке €2 уменьшает проникновение поля анода в промежуток сетка С,—катод, в результате уменьшаются проходная емкость и проницаемость сетки С j и увеличивается коэффициент усиления. С другой стороны, наличие положительного потенциала на сетке 0.^ приводит к перераспределению тока между анодом и сеткой О.^ — динатронно-му эффекту.

Операция ИЛИ может быть реализована на диодных элементах ( 10.4, а) . Действительно, для положительной логики при подаче положительного потенциала хотя бы на один вход (например, L/BX ) отпирается диод VI и

В исходном состоянии оба транзистора заперты смещением на базы от источника ЕС,. Поскольку эмиттермый повторитель не усиливает и не ин-вертирует напряжение входного сигнала, при подаче на любой -08ыход из входов положительного потенциала (логической «1») соответствующий транзистор открывается и на выходе получается положительный потенциал (логическая «1») того же уровня.

чения конденсаторов обычно используют слой SiO2 толщиной 0,05— 0,1 мкм. При этом удельная емкость составляет 640—320 пф/мм2, а напряжение пробоя равно 20—40 В. Таким образом, емкость МОП-конденсатора в несколько раз больше емкости диффузионного конденсатора. Нижнюю обкладку обычно изолируют от остальной части схемы так же, как у диффузионных конденсаторов, т. е. подачей на нее положительного потенциала по отношению к кристаллу. Из-за этого МОП-конденсаторы обладают значительной паразитной емкостью. Если конденсаторы используют в качестве шунтирующих, то эта емкость оказывается включенной параллельно основной и увеличивает ее.

Считается, что кислород в оксиде диффундирует в виде отрицательно заряженных ионов О~ (или OJ). Этим объясняется заметное увеличение скорости роста оксида при возрастании положительного потенциала на подложке ( 8.10). Оценка напряженности электрического поля в SiO2 дает значение ~4-106 В/см в плазме низкой плотности. Таким образом, в ускорении массопереноса существенную роль играет также дрейф кислородных ионов в защитной пленке.

Изменение величины постоянного напряжения [7С- с помощью делителя перемещает точку встречи — пересечения линии ?/с- с характеристикой управления, т. е. отодвигает или приближает момент зажигания дуги, определяемой углом а (угол запаздывания зажигания или угол зажигания). Отсчет угла зажигания а начинаем с момента появления на аноде положительного потенциала по отношению к катоду, что соответствует (—%-) для однофазной схемы и (-----—) для мно-

С включением напряжений Ек и Ее ток проводит только один из транзисторов, другой будет закрыт по базе работающим транзистором, с коллектора которого снимается потенциал насыщенного транзистора ?/„„, близкий к нулю. Поскольку схема симметрична, то находиться в состоянии «открыто» (насыщение) может любой из транзисторов с равной вероятностью. Для определенности допустим, что транзистор VT1 открыт, a VT2 закрыт. Потенциалы относительно «земли» на коллекторе, базе и эмиттере примерно одинаковы и равны нулю: UK— U6\--- U3\ =0. Транзистор VT2 закрыт отрицательным потенциалом t/f,2. Через цепь база-эмиттер транзистора VT2 под действием запирающего напряжения Е& проходит ТОК /62=—/ксь гАе ^ко — обратный ток коллекторного перехода. Открытое состояние транзистора VT2 поддерживается током /ei = = EK/RZ. Такое состояние может быть сколь угодно долго.-С поступлением на базу транзистора VT1 запирающего импульса отрицательной полярности и амплитудой примерно равной или большей + ?к транзистор VT1 начинает закрываться, при этом запирающий потенциал на базе транзистора VT2 уменьшается из-за появления положительного потенциала на коллекторе транзистора VT1. Транзистор VT2 начинает открываться, и на его коллекторе потенциал понижается. Это понижение передается через цепь обратной связи R2 на базу транзистора VT1, который еще больше начинает закрываться И т. д. Развивается лавинный процесс. В результате транзистор VT1 полностью закрывается, а транзистор VT2 открывается. Устанавливается новое устойчивое состояние. Исходное состояние триггера наступит с приходом открывающего (положительного) импульса на базу транзистора У Т]. Перевод триггера из одного состояния в другое (запуск триггера) разнополярными импульсами запуска Ua можно осуществлять по одной из баз или по одному из коллекторов. Такой запуск называется раздельным. Существует также счетный запуск — это когда однополярные импульсы подаются сразу на два электрода: на два коллектора либо две базы. Счетный запуск применяется в триггерных счетчиках импульсов (см. гл. 13).

1 Напряжение, при котоэом тиристор открывается, можот быть сильно снижено подачей положительного потенциала на угравляю-щий электрод, прилегающий к среднему р-л-переходу.

т. е. обратно сопротивлению нагрузки, поэтому гиратор часто называют инвертором положительного сопротивления. Свойство

где k{=D/A, т. е. четырехполюсник преобразует (конвертирует) сопротивление ZH в сопротивление ZH/k. Коэффициент k\ называют коэффициентом конвертирования. Если Лий имеют одинаковые знаки, то Z]!X имеет тот же знак, что и ZH (конвертор положительного сопротивления), если разные, то знак ZBX противоположен знаку ZH (конвертор отрицательного сопротивления).

Если В и С имеют одинаковые знаки, то ZBX=1/ZH (инвертор положительного сопротивления), если знаки у В и С разные, то ZBX=— 1/ZH (инвертор отрицательного сопротивления).

§4.13. Гиратор. Гиратором называют инвертор положительного сопротивления, имеющий следующую У-матрицу:

Если А и D имеют одинаковые знаки, то ZBX имеет тот же знак, что и Z(I (конвертор положительного сопротивления), если разные, то знак ZBX противоположен знаку ZH (конвертор отрицательного сопротивления).

Если В к С имеют одинаковые знаки, то ZBXsl/ZH (инвертор положительного сопротивления), если знаки у В и С разные, то ZBX = — 1/ZH (инвертор отрицательного сопротивления).

Типовая вольтамперная характеристика диод-тиристора приведена на 7.31, а. Она может быть разбита на следующие основные области: 7 — область малого положительного сопротивления, соответствующая открытому состоянию прибора; II — область высокого отрицательного сопротивления; III — область обратимого пробоя среднего р-п перехода; IV — непроводящее состояние (средний р-п переход заперт внешним источником напряжения); V —• область высокого сопротивления; VI —• область лавинного необратимого пробоя.

Схема генератора на туннельном диоде приведена на 3.11 а. В этой схеме туннельный триод ТД включается последовательно с нагрузкой и источником постоянного напряжения Е. Для возникновения колебаний в этой схеме необходимо выполнить два условия. Первое условие состоит в том, чтобы напряжение источника Е обеспечивало нахождение рабочей точки ТД на участке отрицательного сопротивления (падающем участке). Второе условие заключается в том, чтобы отрицательное сопротивление ТД было больше положительного сопротивления нагрузки RH (т. е. l/G>RH).

Из определения конвертора сопротивления следует, что входное сопротивление четырехполюсника с нагрузкой RH может быть как положительным, так и отрицательным. При этом конвертор положительного сопротивления изменяет только значение сопротивления двухполюсника нагрузки, а конвертор отрицательного сопротивления изменяет не только значение, но и знак.

Если Ки>1, то рассмотренная схема является конвертором отрицательного сопротивления, если же Ки < 1 , то схема становится конвертором положительного сопротивления. При резистивной нагрузке конвертора ZH=RH входное сопротивление будет положительным при К„<1 и отрицательным при Ки>1.

Схема, приведенная на 21.3 а, соответствует инвертору (гиратору) положительного сопротивления. Если же поменять направление только одного из управляемых источников напряжения, то изменится знак у одного из напряжений в уравнениях (21.6) и сопротивление