Положительное приращение

Электровакуумные индикаторы содержат последовательно расположенные один за другим катод, управляющую сетку и несколько анодов ( 11.6, а). Аноды размещаются в одной плоскости и выполняются в виде совокупности знакосинтезирующих элементов, покрытых люминофором и имеющих отдельные выводы. При положительном относительно катода потенциале управляющей сетки электроны попадают на те элементы анода, к которым приложено положительное относительно катода напряжение ( 11.6, б), вызывая свечение люминофора.

Рассмотрим работу транзистора типа р-п-р в так называемой схеме с общей базой. При отсутствии внешних напряжений токи через р-п переходы отсутствуют. Если на эмиттер подать напряжение, положительное относительно базы, а на коллектор — отрицательное относительно базы ( 5-8), то потенциальный барьер в эмиттер-ном р-я-переходе уменьшится на величину приложенного напряжения, а в коллекторном переходе — увеличится (так же как и в полупроводниковых диодах — § 1-3).

Электровакуумные индикаторы содержат последовательно расположенные один за другим катод, управляющую сетку и несколько анодов ( 11.6, а). Аноды размещаются в одной плоскости и выполняются в виде совокупности знакосинтезирующих элементов, покрытых люминофором и имеющих отдельные выводы. При положительном относительно катода потенциале управляющей сетки электроны попадают на те элементы анода, к которым приложено положительное относительно катода напряжение ( 11.6, б), вызывая свечение люминофора.

Электровакуумные индикаторы содержат последовательно расположенные один за другим катод, управляющую сетку и несколько анодов ( 11.6, а). Аноды размещаются в одной плоскости и выполняются в виде совокупности знакосинтезирующих элементов, покрытых люминофором и имеющих отдельные выводы. При положительном относительно катода потенциале управляющей сетки электроны попадают на те элементы анода, к которым приложено положительное относительно катода напряжение ( 11.6, б), вызывая свечение люминофора.

где Ла и 5а— конструктивные постоянные; W — работа выхода; Ей — напряженность электрического поля у поверхности катода. Разновидность холодного катода — туннельный катод. Конструктивно туннельные катоды выполняют в виде основания— металлической пластинки (обычно из тантала), покрытой тонким слоем (30—40 А) изолятора (обычно это слой оксида металла катода, в данном случае — тантала). Поверх слоя изолятора наносится эмиттер — тончайший слой металла (10—20 А), на который подается положительное относительно нижней металлической пластинки напряжение 10—20 В. Из-за малости межэлектродных расстояний между эмиттером и основанием действует электрическое поле напряженностью 107—108 В/см, которое захватывает электроны проводимости, находящиеся в нижней металлической пластинке, ускоряет их и придает энергию, необходимую для преодоления слоя изолятора и «прострела» тонкого

На элементы анода и управляющую сетку подают одинаковое положительное относительно катода напряжение в пределах 20—30 В, а на нить накала катода — от 0,85 до 5 В. Раскаленный катод эмитирует электроны, которые под действием электрического поля управляющий сетки двигаются по направлению к ней. Поток электронов по инерции пролетает сквозь редкую сетку, попадает в поле притяжения анода и продолжает двигаться к тем элементам анода, на которые подано напряжение. Ударяясь о поверхность анода электроны вызывают свечение люминофора.

В режиме хранения на шине X' устанавливается напряжение t/x'xp, положительное относительно общей шины микросхемы. Разность L/X- — Ux- з= t/й.п играет роль напряжения питания элемента памяти. В одном устойчивом состоянии транзистор VT1 открыт и насыщен, а транзистор VT2 закрыт, т. е. (/Кэ1 ~ ^кэ на, » sw 0,1 В, ?/кэ2 « tAi.n- В другом устойчивом состоянии наоборот: транзистор VT1 закрыт, а транзистор VT2 насыщен, т. е. i/K.->i -- L/и.п, ?/кэ2 = Икэ нас- На базы управляющих транзисторов VT3, VT4 подают одинаковые напряжения (/Б. На шинах столбцов также устанавливаются одинаковые напряжения UY = U Б — иБЭ, где U БЭ — прямое напряжение на эмиттерных переходах транзисторов VT3, VT4. Напряжение Оъ выбирают исходя из условия UY ~ = t/x-xp + 0,2...0,3 В. При этом в управляющих эмиттерах Э12, Э22 токи практически отсутствуют.

Рассмотрим работу транзистора типа р-п-р в так называемой схеме с общей базой. При отсутствии внешних напряжений токи через /7-п-переходы отсутствуют. Если на эмиттер подать напряжение, положительное относительно базы, а на коллектор — отрицательное относительно базы ( 5-8), то потенциальный барьер в эмиттерном р-п.-переходе уменьшится на величину приложенного напряжения, а в коллекторном переходе — увеличится (так же как ив полупроводниковых диодах —§1-3). .;..:.

Для улучшения качества наносимой пленки используется вспомогательный электрод, на которвтй может подаваться положительное (относительно анода) напряжение до 300 В.

Возникновение положительного заряда ионов можно объяснить следующим образом. Ионизирующее излучение вызывает образование электронно-дырочных пар в слое диэлектрика. Если к затвору приложено положительное относительно подложки напряжение, то в первую очередь из-за большой подвижности электроны будут перемещаться полем к затвору. Дырки захватываются дырочными ловушками или рекомбинируют с электронами до выхода из оксида. В результате в диэлектрике SiO2 формируется избыточный положительный заряд. Образующийся заряд Q при фиксированном потенциале затвора уменьшает напряженность поля в оксиде, что приводит к насыщению заряда Q при росте D. Объемный заряд расположен внутри оксида на расстоянии нескольких десятков нанометров от границы раздела кремний — диэлектрик. Значение объемного заряда определяется не только поглощенной дозой облучения, но и значением и полярностью напряжения на затворе в процессе облучения. Наблюдаемая при этом линейная зависимость наведенного заряда от t/зи связана с тем, что все приложенное к затвору напряжение падает на слое объемного заряда, создающегося в оксиде во время облучения, а не на всем слое оксида.

Принцип действия хемотронной ячейки памяти иллюстрирует 10.16. В герметичном пластмассовом корпусе расположены два пластинчатых электрода 1 из золота или платины. Электроды с внутренней стороны изолированы эпоксидным покрытием 2, за исключением узкого зазора 3, ширина которого не должна превышать 0,1 мм. На противоположной стенке ячейки напротив зазора расположен медный электрод 4. Расстояние между этим электродом и пластинчатыми электродами 1 составляет примерно Оу5мм. Сопротивление между электродами 1 зависит от наличия раствора электролита в зазоре 3. Если зазор заполнен раствором, то это сопротивление велико. При подаче на электроды / напряжения, отрицательного относительно электрода 4, последний начинает растворяться, и в зазоре 3 происходит отложение меди. Через некоторое время (время записи) зазор между электродами 1 будет замкнут осажденной медью и сопротивление между ними резко снизится-из-за высокой проводимости -меди. Если же на электроды / подать напряжение, положительное относительно электрода 4, то осажденная в зазоре медь растворяется и ячейка возвращается в прежнее состояние, характеризуемое высоким сопротивлением между электродами /. Таким образом, ячейка имеет два устойчивых состояния, позволяющих записывать информацию в двоичном коде.

вершенно иной оказывается картина, если предположить, что работа машины характеризуется точкой В, где формально М = Мпр. Здесь положительное приращение угла 0 сопровождается снижением вращающего момента. Поэтому случайное отклонение от предполагаемого режима в точке В вызовет неуклонный рост угла 0. Полюсы ротора отрываются от полюсов поля статора, синхронное вращение полей статора и ротора нарушается и, как говорят, машина выпадает из синхронизма.

В установившемся режиме при некоторой частоте вращения динамический момент равен нулю. Работа агрегата при этой частоте вращения устойчива, если ее понижению соответствует положительное приращение динамического момента, а повышению — отрицательное приращение динамического момента. Под действием динамического момента частота вращения агрегата будет в первом случае повышаться, а во втором — понижаться до тех пор, пока не достигнет значения, при котором момент двигателя станет равным моменту сопротивления.

Свойство говорит, что для всякой положительной S-й вершины введение t-u вершины, дающей также положительное приращение функции Э, суммарный эффект меньше, чем раздельный суммарный, что вызвано взаимовлиянием вершин.

За счет действия t/Bxl транзистор VTt приоткрывается и ток его эмиттера получает положительное приращение А/э1, а за счет действия [/Вх2 транзистор VT2 призакрывается и ток его эмиттера получает отрицательное приращение — А/э2. В результате приращение тока в цепк резистора R3 будет Л/Яэ = = А/э1 — Д/э2. Если общие плечи ДУ идеально симметричны, то Д/Яэ=0 и, следовательно, ООС для дифференциального сигнала отсутствует. Это обстоятельство позволяет получать от каждого каскада ОЭ в рассматриваемом усилителе, а следовательно, и от всего ДУ большое усиление. Так как для дифференциального входного сигнала в любой момент времени напряжения на коллекторах транзисторов VT1 и VT2 будут находиться в противофазе, то на нагрузке происходит выделение удвоенного выходного сигнала. Итак, резистор R3 образует ООС только для синфазного сигнала.

При поступлении на общий вход схемы в момент времени t\ импульса отрицательной полярности малой длительности состояние запертого транзистора 7*2 не изменится, однако транзистор Т\ выйдет из состояния насыщения (рабочая точка транзистора переходит из области насыщения на границу с активной областью) и восстановятся его усилительные свойства. При этом коллекторный ток /К уменьшается, а напряжение на коллекторе повышается. Положительное приращение коллекторного напряжения через резистор R передается на базу транзистора 7*2. Когда это приращение напряжения компенсирует напряжение смещения на базе транзистора 7*2, последний выходит из запертого состояния и его усилительные свойства восстанавливаются. С этого момента, когда выполняются условия самовозбуждения (5.4) и (5.5), начинается процесс опрокидывания триггера.

состоянии транзистор Т\ заперт, а транзистор T-i открыт и находится в состоянии насыщения, так как через резистор R3 проходит достаточно большой базовый ток /62. За счет эмиттерного тока транзистора Г2 на общем резисторе R3 создается падение напряжения U3 = l3iR, с указанной на рисунке полярностью, а за счет источника питания ?к на нижнем плече делителя R\R2 — падение напряжения UR2. При выполнении условия t/3> >\URi\ на базу транзистора Т\ подается положительное напряжение t/6i, запирающее его. Конденсатор С при этом оказывается заряженным до напряжения ис = = Ек — U3. При подаче на вход одновибратора в момент времени /, (см. 6.26, б) запускающего отрицательного импульса с амплитудой, превышающей напряжение на базе ( (Увх > U6\ \), транзистор Г, начинает открываться и напряжение на его коллекторе увеличивается. Положительное приращение напряжения передается через конденсатор С на базу транзистора Г2, запирая его. Уменьшение падения напряжения на резисторе R3 способствует дальнейшему отпиранию транзистора Т\, и процесс нарастает лавинообразно, заканчиваясь полным запиранием транзистора 7*2 и насыщением транзистора Т\.

Микропроцессор, в свою очередь, состоит из трех основных функциональных узлов: арифметическо-логического устройства (АЛУ), устройства управления и нескольких регистров (служащих для кратковременного запоминания цифровых кодов). АЛУ выполняет операции: сложение, вычитание, сравнение двух двоичных чисел, ИЛИ; И; исключающее ИЛИ; НЕ; сдвиг вправо; сдвиг влево; приращение положительное; приращение отрицательное и т. д., выполняемых над многоразрядными двоичными числами. Как правило, АЛУ построено только на логических элементах и не имеет собственной памяти. Поэтому на каждом из его двух входов устанавливаются буферные запоминающие регистры. Подлежащие обработке данные, хранящиеся в памяти, предварительно записываются в главный регистр микропроцессора, называемый аккумулятором. В аккумулятор также записывается и результат операции, выполненной АЛУ, т. е. аккумулятор оказывается как бы включенным одновременно к одному из входов АЛУ (через буферный регистр) и непосредственно к его

щей среды, так как одинаковое изменение напряжений в коллекторах не вызовет разности напряжений между ними. Такая схема нечувствительна к изменению питающего напряжения в весьма широких пределах и имеет в базовой цепи сопротивления минимальной величины, а в эмиттере — максимально возможное. Исследуем при этих условиях работу каскада. Предположим, что на вход первому транзистору дали положительное приращение входного сигнала:

АЛУ определяются архитектурой процессорного модуля и микропроцессорной системы в целом. Типичными операциями, выполняемыми АЛУ большинства микропроцессорных систем, являются: СЛОЖЕНИЕ, ВЫЧИТАНИЕ, И, ИЛИ, ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ, ИНВЕРСИЯ, СДВИГ ВПРАВО, СДВИГ ВЛЕВО, ПРИРАЩЕНИЕ ПОЛОЖИТЕЛЬНОЕ, ПРИРАЩЕНИЕ ОТРИЦАТЕЛЬНОЕ.

тельном направлении от точки А к точке В происходит увеличение угла а от а.А до ав > ад. При перемещении от точки В к точке А происходит уменьшение угла а от ав до а.А. Причем каждому элементу 12 на участке поверхности АВ, на котором происходит положительное приращение угла Ла12, соответствует элемент Г2' на участке поверхности В А, на котором происходит отрицательное приращение угла Aa(2 = — AaJ2. Поэтому при обходе поверхности 5 полная сумма приращений углов

Действительно, если в результате указанных неизбежных колебаний режима работы ротор генератора получит некоторое ускорение и угол 6 возрастет на некоторую малую величину А 9, то в точке 1 этому изменению угла соответствует положительное приращение мощности генератора АР, а турбина сохранит при этом свою мощность. Генератор будет отдавать в сеть большую мощность, чем получает от турбины, поэтому ротор будет затормаживаться, угол Э уменьшится, и генератор снова вернется к режиму работы, соответствующему точке /. Наоборот, в точке 2 положительному приращению Л 6 соответствует отрицательное приращение мощности — АР, угол 6 будет возрастать еще больше, и генератор выпадет из синхронизма.