Положительным свойством

Логические элементы на транзисторах используют схемы транзисторных ключей, которые могут находиться в одном из двух состояний. Одно состояние соответствует работе транзистора в режиме насыщения, в другом состоянии ключа транзистор закрыт. Используются также эмиттерные повторители, инверторы и схемы с непосредственными связями. На 11.9 приведен один из транзисторных вариантов логической схемы И. В ней, как и в других транзисторных логических схемах, транзисторы работают в ключевом режиме. При отсутствии сигналов на входах оба транзистора заперты положительным смещением на базы от источника Е6. Выходной сигнал (отрицательный импульс) появляется на выходе (эмиттерном резисторе R3) только в случае, когда на оба входа одновременно подаются отрицательные отпирающие импульсы. Конденсаторы Свх во входных цепях уменьшают длительность фронта выходного импульса. В такой схеме можно включать до пяти транзисторов, т. е. иметь до пяти входов.

повторителях). В исходном состоянии оба транзистора заперты положительным смещением на базы от источника Е6. Поскольку эмиттерный повторитель не усиливает напряжения и не поворачивает фазы входного сигнала, при подаче на любой из входов отрицательного отпирающего импульса на выходе получается также отрицательный импульс той же амплитуды.

Логическую схему НЕ обычно строят на основе инвертирующих усилителей ( 11.11). В транзисторном варианте при отсутствии входного сигнала транзистор заперт положительным смещением на базу от источника ?6. При подаче на вход схемы отрицательного импульса транзистор открывается и на Выходе появляется положительный импульс. Схема работает как обычный транзисторный ключ.

В исходном состоянии транзистор Т закрыт положительным смещением, создаваемым ИСТОЧНИКОМ t/flo.

В исходном состоянии транзистор закрыт положительным смещением базы (/во-

В исходном состоянии транзистор Т2 закрыт положительным смещением на базе от источника Ев; транзистор Т1 находится в режиме глубокого насыщения: базовый и эмиттерный токи задаются резистором R, подключенным к источнику питания, а в коллекторную цепь включен закрытый транзистор Т2.

171. Схемы катодных повторителей с большим сопротивлением RK и положительным смещением (а), с малым смещением (б)

п-р-п- и р-п-р-проводммостм, показанным в структуре ячейки. Соединение данных транзисторов соответствует четырехслойной р-п-р-п-структуре тиристора ( 2.66). При подаче отрицательного напряжения во входную цепь управляющих транзисторов происходит включение р-канального транзистора. Так как отсутствует эффективная шун-тировка эмиттерного перехода верхнего транзистора, в р-л-р-п-струк-туре развивается регенеративный процесс, приводящий к полному отпиранию структуры МСТ. Реализация режима высокого уровня инжек-ции в обеих базах обеспечивает возможность переключения тока повышенной плотности (около 10000 А/см2). Открытое состояние структуры МСТ будет сохраняться до тех пор, пока либо не изменится направление анодного тока, либо не произойдет включение запирающего п-ка-нального МДП-транзистора. Его включение обеспечивается положительным смещением во входной управляющей цепи. Чем аыше это напряжение, тем большую амплитуду анодного тока может выключить управляющий транзистор, осуществляя закорачивание эмиттерного перехода верхнего р-л-р-транзистора. Чтобы обеспечить надежное выключение МСТ, требуется решить целый комплекс конструкторско-тех-нологических задач. Запирающий МДП-транзистор должен выдерживать полную амплитуду анодного тока тиристора, пусть даже в кратковременном режиме. Это возможно только при условии одновременного выключения всех элементарных ячеек структуры тиристора. Поэтому увеличение числа однородных структурообразующих ячеек на заданной площади кристалла — одна из главных проблем Равномерному выключению структуры способствует также оптимизация геометрических

Областью безопасных режимов называется совокупность электрических характеристик, при соблюдении которых обеспечивается надежная работа полупроводникового ключа без существенного ухудшения его характеристик и параметров. Границы ОБР определяются предельными значениями выходного тока, напряжения, а также максимальной рассеиваемой мощностью и допустимой температурой перехода. Безопасная работа ключевых полупроводниковых приборов определяется также режимом эксплуатации. С этой позиции различают прямосмещенную ОБР (ПОБР) (FBSOA — Forward Bias SOA), т.е. в режиме эксплуатации с положительным смещением во входной цепи ключа, обратную ОБР (ООБР) (RBSOA — Reverse Bias SOA) с отрицательным входным смещением, а также ОБР в режиме токовой перегрузки (SCSOA — Short Circuit SOA)

Методы выключения запираемых по электроду управления тиристоров: отрицательным током (а) и положительным смещением (б)

Примечание. Допускается применение диодов в режиме с внешним положительным смещением, не превышающим 0,5 В.

Положительным свойством интегральных ПЗУ является то, что некоторые типы этих устройств позволяют самому потребителю производить их программирование (занесение информации) в условиях эксплуатации и даже многократное перепрограммирование.

Целесообразные сочетания UP и /р при всех видах КЗ в одной точке. Рассмотренные выше два сочетания охватывают все виды КЗ в одной точке. Для всех многофазных КЗ при этом предпочитают использовать первую схему, включаемую на междуфазные величины. Ее положительным свойством является исключение влияния взаимоиндукций между цепями линий, а при /С(1>1) — исключение (в противоположность второй схеме) вредного влияния основной слагающей Rn на землю (Rn,3 в гл. 1), не входящей в междуфазные петли КЗ.

Неизолированные проводники печатной обмотки хорошо охлаждаются. Поэтому оказывается возможным в 5—10 раз и более повысить плотность тока. Для уменьшения лобовых частей обмотки двигатели выполняются многополюсными (обычно 2р=6~8). Размеры диска ограничивают число активных проводников, которое получается небольшим. Для увеличения напряжения в печатных якорях применяется простая волновая обмотка. Ее положительным свойством является нечувствительность к магнитной несимметрии, которая может иметь место в двигателях с дисковым якорем.

Основным положительным свойством приборов термоэлектрической системы является возможность измерения с их помощью переменных токов высокой частоты, в частности тока в пределах 10"3 — 50 А частотой до 5 МГц, а также напряжения в пределах 0,1 —1000 В частотой от 20 Гц до 3 МГц, Наивысший класс точности этих приборов 1,0.

п = пмакс. Легкость регулировки числа оборотов является важным положительным свойством коллекторных двигателей.

Основным положительным свойством приборов термоэлектрической системы является возможность измерения с их помощью переменных токов высокой частоты, в частности тока в пределах 10"3 -50 А частотой до 5 МГц, а также напряжения в пределах 0,1 -1000 В частотой от 20 Гц до 3 МГц. Наивысший класс точности этих приборов 1,0.

Положительным свойством схемы 29.7 а является совмещение функций преобразования напряжения и стабилизации выходного напряжения ?/„. Это позволяет упростить схему УУ, так как уменьшается число управляемых ключей. Кроме того, наличие паузы позволяет устранить сквозные токи в ключах инвертора.

Целесообразные сочетания ?/р и /р при всех видах КЗ в одной точке. Рассмотренные выше два сочетания охватывают все виды КЗ в одной точке. Для всех многофазных КЗ при этом претпочитают использовать первою схему, включаемую на междуфазные величины. Ее положительным свойством является исключение влияния взаимоиндукций между цепями линий, а при К{1])— исключение (в противоположность второй схеме) вредного влияния основной слагающей Ru на землю (Rn г в гл. 1), не входящей в междуфазные петли КЗ.

Регулировочный диапазон гидравлических электрических станций практически близок к их установленной мощности. Поэтому мощность гидростанций, используемых для регулирования частоты, может быть значительно меньше мощности тепловых станций в условиях одной и той же системы. Положительным свойством гидростанций, ведущих частоту, является также возможность весьма быстрого изменения выдаваемой в систему мощности.

"Подводные камни" могут ждать проектировщиков не только при организации 'переходов. Особое внимание при проектировании автоматов следует уделять вопросам формирования выходных сигналов. Выходные сигналы могут назначаться как выход простой комбинационной схемы или как выход триггерной схемы, тактируемой синхросигналом. В результате каждый из вариантов оформления имеет свои особенности. Наиболее важным положительным свойством триггерных выходов является гарантированное отсутствие паразитных просечек (рисков), обусловленных ярусной организацией логических схем. В отличие от триггерных, комбинационные выходы обеспечивают изменение их состояния сразу после изменения входных сигналов (асинхронное изменение), что для ряда практических приложений может представляться существенным свойством.