Положительным относительно

Например, если оказалось, что в соответствии с произвольно выбранным положительным направлением напряжения или тока какой-то предполагаемый приемник потребляет мощность Лютр — U I < 0, то он на самом деле является источником и отдает мощность Р0тд = \ U I \.

Перед определением напряжения по формуле (1.40) следует задаться его положительным направлением. Со знаком « + » в (1.40) должны входить ЭДС, направленные между точками а и b встречно напряжению VаЬ, и напряжения ветвей, направ-

В случае одной намагничивающей обмотки за положительное направление магнитного потока принимают направление, связанное правилом праноходового винта с положительным направлением тока намагничивающей катушки. В том случае, когда положительное направление магнитного потока не очевидно, что может быть при наличии нескольких намагничивающих обмоток, можно задаться им произвольно. Действительное направление магнитного потока выявляется в этом случае в результате анализа или расчета.

Очевидно, при v = const enp ~ kB и график В (у) в другом масштабе представляет собой график еф (а). Изменение знака ЭДС еар означает изменение ее направления сю сравнению с положительным направлением, показанным на 9.2, а.

На 10.10,и и в изображены картины магнитных полей и векторные диаграммы для моментов времени, соответствующих точкам 2 и 3 (см. 10.9) На !0.(О,s — с приведены графики распределения магнитных индукций вдоль воздушного зазора двигателя (кО — длина внутренней окружности сердечника статора), образованных током каждой фазы, и результирующего поля соответственно для моментов времени, отмеченных точками 5, 6, 7 (см. 10.9). Пунктирными линиями обозначены магнитные индукции, соответствующие положительным направлениям тока при их амплитудных значениях, сплошными линиями — магнитные индукции, соответствующие действительным направлениям тока. Для момента времени, соответствующего точке 5 (см. 10.9), ток фазы А положительный и равен амплитудному значению, токи фаз В и С отрицательные и равны половине амплитудного значения. Поэтому амплитуда магнитной индукции фазы А составит Вт и график поля совпадает с положительным направлением магнитных индукций, амплитуды магнитной индукции фаз В и С составят BJ2, а их графики будут повернуты на 180"' по отношению к положительным направлениям. Результирующее

Положительное направление напряжения на элементе схемы цепи ( 1.5) также может быть -выбрано произвольно и указывается стрелкой, но. для участков цепи, не содержащих источников энергии. рекомендуется выбирать его совпадающим с положительным направлением тока, как йа 1.5.

J = 1аЪ , направление которого совпадает с положительным направлением тока 1аЬ. Действительно, уравнения по первому закону Кирхгофа для узлов а и Ъ цепей на 1.22, а и в будут одинаковы, если в по-

Если значение тока в витках катушки изменяется (увеличивается или уменьшается), то изменяется и собственное потокосцепление. При изменении потокосцепления в витках катушки согласно закону электромагнитной индукции наводится ЭДС самоиндукции еь. Положительное направление ЭДС самоиндукции чаще выбирают совпадающим с направлением вращения рукоятки буравчика, ввинчивающегося по направлению магнитных линий, и с выбранным положительным направлением тока ( 2.1, а и б). Эта ЭДС по определению равна

емкостном элементе выберем совпадающим с положительным направлением приложенного к нему напряжения ( 2.3, в) . По определению ток равен скорости изменения заряда:

Согласно закону электромагнитной индукции при изменении пото-косцепления витка в нем индуктируется ЭДС, положительное направление которой ( 2.5, а) связывают с положительным направлением потока Фх правилом буравчика (положительное направление ЭДС совпадает с направлением вращения рукоятки буравчика, ввинчивающегося в направлении магнитного потока Ф ) :

При исследовании цепей с э.д.с. самоиндукции условились положительное направление э.д.с. самоиндукции брать совпадающим с положительным направлением тока, который наводит эту э.д.с. Поэтому стрелка э.д.с. eL и стрелка тока i на схеме 4.1,6 имеют одинаковое направление.

Более эффективной является схема усилительного каскада с отрицательной обратной связью по постоянному току через резистор R3 (схема с эмиттерной температурной стабилизацией, 4.12, б), которая сохраняет работоспособность при изменении температуры на 70—100°С. Увеличение тока /„ с повышением температуры приводит к увеличению тока /э == /к//*21б и падения напряжения на резисторе R3 с указанной на 4.12, б полярностью. При этом напряжение на эмиттере становится более положительным относительно напряжения базы, и эмиттерный переход смещается в обратном направлении. Это вызывает уменьшение базового тока /б, в результате чего ток коллектора /„ также уменьшается, стремясь возвратиться к своему первоначальному значению /ок. Для устранения отрицательной обратной связи по переменному току (в случае наличия входного переменного сигнала) резистор R3 шунтируют конденсатором Сэ, сопротивление которого на частоте сигнала должно быть незначительным.

напряжения, сдвинутых относительно друг друга по фазе на угол 180°. Так как каждый диод проводит ток только в течение той половины периода, когда анод его становится положительным относительно катода, то нетрудно видеть, что при заданном на 7.4 направлении напряжения на вто-

Если между истоком и стоком включить источник напряжения [/си так, чтобы потенциал стока был положительным относительно истока, то через канал начнется дрейф основных для канала носителей заряда (электронов) от истока к стоку, т. е. через канал будет проходить ток /с (направление тока от стока к истоку). Включение источника [/си влияет и на ширину p-n-переходов, так как напряжение на р-и-переходе • оказывается разным около стока и истока. Потенциал канала меняется по его длине: потенциал истока равен нулю, повышаясь в сторону стока, потенциал стока равен [/си. Напряжение смещения на p-n-переходе вблизи истока равно [/зи , вблизи стока [/зи I + 1/си. т. е. ширина р-и-перехода больше со стороны стока, а сечение канала и, следовательно, сопротивление его наименьшие вблизи стока (пунктирная линия на 17.13, о).

Пусть на схему 10. 13, а подан только один входной сигнал «вх! положительной полярности, а другой «Вх2 равен нулю. Это вызовет увеличение анодного тока ia\ первой лампы и, следовательно, увеличение падения напряжения на общем катодном сопротивлении. В результате катод второй лампы сделается более: положительным относительно ее сетки (при «вх2==0 сетка Л -г соединена с нулевой шиной) и анодный ток второй лампы уменьшится. При этом потенциал анода первой лампы понизится на величину uai~, а второй — увеличится на ыЭ2~-

положительным относительно подложки потенциалом затвора, выталкивает дырки из канала, обедняя его основными носителями. Во втором случае электрическое поле иного направления втягивает дырки в канал, обогащая его основными носителями. Таким образом, меняя величину и полярность напряжения Z/зи? можно, как и в полевом транзисторе с управляющим р-п переходом, изменять величину проводимости канала. Отличие заключается лишь в том, что в МДП транзисторе меняется не поперечное сечение канала, а концентрация носителей в нем.

метром служит напряжение на подложке ?/пи> а напряжение на затворе11 Z/зи i остается неизменным для всего семейства кривых. Таким образом, эти характеристики получены при таком включении прибора, когда подложка не соединена с истоком, как на схеме 13-10, а находится под положительным относительно истока потенциалом (?/пи>0). В этом: случае подложка используется как дополнительный управляющий электрод, с помощью которого осуществляется управление величиной тока в канале По этой причине подложку иногда называют нижним затвором. Механизм управления током в этом случае такой же, как и в полевом транзисторе с управляющим р-п переходом. Под действием электрического поля, созданного напряжением t/пи, не только расширяется область, обедненная электронами вблизи канала, но и выталкивается из канала некоторое количество дырок.

3. Управляющие электроды, потенциалы которых определяют электрические поля в разрядном промежутке прибора и, следовательно, характер движения электронного потока через прибор. Управляющие электроды с положительным относительно катода потенциалом одновременно могут быть приемниками электронного тока. В ряде типов электронных вакуумных приборов движение электронов может изменяться под действием магнитных полей, создаваемых постоянными магнитами или электромагнитными катушками, помещаемыми обычно снаружи баллонов приборов.

При подаче положительного входного сигнала на базу транзистора относительно земли токи транзистора уменьшаются и уменьшается по абсолютной величине падение напряжения на Ra, являющееся выходным напряжением схемы. Следовательно, потенциал эмиттера становится более положительным относительно земли, т, е. схема ОК не поворачивает фазу усиливаемого сигнала.

В момент (0 подается импульс управления (минус на УЭ) на вход тиристора и через время ^t>,3*?0,2 икс появляется анодный ток через управляющую структуру тиристора. Анодный ток управляющей структуры тиристора протекает через анодную и управляющую цепи последовательно, в результате чего напряжение му к моменту t\ спадает до нуля и затем меняет знак, так как падение от анодного тока на резисторе Ry становится больше Еу ( 3.53,6). При этом слой рг становится положительным относительно катода и к катодному переходу П4 потечет дырочный ток. В момент /2 переход П4 смещается в прямом направлении и происходит включение основной структуры. Ток управ-

положительным относительно подложки потенциалом затвора, выталкивает дырки из канала, обедняя его основными носителями. Во втором случае электрическое поле иного направления втягивает дырки в канал, обогащая его основными носителями. Таким образом, меняя величину и полярность напряжения Z/зи? можно, как и в полевом транзисторе с управляющим р-п переходом, изменять величину проводимости канала. Отличие заключается лишь в том, что в МДП транзисторе меняется не поперечное сечение канала, а концентрация носителей в нем.

метром служит напряжение на подложке ?/пи> а напряжение на затворе11 Z/зи i остается неизменным для всего семейства кривых. Таким образом, эти характеристики получены при таком включении прибора, когда подложка не соединена с истоком, как на схеме 13-10, а находится под положительным относительно истока потенциалом (?/пи>0). В этом: случае подложка используется как дополнительный управляющий электрод, с помощью которого осуществляется управление величиной тока в канале По этой причине подложку иногда называют нижним затвором. Механизм управления током в этом случае такой же, как и в полевом транзисторе с управляющим р-п переходом. Под действием электрического поля, созданного напряжением t/пи, не только расширяется область, обедненная электронами вблизи канала, но и выталкивается из канала некоторое количество дырок.