Положительным импульсом

Серио-натриевмс АБ. В -заряженном состоянии анодная камера А Б заполнена жидким натрием, а катодная камера жидкой серой. В расплавленном состоянии сера полектронроводна. поэтому в расплав введен фафитово-локонный наполнитель. Натриевая и серная массы разделены твердым электролитом на основе А12О,, который обладает достиг очно высокой ионной проводимостью и хорошими механическими свойствами. Положительным электродом служит стальной сосуд, в котором находится сера, отршипельпый стержневой электрод соприкасается с жидким Na. Внутреннее сопротивление АБ складывается в основном из сопротивлений электролита и серною электрода. Удельная mcpi ия составляет И ', ., % 540 к Дж кт . Срок службы определяется коррозионной стойкостью материала электролита и камер/,] с расплавом Na (температурная точка плавления натрия 7'„ ,*470 К). При рабочей температуре АБ 7р;щ*620 К она допускает приблизительно 200 циклов «заряд-разряд». Термоизоляция, которой снабжается А Б, позволяет поддерживать уровень Граб в течение 24 ч за счет энер! ни потерь, выделяющихся при зарядно-разрядных процессах, без внешнею теплоподвода [1.10].

Насыщенный нормальный элемент состоит из запаянного стеклянного сосуда Н-образной формы, в нижние концы которого впаяны платиновые проводники ( 2.1). Положительным электродом / служит ртуть, заполняющая нижнюю часть одной ветви сосуда, отрицательным электродом 5 —амальгама кадмия, расположенная в нижней части другой ветви сосуда. Над ртутью расположен слой пасты 2 из смеси сернокислой ртути i(Hg2SO4) и сернокислого кадмия (CdS04). Паста явля-

Мерой э. д. с. постоянного тока является нормальный э л е -м'е н т (НЭ) — обратимый гальванический элемент с точно известной э. д. с. Высокая точность воспроизведения э. д. с. обеспечивается принципом построения НЭ ( 6.1). Электролитом элемента служит водный раствор сульфата кадмия 3, положительным электродом — ртуть 5 и сульфат закиси ртути 4, отрицательным — амальгама кадмия (раствор кадмия в ртути) 1 в двухфазном состоянии (твердом и жидком), а выводы электродов изготовлены из платиновой проволоки;

Электрод химического источника тока, на котором протекают окислительные процессы, называется отрицательным электродом или анодом. Электрод, на котором протекают восстановительные процессы, называется положительным электродом или катодом. Иногда электроды собирают в блоки, представляющие объединенные в конструктивное целое, чередующиеся между собой положительные и отрицательные электроды, разделенные сепараторами (ионопро-ницаемыми диэлектрическими слоями).

Гальванические элементы. Марганцево-цинковые элементы являются самыми распространенными сухими элементами. Положительным электродом марганцево-цинкового элемента служит двуокись марганца, отрицательным — металлический цинк. Электролит состоит из раствора соли (хлористого аммония) или щелочи (едкого калия). Для повышения устойчивости работы при определенных температурах, уменьшения саморазряда элемента, а также загущения электролита в него вводят добавки (сулема, мука, крахмал и др.). Разновидностью марганцево-цинковых элементов являются воздушно-марганцево-цинковые элементы, в которых активным веществом положительного электрода служит двуокись марганца и кислород воздуха. В марганцево-цинковом элементе ЭДС находится в пределах 1,5—1,8 В, внутреннее сопротивление в зависимости от размеров его и степени разряда может изменяться от 0,1 до 10 Ом. Емкость этих элементов сильно зависит от тока разряда и температуры электролита.

Мерой э. д. с. постоянного тока является нормальный э л е -м"е н т (НЭ) — обратимый гальванический элемент с точно известной э. д. с. Высокая точность воспроизведения э. д. с. обеспечивается принципом построения НЭ ( 6.1). Электролитом элемента служит водный раствор сульфата кадмия 3, положительным электродом — ртуть 5 и сульфат закиси ртути 4, отрицательным — амальгама кадмия (раствор кадмия в ртути) / в двухфазном состоянии (твердом и жидком), а выводы электродов изготовлены из платиновой проволоки.

Электроды, на которых протекают процессы окисления, сопровождающиеся образованием положительных и разрядом отрицательных ионов, называются анодами. Электроды, на которых протекают процессы восстановления, сопровождающиеся образованием отрицательных или разрядом положительных ионов, называются катодами. В элементе Вольта анодом (отрицательным электродом) является цинковая пластина, а катодом (положительным электродом) — медная. Кроме электродов, любой химический источник тока содержит растворенный в воде, а в более редких случаях — расплавленный или твердый электролит. В отличие от проводников первого рода растворы электролитов, или проводники второго рода, характеризуются ионной проводимостью. К электролитам относятся растворимые в воде или другом растворителе соли; щелочи и кислоты. Прохождение тока через проводники второго рода объясняется передвижением ионов. Растворы электролитов обычно в технической литературе и на производстве химических источников тока не совсем точно называют просто электролитами.

В верхней части элемента на угольный стержень надевают картонные шайбы 8 (см. 36), пропитанные в парафиновой композиции. Одна из шайб располагается над положительным электродом, а другая — выше, на некотором расстоянии от нижней

Чашечные элементы 4 батареи «Крона-ВЦ» соединены последовательно в секцию ( 57) так же, как галетные элементы. Корпус одного элемента вставлен в другой так, чтобы отрицательный токоотвод первого элемента соприкасался с положительным электродом другого элемента. Секция стянута бандажом 5. Токоотводы 7 крайних элементов выведены через отверстия во

Меры ЭДС. В качестве образцовой меры ЭДС используют нормальные элементы, составные части которых строго нормированы. Нормальные элементы выпускаются двух типов — насыщенные и ненасыщенные. У обоих типов элементов положительным электродом является ртуть, отрицательным — амальгама кадмия и электролитом — водный раствор сернокислого кадмия. Насыщенные элементы делятся на три класса: 0,001; 0,002; 0,005; эти числа показывают допустимые изменения ЭДС за год. Класс выпускаемых ненасыщенных элементов — 0,02. К их достоинству следует отнести малую зависимость ЭДС от тем*, пературы — 0,0002 % на 1 К. Основные технические характеристики нормальных элементов приведены в табл. 1-1. Нормальные элементы выпускаются в деревянных или пластмассовых кожухах. Их нельзя опрокидывать и встряхивать, подвергать нагреву и сильному освещению.

Насыщенный нормальный элемент представляет собой гальванический элемент с отрицательным электродом из амальгамы кадмия, положительным электродом из ртути и сульфата ртути, играю-

На 10.13, а приведена упрощенная структурная схема аналогового электронного фазометра. Фазометр содержит два одинаковых канала: опорный и измерительный. В состав этих каналов входят усилители-ограничители УО, формирующие прямоугольные импульсы иг и и2 ( 10.13, б) из синусоидальных напряжений. Прямоугольные импульсы с выходов обоих каналов поступают на дифференцирующие и распределяющие цепи ДЦ, которые служат для формирования из прямоугольных импульсов коротких положительных и отрицательных импульсов и3, и4, соответствующих фронтам и срезам прямоугольных импульсов. Вместе с этим происходит распределение импульсов дифференцирующих цепей между ключами KI, /(2 так, что ключ Ki замыкается положительным импульсом опорного канала и размыкается отрицательным импульсом измерительного канала, а ключ К2 размыкается отрицательным импульсом опорного канала и за-

мыкается положительным импульсом измерительного канала. Ключи KI, К2 формируют прямоугольные импульсы иь, и6. Ток аналогового индикатора i пропорционален среднему значению импульсного напряжения щ=иъ—ив, т. е. фазовому сдвигу Асо^ ( 10.13, б).

Дырки, инжектированные положительным импульсом из входного р+-л-перехода, образуют зарядовый пакет под затвором 3i фазы А, на которую подан низкий потенциал с/2 1<( f/il< I U*\<\U,\<\U0\) ( 3.38, о). Затем на фазу В подается более низкий потенциал Us, при этом зарядовые na-

а — постоянным напряжением; б — положительным импульсом с запиранием постоянным напряжением.

а — управление постоянным напряжением в однофазной схеме; 6 — то же, но в многофазной схеме; в — управление в однофазной схеме при учете пусковой области; г — управление изменением фазы переменного напряжения; д — управление положительным импульсом в запиранием постоянным напряжением.

Диодно-емкостная цепь запуска (цепь, изображенная пунктиром на 6.22). Данный вариант цепи является компромиссным с точки зрения качества развязки и сложности устройства. На 6.22 ранее рассмотренную цепь запуска принимать во внимание не будем — соединения в точках a, b и с считаем разорванными. Диодно-емкостная цепь запуска осуществляет передачу положительного запускающего импульса на коллектор нормально запертого транзистора Ti, т. е. является цепью раздельного запуска положительным импульсом, воздействующим на коллектор транзистора. В исходном состоянии транзистор, Ti заперт. На его коллекторе установится отрицательное на-

Диодно-емкостные цепи запуска транзисторных триггеров используются наиболее часто. На 6.23 (соединения си d) показаны цепи раздельного запуска на базу — положительным импульсом по базе нормально насыщенного транзистора (соединение d) и отрицательным импульсом на базу нор-мально запертого транзис-

Для того чтобы при мегагерцевой частоте в индукторе (колебательном контур!?) иметь возможность ограничить частоту включения тиратрона только десятками килогерц, в генераторе рассматриваемого типа и используются затухающие колебания. Тиратрон открывается, как показано на диаграмме 3-6, б, положительным импульсом сеточного напряжения ис лишь 1 раз за время 1/F, где F — частота повторения заряда — разряда конденсатора, в то время как колебательный режим по выходной частоте определяется собственной частотой / контура, которая может быть на один-два порядка больше, чем F [Л. 58].

ной структуры симистора расположена в первом квадранте, управление производится положительным импульсом (см. 3.55).

Диодно-емкостные цепи запуска (цепь, изображенная пунктиром на 5.22). Данный вариант цепи является компромиссным с точки зрения качества развязки и сложности устройства. На 5.22 ранее рассмотренную цепь запуска принимать во внимание не будем—соединения в точках a, b и с считаем разорванными. Диодно-емкостная цепь запуска осуществляет передачу положительного запускающего импульса на коллектор нормально запертого транзистора Т,, т. е. является цепью раздельного запуска положительным импульсом, воздействующим на коллектор

Диодно-емкостные цепи запуска транзисторных триггеров используются наиболее часто. На 5.23 (соединения с и d) показаны цепи раздельного запуска на базу—положительным импульсом по базе нормально насыщенного транзистора (соединение d) и отрицательным импульсом на базу нормально запертого транзистора (соединение с). В обоих случаях в цепи запуска используется напряжение дополнительного источника, обеспечивающего запертое состояние диода запускающей цепи —источника ?зап в первой из рассматриваемых цепей, источника ?см во второй. Соединения в точках а и b считаем пока разомкнутыми—соответствующая им цепь будет рассмотрена далее. Для цепи, соответствующей соеди-