Произвольным значением

В зависимости от реализуемых в памяти операций обращения различают: а) память с произвольным обращением (возможны считывание и запись данных в память); б) память только для считывания информации («постоянная» или «односторонняя»). Запись информации в постоянную память производится в процессе ее изготовления или настройки1.

1 Эти типы памяти соответствуют терминам RAM (random — access memory — память с произвольным обращением) и ROM. (read — only memory — память только для считывания).

В качестве ОП и СОП используются быстродействующие ЗУ с произвольным обращением и непосредственным доступом.

Понятие оперативной памяти выше определялось, исходя из выполняемых, ею функций. Поскольку всегда в качестве ОП (как, впрочем, и СОП) используются ЗУ с произвольным обращением и непосредственным доступом, то часто последние независимо от выполняемых функций называют оперативными памятями (оперативными ЗУ).

Запоминающее устройство с произвольным обращением, как правило, содержит множество одинаковых запоминающих элементов, образующих запоминающий массив (ЗМ). Массив раз-

4.2. Структура адресной памяти с произвольным обращением

Тип используемых ЗЭ определенным образом влияет на структуру памяти, в результате чего существует большое разнообразие структур ЗУ. В настоящем параграфе дается систематизация структур адресных ЗУ', что должно помочь пониманию принципов действия различных типов ЗУ с произвольным обращением и постоянных ЗУ.

В вычислительной технике в качестве ЗУ с произвольным обращением используемых в оперативных памятях ЭВМ, еще недавно широко применялись ЗУ с ЗЭ на ферритовых сердечниках. Успехи ^технологии БИС привели к созданию полупроводниковых интегральных ЗУ, на основе которых создаются основные (оперативные) памяти современных ЭВМ. По сравнению с ферритовыми ЗУ полупроводниковые имеют ряд важных досгоинств: большее быстродействие, компактность, меньшую стоимость, совместимость по сигналам с логическими схемами, общие с другими электронными устройствами ЭВМ технологические и конструктивные принципы построения.

Недостатком полупроводниковых ЗУ с произвольным обращением является их энергозависимость, выражающаяся в том, что они потребляют энергию в режиме хранения информации и теряют информацию при выключении напряжения питания (потери информации можно избежать автоматическим переключением на аварийное питание от аккумуляторов) .

Таблица 4.1. Параметры я области применения БИС ЗУ с произвольным обращением

По сравнению с ЗУ с произвольным обращением, допускающим как считывание, так и запись информации, конструкции ПЗУ значительно проще, их быстродействие и надежность выше, а стоимость ниже. Это объясняется большей простотой ЗЭ, отсутствием цепей для записи информации вообще или по крайней мере для оперативной записи, реализацией неразрушающего считывания.

нальных величин. Он часто может оказаться удобным методом расчета, однако его можно применять лишь для расчета цепей с линейными элементами, т. е. цепей с неизменными сопротивлениями, не зависящими от величины тока и напряжения. Применение этого метода основывается на том, что в линейной цепи с одним источником питания существует прямая пропорциональность между напряжением на входе схемы и токами ее отдельных ветвей. Поэтому всякое изменение напряжения на входе схемы в k раз (k=U/U') сопровождается изменением токов ветвей тоже в k раз. Воспользуемся этим свойством для определения токов схемы 3.1, а. Задаемся произвольным значением тока /5' в ветви, наиболее удаленной от источника питания, — в резисторе г5. По заданному току /5' и сопротивлению га определяем напряжение

В первом случае сначала находят модуль полного сопротивления из (5.38), модуль тока из (5.44), а затем угол сдвига фаз из (5.43). Чтобы найти начальную фазу тока ij^ из (5.41), следует предварительно задаться произвольным значением начальной фазы напряжения ози.

Задавшись произвольным значением начальной фазы напряжения, записывают его в комплексной форме U. Зная величины U и ZBX, находят ток неразветвленной ветви и токи параллельных ветвей:

Задаются произвольным значением амплитуды /lm основной гармоники тока в н. э. и из графика находят амплитуду основной гармоники напряжения на н. э. Далее строится векторная диаграмма для основной гармоники и определяется амплитуда Ulm. основной гармоники напряжения на входе цепи.

Для определения Ф методом последовательных приближений задаются произвольным значением потока Ф! (первое приближение). Решая задачу синтеза, находят м. д. с. FI. Если значение FI отличается от заданного, то берут другое значение Фг и вычисляют новое значение м. д. с. F2 и т- Д- Решение заканчивается, когда Р„ становится достаточно близким к заданному значению.

Задаемся произвольным значением магнитного потока в рабочем зазоре. Определяем индукцию в стали на участках магнитной системы:

1. Задаемся произвольным значением Х(0)0 и с помощью численного интегрирования вычисляем F(X<°>0).

Задаются произвольным значением амплитуды 1\т основной гармоники тока в н. э. и из графика находят амплитуду основной гармоники напряжения на н. э. Далее строится векторная диаграмма для основной гармоники и определяется амплитуда И\т основной гармоники напряжения на входе цепи.

В случае применимости метода пропорциональных величин (§ 1-7) можно задаться произвольным значением тока /', построить всю диаграмму и определить напряжение при выбранном токе. Из отношения действительного напряжения Оао к найденному по диаграмме Ua0 , т. е. из соотношения

Для построения кривой F (q) ( 16.1, в) используем кулон-вольтную характеристику. С этой целью задаемся произвольным значением q. По кулон-вольтной характеристике находим соответствующее ему ис и по (16.2) подсчитываем F (q). При <7 = 0 «с = 0 и F(q)=\/U; при uc — U F(q) = to. Левую часть уравнения (16.1а) проинтегрируем по t от 0 до текущего значения t, а правую — по q от q = = 0 до текущего значения q. Получим

Задаемся произвольным значением тока /s в ветви, наиболее удаленной от источника питания, — в сопротивлении г5. По заданному току /s и сопротивлению г 5 определяем напряжение