Производстве микросхем

В производстве источников света вольфрам применя-

в производстве источников света.

Молибден. В производстве источников света молибден

В производстве источников света наибольшее распро-

применение в производстве источников света.

Медь. В производстве источников света медь находит

Очистка ртути. В производстве источников света используется

В производстве источников света применяются глав-

В производстве источников света большую роль

газов в производстве источников света.

В производстве источников света применяют универ-

Вначале создается комплект эталонных фотошаблонов, с которых затем методом фотолитографии получают несколько рабочих комплектов. Так как в производстве микросхем используют главным образом метод контактной фотолитографии, то в процессе эксплуатации фотошаблоны изнашиваются: на них появляются проколы, количество которых превышает допустимую норму, царапины и другие дефекты. При выходе из строя одного из рабочих фотошаблонов заменяют весь комплект во избежание ошибок при совмещении. Точно так же поступают, если выходит из строя один из эталонных фотошаблонов.

Для изготовления БИС используются все основные технологические процессы, применяемые в производстве микросхем. Однако при создании БИС значительно повышается степень интеграции микросхем и в технологию их изготовления вводится ряд новых методов.

В производстве микросхем принята следующая последовательность процесса очистки подложек: а) установка подложек в кассету; •б) кипячение;

В производстве микросхем хорошо освоены в качестве диэлектриков следующие материалы: моноокись кремния SiO (Со=15000 пФ/см2 при ?/раб=15 В); трехеер-нистая сурьма Sb2S3 (20000 и 4); моноокись германия GeO (15 000 и 10).

.2.5. Фотолитография в производстве микросхем ......., 4J

2.5. ФОТОЛИТОГРАФИЯ В ПРОИЗВОДСТВЕ МИКРОСХЕМ

Применяемые вакуумные установки для нанесения тонких пленок в производстве микросхем можно классифицировать по следующим признакам:

В производстве микросхем принята следующая последовательность процесса очистки подложек: а) установка подложек в кассету; •б) кипячение;

В производстве микросхем хорошо освоены в качестве диэлектриков следующие материалы: моноокись кремния SiO (Со=15000 пФ/см2 при ?/раб=15 В); трехеер-нистая сурьма Sb2S3 (20000 и 4); моноокись германия GeO (15 000 и 10).

различных элементов в кремнии экспоненциально зависят от температуры: при ее изменении на несколько градусов коэффициент диффузии может изменяться вдвое. По этой причине при производстве микросхем в зонах, где проводится диффузия, необходимо поддерживать температуру в интервале 1000— 1300°С с точностью до ±0,5°С.

Важное место на рынке SOPC занимает корпорация Triscend, концентрирующая свои усилия исключительно на производстве микросхем типа "система на кристалле". Корпорация Triscend выпустила первую в мире промышленную SOPC с аппаратным процессорным ядром в то время, когда семейство FPSLIC только анонсировалось фирмой Atmel (апрель 1999 г.). Сейчас архитектуры SOPC фирмы Triscend принадлежат к числу наиболее популярных.