Производства микросхем

Согласно этому, порядок производства испытаний должен в основном соответствовать порядку следования технических требований, исходя из которых и разработано устройство.

носительно заземленных других фаз. Исключение составляют отдельные подвесные изоляторы, которые подвергаются испытаниям до их подвески в целях экономии общих сроков монтажа и в связи с затруднениями производства испытаний отдельных элементов подвесной изоляции в подвешенном состоянии. Исключение составляют также отдельные элементы многоэлементных (штырьевых) изоляторов разъединителей, испытание которых проводятся, отдельно до полного окончания монтажа узла в целях своевременной замены дефектных элементов.

При производстве работ по испытанию повышенным напряжением обращается серьезное внимание на то, чтобы после производства испытаний объект, подвергаемый испытанию, тщательно разряжался от остаточных зарядов, особенно после испытаний выпрямленным напряжением. При измерениях в токовых цепях, находящихся под нагрузкой, возможны большие, опасные для жизни перенапряжения в местах разрыва не-пей. Во избежание этого при производстве наладочных работ пришь

С повышением 'надежности МЭ и ИМ соответственно уменьшается информация о недостатках технологического процесса их .изготовления, необходимая для организации обратной связи. Поэтому в системах контроля с обратной связью особая роль отводится анализу отказов, При этом на этапах производства, испытаний и эксплуатации устанавливаются виды отказов и обобщаются данные по отказам для изучения их количественных изменений во времени и классификации. На основе полученных сведений составляются гипотезы о механизме отказов, их причинах и разрабатываются рекомендации 'по устранению этих причин. Анализ отказов составляет основу физического подхода к проблеме надежности. Он должен быть отработан и систематизирован.

4) испытательные — для производства испытаний под высоким и сверхвысоким напряжением;

Для получения сжатого воздуха, применяемого для испытаний трубопроводов электропроводки, можно использовать технологические компрессоры, имеющиеся на промплощадках и в цехах газопроводов, при этом для снижения давления воздуха используют ресивер (баллон), установленный на воздушной линии. В случае производства испытаний трубопроводов на трассе газопровода (на ГРС, ГРП и др.) рекомендуется применять переносное пневмоустройство, которое может быть изготовлено в небольшой механической мастерской.

и, если требуется, железной дороги, удобные подходы и выходы воздушных линий электропередачи всех напряжений и кабельных сооружений в требуемых направлениях с учетом полного развития и очередности строительства подстанции или распределительного пункта. Расположение и компоновка зданий, сооружений и установка электрооборудования на подстанции и в распределительном пункте должны обеспечивать возможность производства всего комплекса строительно-монтажных работ и ремонта оборудования при эксплуатации с применением строительных и монтажных машин и механизмов, доставки и вывоза трансформаторов, подъема и перемещения тяжелого оборудования, производства испытаний передвижными лабораториями, проезд пожарных автомашин и т. п. Выбор конструкции и материалов производится исходя из технико-экономической целесообразности применения принятых проектных решений в конкретных условиях строительства объектов электроснабжения и с обязательным учетом наличия соответствующих производственных баз у подрядчика (заказчика).

Огромное разнообразие измеряемых физических величин, методов и средств измерений, применяемых в народном хозяйстве, потребовали разработки в рамках ГСС единой системы метрологического обеспечения разработки, производства, испытаний и эксплуатации продукции, научных исследований и других видов деятельности во всех отраслях хозяйства.

Зажим испытательный КИ-4М применяется в участках токовых цепей для возможности производства испытаний в этих цепях без разрыва тока в цепи. Размеры 62X56X3 мм, масса 0,05 кг.

агрегатов, а остальные линии этой группы переводятся для нормальной подпитки к другому агрегату. Например, при необходимости производства испытаний на кабельной линии К4, присоединенной для подпитки к агрегату АП2, линия К5 переводится на подпитку к агрегату АП1 закрытием вентилей В52 и ВС52 и открытием вентилей ВЗ, ВС1 и В51.

Схемотехнические элементы, их компоновка и взаимосвязь в составе РЭА обеспечивают преобразование сигналов различной физической природы для целей, определяемых назначением РЭА. Основу современной схемотехнической базы составляют микросхемы, микросборки и микроэлектронные узлы в корпусах или без них. Наряду с микро-элементной базой используются дискретные резисторы, постоянные и переменные конденсаторы, трансформаторы, переключатели, соединители, индикаторы. Перечисленные элементы, не относящиеся к микроэлементам, трудно изготовить технологическими методами производства микросхем, например конденсаторы большой емкости, высокодобротные катушки индуктивности. Трансформаторы, разъемы, переключатели вообще плохо поддаются миниатюризации и не могут быть изготовлены методами микроэлектроники.

Данное учебное пособие охватывает часть курса «Технология микросхем и элементов ЭВА» и посвящено основным процессам производства микросхем. Особое внимание в пособии уделено физико-химическим процессам производства, от которых зависят электрические параметры микросхем, их надежность и экономичность.

Заметное повышение адгезии наблюдается при образовании окиси на поверхности раздела пленка — подложка. Установлено, что легко окисляющиеся металлы (А1, Cr, Mn, Ti, W и др.) имеют к ситаллов'ым и стеклянным подложкам более высокую адгезию, чем трудноокисляемые (Аи, Pt, Pd). Наличие химических связей с подложкой создает своеобразный «клеевой» слой. Это явление широко используют в практике производства микросхем.

Технология изготовления трафаретов фотохимическим методом состоит из ряда технологических процессов: получения фотоор'игинала, прецизионного фотографирования, фотохимической обработки, контроля. Вследствие многооперационности и сложности применяемого оборудования этот метод экономически выгоден в условиях массового и крупносерийного производства микросхем.

В практике производства микросхем в ходимость монтажа ситалловых подложек ские, керамические и пластмассовые оси сов, а кремниевых кристаллов — на сит лянные, керамические и металлические п

Следует отметить, что автоматический способ управления КИА целесообразно применять только при сплошном контроле параметров в условиях массового производства микросхем (более 1 млн. ИС в год).

Данное учебное пособие охватывает часть курса «Технология микросхем и элементов ЭВА» и посвящено основным процессам производства микросхем. Особое внимание в пособии уделено физико-химическим процессам производства, от которых зависят электрические параметры микросхем, их надежность и экономичность.

Заметное повышение адгезии наблюдается при образовании окиси на поверхности раздела пленка — подложка. Установлено, что легко окисляющиеся металлы (А1, Cr, Mn, Ti, W и др.) имеют к ситаллов'ым и стеклянным подложкам более высокую адгезию, чем трудноокисляемые (Аи, Pt, Pd). Наличие химических связей с подложкой создает своеобразный «клеевой» слой. Это явление широко используют в практике производства микросхем.

Технология изготовления трафаретов фотохимическим методом состоит из ряда технологических процессов: получения фотоор'игинала, прецизионного фотографирования, фотохимической обработки, контроля. Вследствие многооперационности и сложности применяемого оборудования этот метод экономически выгоден в условиях массового и крупносерийного производства микросхем.

В практике производства микросхем в ходимость монтажа ситалловых подложек ские, керамические и пластмассовые оси сов, а кремниевых кристаллов — на сит лянные, керамические и металлические п

Хотя основное внимание в настоящее время уделяется цифровым (логическим) интегральным микросхемам, техника линейных интегральных микросхем развивается быстрыми темпами и их доля в общем объеме производства микросхем непрерывно возрастает. Методы конструирования и эксплуатационные характеристики цифровых ^микросхем в основном стабилизировались, в то время как ассортимент линейных интегральных микросхем все время увеличивается благодаря общим усилиям разработчиков и изготовителей.