Происходит управление

подается на управляющую обмотку магнитного усилителя. Ток в рабочей обмотке магнитного усилителя уменьшается, при этом происходит уменьшение тока в управляющей обмотке двигателя. Обороты двигателя увеличиваются;и частота на зажимах генератора восстанавливается до исходного значения с ошибкой регулирования, определяемой коэффициентом усиления системы.

Важной характеристикой материалов с ППГ является зависимость их свойств от температуры. При повышении температуры площадь петли гистерезиса материалов с ППГ уменьшается, а прямоугольность ее ухудшается, т, е. происходит уменьшение коэрцитивной силы, остаточной индукции и коэффициента прямоутольности. При охлаждении наблюдаются обратные явления.

При этом происходит уменьшение результирующей активной проводимости, равной сумме проводимостей нагрузки и варикапа.

Фосфатирование осуществляют погружением деталей в ванну, содержащую растворы фосфатов железа и марганца. Толщина пленки при мелкокристаллической структуре составляет 2... 4 мкм, а при крупнокристаллической— 10... 15 мкм. Покрытие практически не ^искажает размеры детали, так как одновременно с ростом толщины пленки происходит уменьшение толщины металла за счет его растворения. Цвет покрытия светло- или темно-серый.

За время 4р в базе транзистора накапливаются неосновные носители, а в процессе рассасывания за время /рас происходит уменьшение неосновных носителей по ширине базы w в соответствии с диаграммами, представленными на 6.14, б.

При больших значениях напряжения ?/зи между затвором и истоком происходит уменьшение тока стока /с до значения, близкого к нулю. Такой режим называется режимом отсечки, а соответствующее ему напряжение — напряжением отсечки f/зи ост. Толщина канала в зависимости от ?/зи равна

— с увеличением обратного напряжения происходит уменьшение /выкя. так как при этом ускоряется процесс освобождения базовых областей от носителей заряда.

ВАХ же самого туннельного диода иногда называют N-образной характеристикой (см. 2.10) (она похожа на латинскую букву N). Участок этой ВАХ, где с ростом напряжения происходит уменьшение тока, характеризует отрицательное дифференциальное сопротивление. Отметим, что отрицательное сопротивление может представляться не только N-образной ВАХ, но и S-образной. Среди полу-

менно происходит уменьшение сечения в плоскости, перпендику-'лярной растягивающему усилию. Следует иметь в виду, что дук-тильность не связана непосредственно с пенетрацией.

грешности оснастки, используемой при нанесении, отклонений в поддержании режимов вжигания и ряда других факторов. Если резисторы на подложке имеют отклонения сопротивлений одного порядка, то может быть проведена групповая подгонка путем повторного вжигания. При этом происходит уменьшение сопротивления, характерное для резисторов с высоким удельным сопротивлением. Однако низкая точность групповой подгонки не позволяет отказаться от единичной подгонки каждого резистора.

полупроводниковой интегральной микросхемы, в которой активные и пассивные элементы и их соединения выполнены в виде сочетания неразъемно связанных р-п-перехо-дов в одном исходном полупроводниковом материале. Это позволило исключить процесс сборки радиоаппарата, повысить плотность упаковки и надежность межэлементных соединений. Таким образом, полупроводниковая электроника вступила в новую фазу своего развития — появилась микроэлектроника. В дальнейшем полупроводниковую интегральную микросхему будем называть интегральной микросхемой (ИМС). Переход к ИМС стал возможен благодаря освоению новой полупроводниковой технологии, характеризующейся созданием групповых методов изготовления пленарных (плоских) р-п-р- или га-р-п-структур. При современном групповом технологическом цикле может быть изготовлено одновременно несколько десятков тысяч ИМС с количеством элементов от 50 до 500 или несколько тысяч ИМС с количеством элементов порядка 5000, т. е. одновременно может быть выполнено несколько миллионов элементов с помощью тех же простейших технологических операций по формированию р-и-переходов, что и при изготовлении одиночного планарного транзистора. Это позволяет обеспечить высокую идентичность параметров ИМС и значительно повысить надежность по сравнению с аналогичными схемами на дискретных элементах. За счет усложнения элементной базы происходит уменьшение сложности конструкции, числа внешних соединений и объема электронной аппаратуры.

Управление ТП и ТС, являющейся материальной реализацией ТП, коренным образом отличается от управления производством. Во-первых, это обусловлено тем, что объектом управления в первом случае являются материальные технологические объек< ты, во втором — коллективы исполнителей. Во-вторых, они различаются длительностью цикла управления. В самом коротком цикле управления производством содержатся различные по длительности циклы управления ТП. В третьих, при управлении ТП (ТС) возможно создание систем управления с замкнутой обратной связью, что невозможно на других более высоких уровнях управления, поскольку там происходит управление коллективом исполнителей.

База является управляющим электродом (и действует как бы аналогично управляющей сетке в вакуумном триоде). С^йако это только формальное сходство: в электронной лампе происходит управление напряжением, а в биполярном транзисторе — управление током. При изменении напряжения на управляющей сетке число электронов, эмиттируемых катодом, практически неизменно и управляющая сетка играет роль клапана, пропускающего только часть электронного потока.

При изменении относительно небольшого напряжения управления Uy, меньшего, чем значение потенциального барьера Д<р, происходит управление током в цепи нагрузки транзистора со значительным на-

происходит управление током стока в МДП-транзисторе с индуцированным каналом.

В электронном прожекторе, состоящем из катода и, как правило, нескольких электродов, происходит управление как силой тока, так и плотностью (фокусировка) электронного потока.

Таким образом, происходит управление ракетой по заранее заданной программе.

При изменении относительно ~ небольшого напряжения управления Uy, меньшего, чем величина потенциального барьера Аф, происходит управление

Каналы связи по высоковольтным линиям. По этим каналам происходит управление объектами в энергосистемах. В последние годы ВЛ начали использовать и в сельском хозяйстве для телемеханического управления местными электростанциями. В связи с большим уровнем помех в ВЛ передача осуществляется на частотах 35—500 кГц с достаточно большой мощностью сигналов (до 10 Вт). Повышенный уровень помех в ВЛ объясняется тем,- что кроме помех, свойственных обычным воздушным линиям связи, здесь добавляются специфические электрические помехи во всем спектре высоких частот. Эти помехи обусловливаются коронн-рованием проводов (электрические разряды в воздухе вблизи поверхности проводов из-за высокого напряжения), разрядами на поверхности изоляторов, включением и отключением линии и высоковольтного оборудования и т. п. Иней и гололед увеличивают коэффициент затухания. Например, при толщине слоя льда 1 см на частоте 100 кГц затухание увеличивается примерно вдвое для линий напряжением ПО и 220 кВ (с 10 до 20 мНп/км).

При функционально-групповом управлении (ФГУ) происходит управление функциональными группами по определенным логическим программам. В случае отказа или ненормальной работы ФГУ обеспечивается возможность управления каждой рабочей машиной, входящей в состав функциональной группы, с БЩУ по схеме индивидуального или избирательного управления.

Достоинством кодовой системы является возможность абсолютного измерения координат механизма. После внезапного кратковременного отключения питания в такой системе обеспечивается продолжение работы механизма с того места, на котором она была прервана. При отсутствии системы абсолютного отсчета после отключения питания необходимо установить механизм в некоторую фиксированную позицию, начиная с которой происходит управление движением механизма. От нее начинается относительный отсчет координаты механизма. В связи с возрастанием быстродействия и скоростей следящих систем чаще применяют одноотсчетные информационные преобразователи вместо преобразователей абсолютного отсчета, которые являются, как правило, более сложными, дорогими и менее быстродействующими.