Происходит взаимодействие

Большинство трансформаторов выполняют на сердечниках, которые собирают из изолированных лаком листов горячекатаной электротехнической стали марки Э4. Сборку сердечника проводят так, чтобы воздушные зазоры были сведены к минимуму; при задан ной величине рабочего потока ток холостого хода /,х будет тем меньше, чем меньше сопротивление магнитной цепи. Поэтому листы собирают таким образом, чтобы воздушные зазоры между ними (стыки) перекрывались в следующем слое ( 13.19,а). Изготовленные этим способом сердечники называются шихтованными. Хотя зазоры перекрываются листами соседних слоев, в местах стыков образуется слой с высоким магнитным сопротивлением. Это происходит вследствие того, что в листах, смежных с зазором ( 13.19,6), магнитные линии сгущаются и индукция возрастает до 2,0 ч- 2,5 Т. При такой индукции относительная магнитная проницаемость падает до нескольких единиц. В расчетной практике этот слой заменяют эквивалентным воздушным зазором, магнитное сопротивление которого равно сопротивлению стыка. Измерения на готовых сердечниках показывают, что

постоянного тока. В указанных аппаратах искусственным путем увеличивают время отпускания якоря, размещая на магнито-проводе короткозамкнутые катушки или массивные гильзы из материала с хорошей электропроводностью (медь, латунь, алюминий). Это позволяет уменьшить скорость нарастания или затухания магнитного потока при включении или отключения намагничивающей катушки. При подключении такого реле к источнику питания оно срабатывает мгновенно. Если отключить катушку, то якорь отпадет только по истечении какого-то времени, т. е. с выдержкой времени. Это происходит вследствие замедленного убывания магнитного потока. Причиной замедления является то, что основной магнитный поток, убывая, наводит э. д. с. в медной гильзе как в накоротко замкнутом витке. По правилу Ленца, ток, возникающий в результате наведенной э. д. с., создает поток, который стремится сохранить основной поток неизменным. Однако вследствие потерь в медной гильзе поток все же будет уменьшаться, и через некоторое время с момента отключения катушки якорьотпадет под действием пружины. Изменяя натяжение пружины или устанавливая немагнитные прокладки различной толщины между якорем и сердечником, получают выдержки времени большей или меньшей длительности.

Отслоение элементов печатного монтажа вызывается теми же причинами, что и предыдущий вид дефекта. Оно также происходит вследствие применения узких и длинных печатных проводников, занижения размеров контактных площадок по отношению к размерам просверленных отверстий. Дефект легко устраняется под-клеиванием.

Ранее отмечалось, что изменение угла атаки в широкой области положительных значений мало влияет на значение X, а следовательно, и на значение параметра кавитации. Изменение кавитационных характеристик насоса при увеличении ширины канала рабочего колеса происходит вследствие изменения меридианной скорости на входе в рабочее колесо. Результаты опытов показали также, что увеличение ширины Ь{ при данном режиме работы не уменьшает гидравлического и объемного КПД насоса.

Эти растворенные в воде газы не оказывают влияния на работу бессальникового насоса до тех пор, пока их наличие не приведет к образованию в насосе газовых мешков, нарушающих нормальную циркуляцию по внутреннему контуру охлаждения. Образование газовых мешков происходит вследствие выделения растворенных газов в тех местах, условия по давлению и температуре в которых соответствуют минимальной растворимости газов. Такие условия в работающей установке возникают как раз на всасывании насоса, выделившиеся пузырьки газа вследствие меньшего удельного веса (по сравнению с водой) устремляются вверх.

Рассасывание заряда происходит вследствие ухода дырок из базы через коллекторный и эмиттерный переходы. До тех пор пока в процессе ра.ссасывания концентрации неосновных носителей около р — «-переходов не достигнут нуля, обратные токи через соответствующие р — n-переходы будут оставаться постоянными, т. е. токи эмиттера и коллектора будут неизменными, пока транзистор находится в режиме насыщения. В момент времени /рас избыточная концентрация неосновных носителей в базе около коллекторного р — «-перехода достигает нуля. С этого момента ток коллектора и ток эмиттера будут уменьшаться. Время рассасывания /рас определяется как интервал времени с момента выключения входного импульса и связанного с этим изменением направления тока базы до момента, когда концентрация дырок у коллекторного перехода уменьшится до нуля. Величина его зависит от конструкции эмиттера, величины его тока и длительности импульса /имж. Для уменьшения /рас на входе цепи в момент окончания действия импульса создают ток обратного направления /эа, что ускоряет рассасывание дырок в базе. По истечении времени tpac рабочая точка транзистора переходит на границу активной области и начинается спад выходного тока. Длительность спада /сп определяется как время, в течение которого ток уменьшается от 0,9 до 0,1 тока насыщения.

На 7.9 изображено семейство статических выходных характеристик полевого транзистора: ток в цепи стока /с в функции напряжения на стоке ?/Си при различных значениях напряжения затвора ?/зи и R н=0. Каждая характеристика имеет два участка —• омический (для малых t/си) и насыщения (для больших f/си). При ?/зи = 0 с увеличением напряжения t/си ток /с вначале нарастает почти линейно, однако далее характеристика перестает подчиняться закону Ома: ток /с начинает расти медленно, ибо его увеличение приводит к повышению падения напряжения в канале и потенциала вдоль канала. Это происходит вследствие уменьшения тол-

руемого изображения, вызванного включением АК. Снижение помехозащищенности происходит вследствие подъема АЧХ АК в области верхних частот и возрастания вклада высокочастотных компонент шума. Поскольку по мере прохождения сигнала от преобразователя свет — сигнал к преобразователю сигнал — свет происходит накопление шумов от различных источников, целесообразно АК разместить на передающей стороне тракта изображения. При этом АК

положения по отношению внутреннего диаметра статора. Первоначально смещение ротора происходит вследствие неточности обработки, износа подшипников и прогиба вала под действием сил Ср и Fn. Первоначальное смещение ротора, м, принимают равным:

точных носителей заряда в базах. Выключение тиристора производят: разрывом цепи анодного тока или уменьшением тока до /ВЫкл (исчезновение избыточных носителей происходит вследствие их рекомбинации) ; изменением полярности анодного напряжения (рассасывание избыточных носителей ускоряется переходным обратным током); подачей запирающего (обратного) напряжения на управляющий электрод (такой способ выключения связан с особенностями конструкции тиристора и предусмотрен только у запираемых триодных тиристоров).

Основные пути повышения cos ф заключаются в правильном подборе номинальной мощности асинхронных двигателей для привода рабочих машин, трансформаторов, улучшения режимов работы оборудования (при работе в режиме, близком к холостому ходу, резко снижается cos ф), улучшении качества ремонта асинхронных двигателей (изменение обмоточных данных и воздушных зазоров приводит к понижению cos ф), искусственной компенсации реактивной мощности потребителей с помощью статических конденсаторов и синхронных компенсаторов. Повышение cos ф при помощи статических конденсаторов происходит вследствие взаимной компенсации потоков реактивной энергии, вернее, создания колебательного контура, в котором емкость запасает электрическую энергию в ту часть периода, когда в индуктивном контуре уменьшается величина тока, и возвращает эту энергию индуктивному контуру при уменьшении напряжения.

В процессе растекания припоя происходит взаимодействие жидкой фазы припоя с основным металлом, проявляющееся в растворении и диффузии металлов. Скорость и глубина этих процессов зависят от природы взаимодействующих металлов, температуры, скорости и времени нагрева, напряжений в основном металле.

Рассмотрим характер излучательных переходов, основываясь на классической работе Эйнштейна, который еще в 1917 г. ввел понятие о спонтанных и индуцированных переходах. Система, состоящая из двух уровней, показана на 29. Если ?2 > ^к энергетический уровень 2 лежит выше уровня / и частица находится на уровне 2, то она может перейти на уровень /, испустив квант электромагнитного излучения /iv21 = Ег — ?\. При этом возможно как спонтанное, так и вынужденное излучение. Вероятность спонтанного излучения, т. е. того, что процесс произойдет за промежуток времени dt, составляет Л21 dt. При облучении происходит взаимодействие кванта излучения с частицами, составляющими систему, что приводит к одному из двух процессов: переходу частицы с уровня / на уровень 2 (поглощение) или, если частица была возбуждена, к обратному переходу (испускание). Вероятность, что какой-то из процессов произойдет за время dt, пропорциональна плотности излучения и (v) и поэтому может быть записана соответственно В12 и (v) dt и В21 и (v) dt.

Процессы электромеханического преобразования энергии в индуктивных ЭП обусловлены взаимодействием магнитных зарядов— магнитных полюсов и индуцирования электрического поля, источниками которого являются электрические заряды. Преобразование энергии в емкостных ЭП происходит за счет взаимодействия электрических зарядов и индуцирования магнитного поля, источниками которого являются магнитные заряды. Индуктивно-емкостные ЭП объединяют в одном агрегате индуктивные и емкостные ЭП и в них происходит взаимодействие магнитных и электрических зарядов.

Процессы электромеханического преобразования энергии в индуктивных ЭП обусловлены взаимодействием магнитных зарядов — магнитных полюсов и индуцирования электрического поля, источниками которого являются электрические заряды. Преобразование энергии в емкостных ЭП происходит за счет взаимодействия электрических зарядов и индуцирования магнитного поля, источниками которого являются магнитные заряды. Индуктивно-емкостные ЭП объединяют в одном агрегате индуктивные и емкостные ЭП и в них происходит взаимодействие магнитных и электрических зарядов.

В твердом теле уже нельзя рассматривать отдельно взятый атом и считать его уединенным; в нем уже содержится большое •число (АО близко расположенных атомов и между ними происходит взаимодействие. На электроны в данном случае воздействуют не только ядро собственного атома, но и ядра соседних атомов, вследствие чего характер движения электронов изменяется. Взаимодействие N близко расположенных атомов приводит к тому, что разрешенные энергетические уровни каждого из них •смещаются и расщепляются. Каждый энергетический уровень расщепится на столько близко расположенных подуровней, сколько одинаковых атомов содержится в твердом теле. В результате образуется целая полоса разрешенных энергетических уровней, или разрешенная энергетическая зона. Нижние энергетические уровни практически не расщепляются, так как они соответствуют орбитам внутренних электронов, расположенных ближе к ядру и не взаимодействующих с другими электронами.

На поверхности полупроводниковых пластин происходит взаимодействие между Р2О5 и кремнием с образованием стеклообразного фосфоросиликатного слоя:

При погружении металлического электрода в раствор его соли происходит взаимодействие ионов кристаллической решетки металла с молекулами воды и ионами, находящимися в растворе. Неко-

Хаотическое движение свободных носителей заряда. Свободные частицы в кристалле полупроводника находятся в хаотическом движении, все направления которого равновероятны, а распределение частиц по энергиям определяется законами квантовой статистики Ферми — Дирака. В отсутствие электрического поля плотности потоков электронов для любых чдвух взаимно противоположных направлений раввы: ток в кристалле равен нулю. Хаотическое движение свободных частиц характеризуется средне-статическими величинами: средней длиной свободного пробега Zcp, средним временем свободного пробега tcf> и средней тепловой скоростью fcp. Величина /ср — это среднее расстояние, которое проходит частица между двумя взаимодействиями — «столкновениями» с другими частицами, узлами кристаллической решетки и т. п. На протяжении /ср направление и значение скорости частицы можно считать неизменными. В результате взаимодействия частица может существенно изменить значение и направление скорости движения. Процессы взаимодействия частиц называют также процессами рассеяния, а неоднородности кристаллической решетки, вблизи которых происходит взаимодействие частиц, — центрами рассеяния.

В твердом теле (кристалле) соседние атомы расположены настолько близко друг к другу, что между ними происходит взаимодействие. При этом на электроны влияет не только ядро собственного атома; они подвергаются влиянию и ядер соседних атомов, вследствие чего характер движения электронов изменяется. Взаимодействие многих атомов вызывает смещение и расщепление энергетических уровней электронов. При объединении в твердом те/;е N одинаковых атомов каждый уровень энергии расщепляется на

Хаотическое движение свободных нбсителей заряда. Свободные частицы в кристалле полупроводника находятся в хаотическом движении, все направления которого равновероятны, а распределение частиц по энергиям определяется законами квантовой статистики Ферми — Дирака. В отсутствие электрического поля плотности потоков электронов для любых чдвух взаимно противоположных направлений раввы: ток в кристалле равен нулю. Хаотическое движение свободных частиц характеризуется средне-статическими величинами: средней длиной свободного пробега Zcp, средним временем свободного пробега tcf> и средней тепловой скоростью fcp. Величина /ср — это среднее расстояние, которое проходит частица между двумя взаимодействиями — «столкновениями» с другими частицами, узлами кристаллической решетки и т. п. На протяжении /ср направление и значение скорости частицы можно считать неизменными. В результате взаимодействия частица может существенно изменить значение и направление скорости движения. Процессы взаимодействия частиц называют также процессами рассеяния, а неоднородности кристаллической решетки, вблизи которых происходит взаимодействие частиц, — центрами рассеяния.

Среди параметрических магнитоупругих датчиков имеется ряд конструкций с иногда значительными различиями в принципе действия. Самый существенный отличительный признак заключен в участке магнитопровода, в котором замыкаются линии магнитной индукции и происходит взаимодействие с полем наложенных механических напряжений, т. е. в совмещенном упругочувствительном элементе датчика. Различают преобразователи, действующие на основе изменения значения магнитной проницаемости ц (с локализованным в пространстве магнитным полем), и анизотропные преобразователи (с нелокализованным в пространстве магнитным полем). Границы между ними неопределенны и могут существовать переходные формы.