Происходит возрастание

В общем случае происходит возбуждение как прямой, так и обратной волны. Действительно, имеют место два очевидных равенства

9.16. Определить частоты, на которых происходит возбуждение генератора с запаздывающей обратной связью (т, = 1 мкс) и ориентировочно изобразить временную диаграмму генерируемых колебаний. Колебательная система резонансного усилителя выполнена в виде связанных идентичных колебательных контуров, настроенных на частоту 10 МГц при Q = 20 и коэффициенте связи ? = 0,22.

При дальнейшем увеличении внешнего постоянного напряжения, приложенного к кристаллу, происходит возбуждение электронов и их переход в верхнюю зону. В этой зоне подвижность электронов уменьшается, а следовательно, уменьшается ток, протекающий через кристалл. При дальнейшем росте напряжения ток будет уменьшаться, что соответствует появлению на вольт-амперной

Лазер-усилитель (см. 26, б) световых сигналов может быт;, выполнен на основе кристалла рубина, облучаемого потоков свет:- от ртутной лампы, являющейся источником возбуждения, вследствие чего происходит возбуждение активных частиц (ионов хрома). Если в кристалл вводится сигнал с резонансной частотой, то каждый фотон сигнала стимулирует появление себе подобного фотона, строго синхронного с ним. Распространяясь в глубь кристалла, фотоны снова встречаются с возбужденными частицами и вызывают излучение новых фотонов. Усиление тем больше, чем больше путь проходит усиливаемый сигнал и чем больше возбужденных частиц имеется в кристалле.

Внутренний фотоэффект наблюдается в полупроводниках и диэлектриках. В них под действием излучения происходит возбуждение электронов. Переход электронов на более высокий энергетический уровень приводит к изменению концентрации свободных носителей заряда и, следовательно, электрических свойств вещества. При воздействии лучистой энергии на полупроводник у части валентных электронов увеличивается энергия настолько, что они преодолевают запрещенную зону и переходят в зону проводимости.

Свободные электроны, двигаясь под действием электрического поля от катода к аноду, сталкиваются с атомами газа. В результате этих столкновений происходит возбуждение и ионизация атомов газа, существенно изменяющее процесс прохождения тока через промежуток катод—анод газоразрядного прибора.

Все виды радиоактивного излучения, проходя через материал, взаимодействуют либо с ядрами атомов, либо с электронами. При этом происходит возбуждение электронов, смещение атомов из узлов решетки и возбуждение атомов и молекул частицами или квантами высоких энергий радиоактивного излучения. Вторичные явления проявляются в каскадном возбуждении и нарушении структуры материала выбитыми атомами, ионами и элементарными частицами, в результате чего изменяется структура облучаемого материала. Одним из видов изменения структуры является образование вакансий в кристаллической решетке при столкновении частиц большой энергии или при взаимодействии квантов радиоактивного излучения с атомами твердого тела. Атомы, выбитые из своих устойчивых положений в решетке, могут оставаться в промежуточном, неустойчивом положении, образуя группу внедренных атомов. Если внедренный атом рекомбиниругт с образованной им вакансией, то не возникает нового дефекта, но происходит атомное замещение, приводящее к разупорядочению кристаллической решетки.

Вкратце рассматривая процессы, связанные с электротравмами, необходимо учесть, что в живых тканях непрерывно происходит обмен веществ, подчиненный биохимическим и биофизическим закономерностям. Когда живая ткань оказывается в электрической цепи под напряжением, то происходит возбуждение молекул, при котором нарушается обмен веществ и изменяются электрические характеристики тканей. Особенность живых тканей состоит в том, что происходящие в них биофизические и биохимические процессы могут существенно изменяться в результате действия электрического тока и раздражения

синего цвета фторида тербия (TbF3). В порошковых и пленочных индикаторах происходят во многом аналогичные физические процессы. При приложении постоянного напряжения к порошковому или пленочному люминофору уровень Ферми и границы зон перехода металл — изолятор смещаются таким образом, что начинается туннелирование дырок и электронов в пленку или зерна люминофора. В результате инжекции происходит возбуждение ионов примеси Mn, Pb или TbF3, SmF3 и возникает излучательная рекомбинация. Рассмотренный механизм реализуется в приборах, где металлический электрод находится в непосредственном контакте с люминофором и при питании индикатора постоянным током. В общем случае механизм свечения пленочных и порошковых электролюминесцентных слоев обусловлен рекомбинацией носителей заряда, инжектированных кристаллом люминофора и электродами или образованных в результате туннельного эффекта и ударной ионизации. Электролюминесцентные индикаторы зачастую имеют диэлектрические слои между электродами и люминофором ( 12.6,6). Поскольку пробивная напряженность диэлектрика превышает пробивную напряженность люминофора, то при увеличении приложенного напряжения ZnS пробивается раньше и «горячие» электроны возбуждают ионы примеси.

Возбуждение атомов газа. Если на пути свободного пробега АСВ (от столкнрвения до столкновения) электрон не приобретает энергии, достаточной для ударной ионизации, то при столкновении с атомом происходит возбуждение нейтрального атома —перевод электрона на более высокий энергетический уровень ( 1.10).

Добавочная энергия заряженных частиц сообщается молекулам, с которыми они сталкиваются. Если эта энергия достаточно велика, происходит возбуждение атомов и молекул, связанное с переходом электрона на более удаленную от ядра орбиту, или даже ионизация молекул, т. е. их расщепление на электроны и положительные ионы. Условие, определяющее возможность ионизации:

электронов из валентной зоны в зону проводимости. Поскольку сильно увеличивается количество электронов и дырок (собственная электропроводность преобладает над примесной), то проводимость полупроводника резко возрастает. Температура гкр, начиная с которой происходит возрастание проводимости, называется критической или температурой вырождения. Хотя ?кр и зависит от концентрации примесных носителей, определяющим параметром для нее является ширина запрещенной зоны (чем шире запрещенная зона, тем больше и /хр). Так, если для кремния г1р«330°С, то для германия Гкряй 100°С.

Таким образом, чем больше выражен индуктивный характер нагрузки трансформатора, тем значительнее уменьшается напряжение на его вторичной обмотке с ростом тока нагрузки (кривая 3, 12.5). Можно показать, что при чисто активной нагрузке внешняя характеристика трансформатора будет более жесткой (кривая 2, 12.5). При емкостном характере нагрузки с увеличением тока нагрузки происходит возрастание напряжения на зажимах вторичной обмотки трансформатора (кривая /, 12.5).

Анализ показывает, что в интервале скольжений от s = 0 до s = SK механическая характеристика будет устойчивой, так как dM/ds > 0, т. е. при возрастании момента нагрузки на валу происходит возрастание мо-

Активную мощность синхронной машины можно представить в виде выражения Р — mUIcosy. Из этой формулы видно, что при Р = const и изменении тока возбуждения активная составляющая тока якоря также должна оставаться постоянной, т. е. /а —/coscp — = const. Это значит, что при изменении тока якоря в процессе изменения тока возбуждения проекция тока якоря на вектор напряжения должна оставаться постоянной, что может быть достигнуто, если конец вектора /, изменяясь, будет перемещаться по прямой В, перпендикулярной вектору напряжения О. Явления, происходящие при изменении тока возбуждения синхронного генератора в заданных условиях, иллюстрируются векторной диаграммой (см. 15.9). При некотором значении тока возбуждения /„ генератор возбуждает ЭДС, значение которой равно Е. При увеличении тока возбуждения до значения /в происходит возрастание ЭДС до значения Е'. Дальнейшее возрастание тока возбуждения до /" приводит к увеличению ЭДС до значения Е". Как видно из диаграммы, изменяясь по величине в соот-

Потребляемая из питающей сети мощность Р\ растет несколько быстрее, чем полезная мощность на валу PI, так как с ростом нагрузки происходит возрастание тока /, потребляемого из сети, а следовательно, возрастание электрических потерь мощности в обмотках якоря, пропорциональных квадрату тока якоря.

В дальнейшем будем рассматривать только сильное поле на поверхности, для которого Нте>Нкр. Если х±>0, то в области 0<х<л;1 происходит возрастание ц, что соответствует сильному полю на поверхности ( 2-3).

На 2.26 схема шчески показано возникновение магнитного потока в массивном сердечнике полюса. Пусть в начальный момент времени ток возбуждения и магнитный поток полюса равны нулю. Затем ток в обмотке быстро возрастает до какого-то значения /н, чему соответствуют МДС FB = lwH и установившийся поток Ф. Однако при быстром изменении потока (в данном случае происходит возрастание потока) в< всех контурах, связанных с этим потоком, возникает ЭДС

В схеме форсированного иозбуждения (т, = 2,2 сек) происходит возрастание тока возбуждения, стремящегося к

При увеличении напряжения происходит возрастание магнитного потока и, следовательно, увеличение тока холостого хода и магнитных

Продольная щель с рядом ребер и уширений 4, за счет которых происходит возрастание продольного градиента напряжения, изображена на 6-5, г.

Выбор коэффициента полюсного перекрытия. Расчетный коэффициент полюсного перекрытия «в, как следует из (1-1), непосредственно влияет на степень использования машины: с увеличением од возрастает использование машины. Однако это приводит к уменьшению межполюсного расстояния т—Ьр, происходит возрастание потоков рассеяния главных полюсов, увеличивается проникновение поля главных полюсов в зону коммутации, и в результате ухудшается коммутация машины.