Происходит вытеснение

Действие неподвижных ребер может быть объяснено следующим образом. Ребра оказывают тормозящее действие на поток в пазухе, вследствие чего происходит выравнивание давлений в па-svxe.

Как отмечалось выше (см. гл. 1), положение уровня Ферми в полупроводниках определяется концентрацией примесей в них. Чем больше эти примеси, тем больше смещены уровни Ферми относительно середины запрещенной зоны- При контакте двух полупроводников, имеющих различные концентрации примесей (а следовательно, и различное положение уровней Ферми), происходит выравнивание уровней Ферми, в результате которого энергетические зоны искривляются в месте контакта и образуется потенциальный барьер.

При А3н.-х>0 регулирование потребления электроэнергии экономически оправдано. Однако, несмотря на простоту выражений (9.4) и (9.5), их практическое применение оказывается затруднительным, особенно в части выявления возможной величины снижения максимальной нагрузки предприятия в часы максимума энергосистемы. При снижении максимальной нагрузки предприятия в период максимума нагрузки энергосистемы происходит выравнивание графика нагрузки последней или, как го-

В симметричном переходе концентрации свободных носителей заряда выравниваются в плоскости раздела р- и л-областей ( 2.17, а). В несимметричном переходе плоскость, в которой происходит выравнивание концентраций, не совпадает с плоскостью раздела областей, а сдвинута по отношению к ней в менее легированную область (в р-об-ласть на 2.17, б). С этой точки зрения различают металлургический (плоскость /) и физический (плоскость 2) переходы. Слой между плоскостями / и 2 имеет измененный тип электропроводности по отношению к исходному, до осуществления контакта между областями, и называется инверсным. В дальнейшем для простоты будем рассматривать симметричный резкий переход. При этом каждую из областей будем считать достаточно протяженной, чтобы можно было не учитывать краевые эффекты.

В ряде случаев концентрация свободных носителей заряда может достигать очень больших значений. Это обычно может происходить, например, при воздействии ионизирующих излучений: рентгеновских и гамма-лучей, потоков нейтронов и т.п. Заряженные ионы, так же.как и окружающие их не имеющие электрического заряда молекулы газа, совершают беспорядочные тепловые движения, и вследствие диффузии происходит выравнивание концентрации ионов в газе. При встрече положительных и отрицательных ионов происходит их рекомбинация. В стационарном случае, когда число ионов не изменяется с течением времени, между процессами генерации и рекомбинации заряженных частиц устанавливается динамическое равновесие.

Таким образом, на первой стадии процесса происходит снижение (или повышение) средней частоты в системе, при этом возникают качания генераторов относительно друг друга и одновременно за счет синхронных связей происходит выравнивание мгновенных значений частоты отдельных станций.

При движении управляющего элемента выключателя и подходе его к конечному отрезку пути этот элемент открывает путь световому лучу на фотодиод В2 и затемняет ВЗ. В результате фотодиод В2 открывается, ВЗ закрывается, происходит выравнивание напряжений ul и и2 и в момент, когда ul превысит и2 на необходимое значение, происходит резкий переброс уровня выходного напряжения от максимального положительного значения до максимального отрицательного. При этом транзистор VT1 закрывается, a VT2 открывается и выходное напряжение приобретает высокий уровень. Этот сигнал приводит к срабатыванию путевого выключателя.

Получение элементов интегральной схемы. Здесь роль триодов, диодов, резисторов, конденсаторов и других элементов выполняют отдельные области в полупроводнике,- имеющие такие же свойства и характеристики, как и указанные детали. Для интегральных схем используют в основном кремний. Диск диаметром примерно 25 и толщиной до 0,25 мм, разрезают на отдельные пластинки, которые шлифуют, полируют, обезжиривают, травят, промывают и высушивают. Основными процессами создания п- или р-области являются маскирование, травление, диффузия и эпитаксиалыюе выращивание. Ряд дополнительных процессов необходим для создания изолирующих прослоек между формируемыми областями. Маскирование кремния осуществляют термическим окислением его поверхности в атмосфере кислорода или водяного пара; при высокой температуре образуется слой двуокиси кремния толщиной в несколько десятков микрон. Такой слой в достаточной мере непроницаем для основных акцепторных и донорных примесей, вводимых диффузией. Затем фотохимическим методом на слое SiO2 образуют кислотоупорную маску. Путем травления плавиковой кислотой удаляют участки слоя SiO2, не защищенные маской, после чего маску растворяют. Через образованные «окна» осуществляется введение примесей в кремний. Диффузия легирующих примесей, в качестве которых используют в основном бор (акцептор) и фосфор (донор), производится из газовой фазы в потоке газа — носителя при температуре 1200 -W 1300° С; примеси относительно быстро диффундируют при этой - температуре через «окна» в слое двуокиси кремния и не пропускаются им на других участках. Применяют обычно двухступенчатый процесс диффузии: вначале легирующая примесь диффундирует йа небольшую глубину; высокая степень легирования обозначена символом-«+» ( 13.9). Кремниевая заготовка при температуре 1200° С подвергается окислению'в воздушной атмосфере, с целью образования нового защитного слоя SiO2. После этого осуществляется дополнительно диффузия ранее захваченной примеси под слоем SiO2 и происходит выравнивание ее концентрации. Наличие защитной пленки SiO2 позволяет проводить диффузию на втором этапе длительно без ухудшения состояния поверхности кремния. В дальнейшем,- чередуя эти процессы, получают тонкие p-n-p-переходы. Этим методом удается получить топкие диффузионные слои порядка 0,25 мкм и более.

Несмотря на простоту выражений (13.3), (13.4) их практическое применение затруднительно в части выявления возможного снижения максимальной нагрузки предприятия в часы максимума энергосистемы. При снижении максимальной нагрузки предприятия в период максимума нагрузки происходит выравнивание графика нагрузки энергосистемы или, как говорят, его уплотнение.

В гибких токопроводах применяется вну-трифазная транспозиция, при которой провода каждой фазы по всей длине токопровода располагаются по пологой спирали. Благодаря этому происходит выравнивание индуктивных сопротивлений проводов фазы и токорас-пределения между ними [9.1]. При отсутствии транспозиции неравномерность токораспреде-ления колеблется от. 2 до 30 % в зависимости от диаметра расщепленной фазы и расстояния между осями фаз.

Обмотки УПТ1 и УПТ2 подключаются на компенсационную обмотку КО и дополнительные полюсы ДП двигателей и действуют встречно друг другу. Результирующая намагничивающая сила (н. с.) этих обмоток при равных токах в цепи двигателей равна нулю. При расхождении токов двигателей разность н. с. обмоток УПТ1 и УПТ2 вызывает появление напряжения на зажимах УП такой полярности, при которой ток возбуждения генератора более загруженного двигателя уменьшается, а ток возбуждения генератора менее загруженного двигателя увеличивается, в результате этого происходит выравнивание нагрузки. На рисунке указанная полярность усилителя УП соответствует случаю, когда двигатель М2 более загружен, чем двигатель ML

Вначале не предполагалось делать эту печь скоростной из-за разностенности заготовок. Однако проведенные эксперименты показали возможность применения скоростного нагрева и здесь, поскольку при переносе от печи к прессу перегревшиеся более тонкие места охлаждаются быстрее, а недогревшиеся толстые — медленнее (анализ этого эффекта дан в гл. 4), и происходит выравнивание температуры.

При использовании роторов с двойной короткозамкнутой обмоткой или с глубоким пазом во время пуска двигателя, когда частота тока ротора равна частоте сети, происходит вытеснение тока к поверхности ротора, так как внутренние части обмотки ротора имеют большее индуктивное сопротивление и меньшую плотность тока J, чем вблизи поверхности ротора. В результате увеличивается эквивалентное сопротивление R2 и соответственно возрастает пусковой момент. При номинальном режиме частота тока и, следовательно, индуктивное сопротивление обмотки ротора малы, ток протекает по всему сечению стержня и сопротивление R2 много меньше, чем при пуске.

С ростов* частоты возрастает роль вихревых токов, происходит вытеснение магнитного поля из толщи экрана, что эквивалентно уменьшению магнитной п^рон:и:и;аегчлости, и экран^ переходит в электромагнитный реэким^ работы. 14<1агнитный экран одинаково пригоден для защиты от воздействия внешнего магнитного поля и внешнего простран:ства от ллагнитного поля, созданного источниколл внутри экрана. "Эффективность экранирования магнитостатическим экраном можно определить, по формуле G) = 1 -+- \±dI Г> , где ц —относительная магнитная проницаемость.

магнитный поток рассеяния ротора замыкается примерно, так, как показано на 10.32, а. Поэтому индуктивность частей сечения обмотки, лежащих глубже в пазу, большая. В начале пуска, когда частота тока ротора велика, в этих частях сечения резко сказывается индуктивное сопротивление, ограничивая ток в них. В результате плотность тока по высоте стержней обмотки получается неравно-мерной ( 10.32,6). Происходит вытеснение тока из внутренних слоев обмотки, лежащих ближе к оси ротора, в слои, расположенные у поверхности ротора. Следовательно, сечение стержней недоиспользуется, что равносильно увеличению активного сопротивления обмотки при пуске, а это

В начальный момент пуска при s = 1 частота изменения тока в роторе большая и распределение тока по параллельным слоям определяется в основном их индуктивным сопротивлением. Поэтому при пуске происходит вытеснение тока в «верхние» слои (плотность тока А

них участках должны протекать меньшие токи, чем в верхних; другими словами, происходит вытеснение тока к наружным частям проводника. Соответственно этому характер распределения плотности тока по высоте проводника определяется кривой / на 23-Н, б. Вытеснение тока происходит в двигателях любого исполнения. Но при обычной высоте проводника, порядка 10 — 12 мм, оно мало заметно. Наоборот, в глубокопазных двигателях, при высоте стержня 20 — 50 мм, оно проявляется весьма сильно и заметно изменяет параметры ротора.

В режиме больших скольжений (s > 0,5) происходит вытеснение тока в пазовых участках стержней. Например, коэффициент повышения омического сопротивления при /гс = 4 см и /2 = 50 гц, kr = 0,4.

В начальный момент пуска при s=l частота изменения тока в роторе большая и распределение тока по параллельным слоям определяется в основном их индуктивным сопротивлением. Поэтому при пуске происходит вытеснение тока в «верхние слои» (плотность тева Д по высоте проводника распределяется, как показано на 5.9, в, кривая /), что равносильно увеличению активного сопротивления стержня и приводит к повышению пускового момента двигателя. При S^SHOM частота тока /2=/is в роторе мала (например, при /i = 50 Гц и s = 0,02 частота /2= 1 Гц) и соответственно меньше его индуктивное сопротивление Х2а. Вытеснения тока в этом случае не происходит; он распределяется приблизительно равномерно по высоте стержня ( 5.9, в, кривая 2). В результате резко уменьшаются активное сопротивление ротора и потери мощности АРЭл2. Одновременно изменяется поток рассеяния Ф<т2, а следовательно, и сопротивление Х2'.

Активное сопротивление любого проводника больше его омического сопротивления, т. е. сопротивления этого проводника постоянному току, так как плотность переменного тока из-за поверхностного эффекта неравномерна по сечению проводника. В результате поверхностного эффекта происходит вытеснение тока к поверхности и сопротивление проводника возрастает, а следовательно, растут и потери энергии на нагрев проводника.

Таким образом, ток i, а стало быть, и плотность тока тем больше, чем меньше еа, т. е. происходит вытеснение тока в верхнюю часть

Таким образом, в двухклеточном двигателе при пуске происходит вытеснение тока ротора по направлению к воздушному зазору, как и в глубокопазном двигателе.

разделить на ряд цилиндрических слоев, параллельных оси проводника. Чем ближе слой к оси проводника, тем с большим числом индукционных линий он сцеплен. При изменении тока, проходящего через проводник, изменяется и магнитное поле. В слоях проводника это поле наводит э. д. с., противодействующую изменению тока. Это противодействие тем больше, чем больше наведенная э. д. с., т. е. чем больше индукционных линий имеет сцепление с рассматриваемым слоем, а следовательно, тем больше, чем ближе слой к оси проводника. Таким образом, поверхностные слои проводника имеют меньшие э. д. с., противодействующие изменяющемуся току, а сердцевидные слои, лежащие около оси проводника, имеют большие э. д. с., противодействующие току проводника, вследствие чего происходит вытеснение тока к периферии проводника. Это и есть поверхностный эффект.