Происходит рекомбинация

Соединения, основанные на деформации контактируемых деталей, проводов или выводов, выполняются в холодном состоянии. Под действием значительных механических усилий, приложенных к этим элементам, происходит разрушение оксидных пленок и образование надежного вакуум-плотного соединения. Оно характеризуется высокой механической прочностью, низкой стоимостью, легко поддается механизации, не создает помех в цепях низкого напряжения.

При нейтронном излучении (промежуточные и быстрые нейтроны) плотность излучения измеряется числом нейтронов, прошедших через единицу площади облучаемого тела перпендикулярно его поверхности (1 см2, 1 м2). Нейтронная единица дозы (нед) —доза нейтронного излучения, вызывающего в тканеэквивалентном газе массой 1 кг образование путем ионизации ионов с суммарным зарядом в, 1 Кл. Тканеэквивалентный газ имеет следующий состав: 64,4% метана, 32,5% углекислого газа и 3,1% азота.. Воздействие нейтронного облучения на такой газ аналогично влиянию на органические вещества, ибо и здесь и 'там при нейтронном облучении происходит разрушение органических молекул.

При наличии помех, отличающихся по форме от принимаемого ШПС, происходит разрушение фазовой структуры помехи. При этом сжатия помехи согласованным фильтром не происходит. Выделение полезного сигнала на фоне помехи осуществляется тем лучше, чем выше база сигнала NC=F<:TC.

В позитивном фоторезисте под действием света происходит разрушение молекул. При проявлении такой фоторезист удаляется с освещенных участков, а на поверхности пластины остается позитивное изображение фотошаблона.

Амплитуда импульса считывания должна быть такой, чтобы сердечник не входил в насыщение при считывании нуля, т. е. Un ^ 2ВгШр/т;. При дроссельном считывании также происходит разрушение записанной в сердечник информации, так как после считывания индукция в сердечнике близка к -\-Вг.

Соединением накруткой называют такой метод монтажа проводов, при котором провод, предназначенный для соединения, накручивают с предварительным натягом на стержень прямоугольного сечения. В процессе накрутки ребра штыря вдавливаются в монтажный провод. Под влиянием усилия накрутки происходит пластическая деформация провода и частичная деформация ребра штыря. При этом происходит разрушение поверхностной оксидной пленки как провода, так и штыря. Поскольку в качестве материала монтажных проводов чаще всего используется медь, то, подбирая по твердости материал штыря, можно добиться соответствующей деформации провода и штыря. В качестве материалов для штырей используют сплавы меди: твердые латуни и бронзы. Такие штыри допускают трехкратную заделку провода. Однако сам провод повторной заделке не подлежит. Однажды накрученный провод после его демонтажа теряет свою пластичность, при повторной заделке легко ломается и не обеспечивает качественного соединения.

Как следствие такого воздействия происходит разрушение малого объема (10~14—10~15 см3) диэлектрика с образованием побочных, иногда химически активных продуктов. При многократном повторении ЧР поверхность включения постепенно разрушается, на ней появляются локальные углубления. Затем разряды концентрируются в этих углублениях, последние со временем растут, образуя в диэлектрике узкие разветвленные («древовидные») каналы-щели. По мере удлинения каналов электрическая прочность изоляции снижается. Процесс завершается полным пробоем изоляции по пути, подготовленному длительным действием ЧР.

При температуре выше определенного значения, называемого точкой Кюри, происходит разрушение доменной структуры и магнитные материалы теряют свои ферромагнитные свойства. Для разных материалов точка Кюри имеет разные Значения, ЯВЛЯЯСЬ параметром магнитнго материала.

пряжении. Под действием частичных разрядов в газовом включении протекают различные процессы, которые приводят к разрушению диэлектрика в объеме, примыкающем к газовому включению. Одним из таких процессов является образование дендритов — ветвящихся тонких (диаметром 1 мкм) трубочек, заполненных образующимся в результате разложения полимера газом. Дендриты в ходе роста ветвятся и с течением времени пронизывают всю толщу диэлектрика, замыкая электроды заполненным газом каналом, по которому происходит пробой изоляции. Такой механизм пробоя наблюдается в бумажно-масляной изоляции кабелей, в изоляции на основе эпоксидных смол. Если изоляция работает в условиях повышенной влажности, то могут развиваться и водные дендриты. В слоистой изоляции на основе полимерных пленок под действием частичных разрядов происходит разрушение поверхности пленки. В ре^зульта-те уменьшения толщины уменьшается ее пробивное напряжение. Старение неорганических 'диэлектриков протекает более интенсивно на постоянном напряжении. В процессе ионной электропроводности происходит перенос ионов, т. е. вещества, что приводит к необратимому изменению химического состава материала в объеме образца или изделия. Поэтому ?ир диэлектрика может уменьшить-

При отсутствии эмиттерного тока (цепь эмиттера разомкнута) через транзистор протекает ток обратно смещенного коллекторного перехода /Кбо. Этот ток протекает через цепь коллектор — база, создавая в базовом выводе ток /б=— /кбо- Величина тока /кво при нормальных температурах мала (единицы микроампер). При повышении температуры происходит разрушение связей между атомами в кристалле и количество «еосновных носителей резко

В отсутствие внешнего поля все ферромагнитное тело оказывается разделенным на небольшие области, намагниченные антипараллельно, что в энергетическом отношении наиболее выгодно, так как вся система в целом обладает минимумом энергии. При температурах выше точки Кюри (например, для железа 760°С) скорости движения электронов становятся настолько большими, что происходит разрушение доменов, т. е. вещество теряет свои ферромагнитные свойства.

При соприкосновении полупроводников в пограничном слое происходит' рекомбинация (воссоединение) электронов и дырок. Свободные электроны из зоны полупроводника и-типа занимают свободные уровни в валентной зоне полупроводника р-типа. В результате вблизи границы двух полупроводников образуется слой,

Рекомбинация является основным процессом, влияющим на величину т. Различают непосредственную рекомбинацию и через ловушки. Непосредственная рекомбинация электрона и дырки наблюдается сравнительно редко (например, в элементах, выполненных из арсенида галлия). В кремнии основную роль всегда играет рекомбинация через ловушки, т. с. через особые уровни, расположенные вблизи середины запрещенной зоны. Уровни ловушек образуются за счет специальных примесей или наличия дефектов кристаллической решетки полупроводника. Чем больше в полупроводнике ловушек, тем интенсивнее происходит рекомбинация и соответственно меньше т.

При контакте полупроводников в пограничной области происходит рекомбинация электронов и дырок. Так как концентрация электронов в л-области больше, чем в р-области, то часть электронов диффундирует из л-области в р-область. При этом в р-области, у границы раздела, окажутся избыточные электроны, которые будут занимать вакантные ковалентные связи. Соответ-

Формирование p-n-перехода. Предположим, что /(-«-переход образован электрическим контактом полупроводников «- и /7-типа с одинаковой концентрацией донорных и акцепторных примесей ( 16.5, и). На границе областей возникают градиенты концентраций электронов и дырок. Вследствие того, что концентрация электронов в «-области выше, чем в /7-области, возникает диффузионный ток электронов из /7-области в «-область. А из-за того, что концентрация дырок в /(-области выше, чем в «-области, возникает диффузионный ток дырок из /7-области в «-область. В результате диффузии основных носителей заряда в граничном слое происходит рекомбинация. Приграничная /7-область приобретает нескомпенсированный отрицательный заряд, обусловленный отрицательными ионам:д. Приграничная «-область приобретает нескомпенсированный положительный заряд, обусловленный положительными ионами.

При снятии напряжения поле, создаваемое электродами в междуэлектродном пролюжутке, исчезает, и-потому приток энергии к электронам прекращается. Заряды, остающиеся в разрядном промежутке (плазме), содержащем примерно одинаковое количество электронов и ионов, исчезают не сразу, а постепенно в течение некоторого времени, пока происходит рекомбинация электронов и ионов в нейтральные атомы (иолекулы) газа.

Светодиоды (электролюминесцентные диоды) преобразуют энергию электрического поля в оптическое излучение видимой части спектра. Явление свечения в светодиоде называют электролюминесценцией. Основой светодиодов является р-и-переход, смещенный внешним источником напряжения в проводящем направлении. При этом электроны из п-области полупроводника инжектируют в р-область, где они являются неосновными носителями заряда, а дырки — во встречном направлении. В дальнейшем происходит рекомбинация избыточных неосновных носителей заряда с электрическими зарядами противоположного знака. Рекомбинация электрона и дырки соответствует переходу электрона из энергетического состояния Ес в энергетическое состояние ?„ с меньшим запасом энергии. В германии и кремнии ширина запрещенной зоны сравнительно невелика (соответственно 0,72 и 1,11 эВ), поэтому выделяемая при рекомбинации энергия передается кристаллической ре-

Рассмотрим наиболее простой частный случай — постоянство концентрации носителей заряда, с которыми происходит рекомбинация неравновесных носителей. Этот случай реализуется, например, в полупроводнике с явно выраженной примесной электропроводностью при введении в него неосновных носителей заряда в небольшом количестве. Тогда появление неравновесных неосновных носителей заряда не вызывает существенного изменения концентрации основных, с которыми происходит рекомбинация. Время жизни при этом оказывается постоянным, а количество носителей заряда, рекомбинировавших в единицу времени в единице объема, пропорционально первой степени избыточной кон-

Здесь Spcn — эффективная площадь полосы по периметру эмиттера, где происходит рекомбинация инжектированных носителей. Для бездрейфовых транзисторов можно считать, что ширина этой полосы примерно равна толщине пассивной области базы.

Когда пакет носителей доходит до коллекторного перехода, неосновные носители заряда вытягиваются из базы, ее электрическая нейтральность нарушается; следовательно, основные носители тоже выходят из базы. Если бы в базе не происходила рекомбинация, вышедший из базы заряд оказался бы равным вошедшему, т. е. среднее значение тока базы оказалось бы равным нулю. Однако через вывод базы протекает переменный ток, связанный с изменением заряда носителей в базе. Так как в базе происходит рекомбинация, выходящий из нее заряд несколько меньше входящего, что и дает некоторое ненулевое значение среднего тока базы.

Электропроводность газообразных диэлектриков. В слабых электрических полях удельная проводимость газов весьма мала. Например, удельное объемное сопротивление воздуха при нормальных условиях равно 1018 Ом-м. Ток в этих условиях возникаете результате перемещения свободных ионов и электронов, которые образуются под действием ионизирующих излучений земной коры, космических лучей, ультрафиолетового излучения солнца, нагрева. Такие факторы ионизации называют внешними факторами. Наряду с ионизацией в газе происходит рекомбинация, возникающая вследствие объединения положительных ионов и электронов, совершающих хаотическое непрерывное тепловое движение. В результате рекомбинаций образуются молекулы газа, не имеющие заряда.

Прямая ветвь ВАХ. Ток рекомбинации. В области р-п-перехода, как и в нейтральных областях полупроводника, происходит рекомбинация носителей. Электроны п-облас-ти, обладающие достаточной энергией, могут попасть в обедненный слой и рекомбинировать там с дырками, приходящими из р-области ( 2.10). При этом электроны уходят из «-области, а дырки— из р-области. Вследствие такого движения носителей возникает дополнительный прямой ток, называемый током рекомбинации. Полный прямой ток р-л-перехода складывается из тока инжекции /инж, опредляемого из (2.12), и тока рекомбинации /рек. Следовательно, в реальном p-n-переходе прямой ток больше, чем в идеализированном.