Происходит распределение

В кристаллической решетке вследствие взаимодействия атомов происходит расщепление разрешенных энергетических уровней на множество уровней с малой разницей энергий, т. е. в некоторых интервалах энергий возникают зоны разрешенных уровней, также разделенные запрещенными зонами ( 2, в).

Работа рубинового лазера происходит по трехуровневой схеме. Трехвалентный ион хрома имеет электронную конфигурацию 1 s22 s2, 2 р6 3 s 3 р6 3 d3, т. е. на его внешней оболочке находится три d-электрона.Основным состоянием свободного иона хрома является 4.F3/2. т. е. оно характеризуется четырехкратным вырождением по спину и семикратным орбитальным вырождением (2 L + 1 = 7). В электростатическом поле, создаваемом ионами кристалла (матрицы), происходит расщепление состояний свободного иона хрома на ряд энергетических уровней: 4А2, *Рг, Fz, 2E и т. д. Если обратиться к трехуровневой схеме (см. 33,а), то основному уровню / соответствует состояние М2, метастабильному 2 — состояние *F, а уров-

Расщепление уровней энергии W\, W2 и образование энергетических зон .при сближении N одинаковых атомов (Л/ = 5) схематически показано на 4. При большом расстоянии между атомами они почти не влияют один на другой, и их можно считать уединенными. При их сближении до расстояния d = d2 начинает сказываться влияние одного атома на другой и происходит расщепление энергетического уровня W2 на пять дискретных значений. При дальнейшем уменьшении расстояния до d=d\ произойдет расщепление энергетического уровня W\. При неко--тором значении расстояния d=d0 в твердом теле будут существовать две разрешенные энергетические зоны AW] и AW2. Каж-,дой зоне соответствует определенная область энергии, которая характеризуется минимальным и максимальным значениями энергии. Ширина такой разрешенной зоны зависит только от расстояния между соседними атомами. Так как в 1 см3 твердого •тела число атомов равно 1022—1023 (число Авагадро), то при ширине разрешенной зоны, например, в 1 эВ интервал между со-• седними энергетическими уровнями в энергетической зоне будет порядка Ю-22—Ю-23 эВ.

Однако при некоторых условиях в диэлектриках происходит расщепление молекул на ионы (например, под действием высокой температуры или в сильном поле); в этом случае диэлектрики теряют свои изолирующие свойства и становятся проводниками.

В сильном электрическом поле, как указывалось, происходит расщепление молекул диэлектрика на ионы и тело, которое в слабом поле было диэлектриком, становится проводником. Напряженность электрического поля, при которой начинается ионизация молекул диэлектрика, называется пробивной напряженностью (электрической прочностью) диэлектрика. Величина напряженности электрического поля, которая допускается в диэлектрике при его использовании в электрических установках, называется допустимой напряженностью. Допустимая напряженность обычно в несколько раз меньше пробивной. Отношение пробивной напряженности к допустимой определяет запас прочности.

газе ( 3. 21, б) во много раз меньше, чем в воздухе ( 3.21 в). Кроме того, дуга в элегазе имеет склонность к петлеобразованию (особенно в области перехода тока через нулевое значение ( 3.21, г); в ряде случаев происходит расщепление ствола дуги на отдельные волокна ( 3.21, д). Это приводит к закорачиванию отдельных участков дуги, скачкообразному ее перемещению и увеличению эрозии контактов.

2. Рекомбинация молекулярного иона с электроном, в результате которой происходит расщепление возникшей молекулы на два нормальных либо возбужденных атома (диссоциативная рекомбинация).

Угол наклона первого участка кривой (участка ионизации примесей) с увеличением концентрации примесей уменьшается, так как с увеличением концентрации примесей из-за взаимодействия примесных атомов происходит расщепление примесных энергетических уровней и уменьшение энергии ионизации примесей. Поэтому ДЗЛ>АЗд>ЛЭл'. При достаточно большой концентрации примесей (N'') энергия ионизации примесей стремится к нулю, так как образовавшаяся примесная зона перекрывается с зоной проводимости. Такой полупроводник является вырожденным (полуметаллом).

На 1.2, а схематически показано расщепление энергетических уровней W± и W2 электронов в одиночном атоме при образовании системы из шести одинаковых атомов (N = 6). При достаточно большом расстоянии г между атомами они почти не влияют друг на друга. При сближении атомов до расстояния г — г2 происходит расщепление энергетического уровня W2 на шесть дискретных значений. Дальнейшее уменьшение расстояния до величины г — г1 сопровождается расщеплением энергетического уровня Wi-При некотором значении г = г0 в системе образуются две совокупности дискретных энергетических состояний, лежащих в интервале между А№\ и AIF2 и называемых энергетическими зонами. Энергетические зоны AWj и AW2 при г — г0 разделены промежутком А \^3, не содержащим энергетических состояний. Такой энергетический промежуток принято называть запрещенной зоной. Запрещенные зоны соответствуют таким значениям энергии, которыми электрон не может обладать. При дальнейшем сближении атомов наступает перекрытие энергетических зон AWt и AW2, т. е. заполнение запрещенной зоны AW3, Уровни энергии, занятые электронами при температуре абсолютного нуля и отсутствии внешних воздействий, образуют в твердом теле заполненные зоны. Совокупность энергетических уровней валентных электронов образует так называемую нормальную, или валентную, зону. Разрешенные уровни энергии, которые остаются не занятыми при температуре абсолютного нуля, составляют в твердом теле свободную зону. Ее нижнюю часть называют зоной проводимости, поскольку уровни, входящие в нее, могут занимать электроны, получившие дополнительную энергию при нагреве или другим путем.

В слабых полях ударная ионизация отсутствует и самостоятельной электропроводности не обнаруживается. При ионизации газа, обусловленной внешними факторами, происходит расщепление молекул на положительные и отрицательные ионы. Одновременно часть положительих ионов, соединяясь с отрицательными частицами, образует нейтральные молекулы. Этот процесс называется рекомбинацией.

мерно 0,05% Хрома. В решетке парамагнитные ионы хрома Сгзн~ замещают часть ионов А13+. При помещении рубина в постоянное-магнитное поле Н0 происходит расщепление энергетических уровней иона хрома на подуровни ( 11.19), отстоящие друг от друга на определенных расстояниях A?, зависящих от //„. В частности, нижний уровень Сг3+ с J = 3/2 расщепляется на 4 подуровня, между которыми с помощью накачки можно создать инверсную населенность. Такое расщепление показано на 11.19-Однако для иона Сг3+ в кристалле, из-за влияния соседних атомов,, расстояния между подуровнями оказываются неодинаковыми и разрешены переходы с А/п^=±1. Изменяя напряженность постоянного поля //„, можно изменять резонансные частоты и, таким образом, перестраивать рабочую частоту усилителя. Усилитель работает при температуре жидкого гелия и используется для усиления колебаний в диапазоне К > 1 см.

На 10.13, а приведена упрощенная структурная схема аналогового электронного фазометра. Фазометр содержит два одинаковых канала: опорный и измерительный. В состав этих каналов входят усилители-ограничители УО, формирующие прямоугольные импульсы иг и и2 ( 10.13, б) из синусоидальных напряжений. Прямоугольные импульсы с выходов обоих каналов поступают на дифференцирующие и распределяющие цепи ДЦ, которые служат для формирования из прямоугольных импульсов коротких положительных и отрицательных импульсов и3, и4, соответствующих фронтам и срезам прямоугольных импульсов. Вместе с этим происходит распределение импульсов дифференцирующих цепей между ключами KI, /(2 так, что ключ Ki замыкается положительным импульсом опорного канала и размыкается отрицательным импульсом измерительного канала, а ключ К2 размыкается отрицательным импульсом опорного канала и за-

Основные элементы системы электроснабжения. Важным элементом в электроснабжении промышленных предприятий являются подстанции. Они служат для приема, преобразования и распределения электроэнергии. В зависимости от назначения, Мощности и напряжения подстанции подразделяются на узловые распределительные подстанции (УРП) — ПО—500 кВ; главные понизительные подстанции (ГПП) — ПО—220/6= 10—35 кВ; подстанции глубоких вводов (ПГВ)—ПО—220/6-10 кВ; распределительные пункты (РП) — 6—10 кВ; цеховые трансформаторные , подстанции (ТП) — 6— 10/0,38—0,66 кВ. На ГПП электроэнергия, получаемая от источника питания, трансформируется с напряжения ПО—220 кВ на напряжение 6—10 кВ (иногда 35 кВ), при котором происходит распределение электроэнергии по территории предприятия и питание электроприемников высокого напряжения.

сопротивление. Вытеснения тока в этом случае не происходит; распределение его проходит приблизительно равномерно по высоте стержня ( 5.32, б, кривая 2). При этом резко уменьшается активное сопротивление ротора и потери мощности АРЭл2'. одновременно увеличивается поток рассеяния Фст2, а следовательно, и сопротивление Х'г.

На ГПП трансформируется энергия, получаемая от источника питания, с напряжения 110—220 кВ обычно на напряжение 6—10 кВ (иногда 35 кВ), на котором происходит распределение энергии по подстанциям предприятия и питание электроприемников на этом же напряжении.

Указанные статистические закономерности большого числа измерений позволяют поставить вопрос о законе, по которому происходит распределение случайных погрешностей. В практике электрорадиоиз-мерений наиболее распространенным законом распределения погрешностей является гауссовский закон распределения. Аналитически он описывается выражением

После этого подкисленный водный раствор уранилнитрата смешивается с разбавленным ТБФ, ^образующим органическую фазу для экстракции. При экстракционном процессе происходит распределение растворенного уранилнитрата между органической и водной фазами *. Основная часть ура-

После этого подкисленный водный раствор уранилнитрата смешивается с разбавленным ТБФ, ^образующим органическую фазу для экстракции. При экстракционном процессе происходит распределение растворенного уранилнитрата между органической и водной фазами *. Основная часть ура-

Формирование импульсов происходит на выходе той логической схемы, на выходе которой в данный момент времени имеет место совпадение сигналов. Таким образом, происходит распределение импульсов на противофазные тиристоры. Формирователи ФИ1 и ФИ2 предназначены для формирования и усиления выходных импульсов. Для управления шестифазным мостовым преобразователем применяют три идентичных канала. Такие формирователи-усилители в настоящее время наиболее перспективны среди многоканальных систем.

В том случае, когда заряды расположены только на одной поверхности диэлектрика и нет рядом металлических конструкций, электрическое поле создается между заряженной поверхностью и нейтрализатором ( 39,а). Ионы движутся в поле к нейтрализуемым зарядам на поверхности. Если с другой стороны диэлектрика находится металлический лист ( 39,6), то электрическое поле возникает еще между зарядами и металлическим листом. Этот случай рассматривался на эквивалентной схеме (см. 13,6) как параллельное соединение конденсаторов. Конденсатор С\ представляет собой емкость между заряженной поверхностью и нейтрализатором, а конденсатор Ci — емкость между заряженной поверхностью и металлическим листом. При этом происходит распределение заря-

Выбор схемы питания промышленного предприятия электроэнергией производится на основании тщательного технико-экономического сравнения вариантов. Весьма существенным при этом является выбор первичного напряжения, при котором происходит распределение электроэнергии на предприятии. Одним из главных факторов, определяющих величину первичного напряжения, является характер потребителей и особенно их номинальные напряжение и мощность. Так, например, когда на предприятии имеется значительное количество двигателей высокого напряжения мощностью 200— 1000 кет, целесообразным является распределение энергии на напряжении 6 кв. Это объясняется тем, что двигатели указанной мощности изготовляются на номинальное напряжение 6 кв. При наличии сети напряжением 10 кв необходимо для питания двигателей устанавливать трансформаторы 10/6 кв, что в большинстве