Происходит образование

В кэш, представленной на 14.2, в колонке могут помещаться не более четырех блоков, принадлежащих разным рядам, но имеющих один и тот же номер внутри ряда. При таком выполнении устройства достаточно в ячейке МА фиксировать номер ряда (разряды 1 — 12 адреса), к которому принадлежит помещаемый в кэш блок информации. Ячейка МА содержит также разряды действительности vo и v\, устанавливаемые в 1 в зависимости от того, к какому из двух двойных слов происходит обращение (определяется разрядом 21 адреса).

На 14.8 показано соответствие между виртуальной и физической памятями, устанавливаемое страничной таблицей, причем видно, что физические страницы могут содержаться в текущий момент времени как в оперативной, так и во внешней памяти. Страничная таблица для каждой программы формируется операционной системой в процессе распределения памяти и перерабатывается ею каждый раз, когда в распределении памяти производятся изменения. Процедура обращения к памяти состоит в том, что номер виртуальной страницы извлекается из адреса и используется для входа в страничную таблицу, которая указывает номер соответствующей физической страницы. Этот номер вместе с номером байта, взятым непосредственно из виртуального адреса, представляет собой физический адрес, по которому происходит обращение к ОП.

Если нужной информации нет в ассоциативной памяти (ББП), то делается попытка сократить время преобразования путем исключения одного дополнительного обращения к ОП (первый этап на 14.9, а). Может оказаться, что страница, к которой происходит обращение, принадлежит сегменту предыдущего обращения к ОП. В аппаратуре преобразования адресов сохраняются номер сегмента и адрес начала его страничной таблицы для предыдущего обращения. Если совпадают номера сегментов текущего и п^едаадилесо o6
Во втором случае происходит обращение к странице, отсутствующей в памяти верхнего уровня. Эта ситуация называется страничным сбоем, так как программа не может дальше выполняться, пока нужная страница qt не будет переписана из памяти нижнего уровня в память верхнего уровня, что сопряжено с потерями времени. Поскольку в памяти верхнего уровня нет свободного места, из нее приходится удалять некоторую страницу vt, с тем чтобы на ее место можно было поместить страницу qt- Если во время пребывания страницы о/ в памяти верхнего уровня в нее производилась запись, эта страница при замещении должна переписываться в память нижнего уровня. Такая процедура называется процессом замещения страниц, а правило, по которому при возникновении страничного сбоя выбирается страница vt&St для удаления из памяти верхнего уровня,— алгоритмом замещения.

Команды LDS и LES используются, в основном, при обращении к данным, находящимся вне текущих сегментов DS или ES, так, что возникает необходимость изменить базовый адрес сегмента. Пара 16-разрядных адресов — база сегмента и смещение в сегменте, называемая указателем, предварительно загружается в память. Относительный адрес указателя определяется значениями полей mod и г/т постбайта команды LDS (или LES). Значение смещения содержится в двух первых байтах указателя, а базовый адрес сегмента — в третьем и четвертом байтах. По команде LDS (или LES) происходит обращение к указателю и осуществляется загрузка регистра DS (или ES) базовым адресом, а смещение пересылается в регистр, указанный полем reg постбайта команды.

Принимаемая с адресной шины информация дешифрируется. Если происходит обращение к ОЗУ, то старшие разряды адреса определяют микросхемы ОЗУ, в ячейки которых производится обращение; младшие разряды в результате дешифрации в самих микросхемах определяют выбираемые в них ячейки. Дешифратор DC выдает низкий уровень лог. О на выходе, соответствующем выбираемым микросхемам. На выходе ВК ОЗУ сигнал будет иметь активный уровень лог. О, если уровень лог. О возникает на соответствующем выходе DC. Если при этом подается сигнал чтения из памяти ЧтП уровня лог. О, то ВК ШФ

Если младший байт размещается в ячейке блока памяти с четными адресами, то при поступлении на блок четного адреса (А„ = 0), и управляющего сигнала БПН = 0 происходит обращение одновременно в оба блока. В блок с нечетными адресами (или из него) передается младший байт величины, а в блок с четными адресами (или из него) передается старший байт величины. Таким образом, передача двухбайтовой величины осуществляется при одном обращении к памяти. Если же младший байт передаваемой двухбайтовой величины размещается в ячейке блока памяти с нечетными адресами, то обмен такой величиной потребует двух обращений к памяти: при первом обращении подается нечетный адрес и сигнал БПН = 0, происходит обращение в блок с нечетными адресами и осуществляется передача младшего байта, затем адрес увеличивается на единицу (при этом он принимает четное значение) и подается сигнал БПН=1, происходит обращение в блок с четными адресами и осуществляется передача старшего байта. Таким образом, при обращении к памяти требуется не только указывать адреса, но и сообщать сведения о том, является ли передаваемая величина однобайтовой или двухбайтовой.

Адрес колонки следующей МК формируется так: старший разряд МА;, сохраняет то же значение, что и в адресе текущей МК; двум средним разрядам МА2, MAj сообщается комбинация значений 01; в младший разряд заносится значение признака (т. е. содержимое триггера Ф, триггера С либо триггера Z), по которому производится условный переход. Таким образом, в зависимости от значения признака происходит обращение в одну из двух соседних ячеек памяти МК.

В табл. 5.15 показано размещение микрокоманд в ячейках ПЗУ и последовательность, в которой происходит обращение к этим ячей-

Таким образом, при появлении на выходе ПР сигнала прерывания (уровня лог. 0) буфер ВБ2 в БМУ закрывается и на входы Астр ПЗУ поступает высокий уровень напряжения (уровня лог. 1) от источника питания +5В через резисторы R. В ПЗУ происходит обращение к ячейке с адресом (31, 15), где помещается первая МК прерывающей программы.

При наличии запроса прерывания БПП устанавливает на выходе ПР уровень лог. 0; этим сигналом в БМУ закрывается буфер ВБ2, происходит обращение к ячейке ПЗУ с адресом (31, 15), откуда считывается первая МК прерывающей программы. В процессе выполнения прерывающей микропрограммы в регистре ОУ должен быть восстановлен (путем вычитания единицы из содержимого регистра) адрес первой МК участка микропрограммы, переход к которому не произошел из-за выполнения прерывания.

На второй стадии происходит образование на поверхности более твердого из соединяемых материалов центров, активных в химическом отношении. Активный центр упрощенно—это частицы со свободными валентностями, которые могут возникнуть при разрыве связей в кристалле, в местах образования дефектов. Для активирования поверхностей вводится дополнительная энергия: тепловая, деформации, ультразвуковая. При сварке плавлением цепная реакция растекания с выделением энергии поверхностного натяжения увеличивает площаь контакта вокруг каждой точки взаимодействия. Отдельные контактные пятна начинают сливаться в более крупные очаги схватывания, происходит коллективизация валентных электронов, которая приводит к образованию металлической связи между контактирующими поверхностями.

В МДП-транзисторе с индуцированным каналом при напряжении С/зи = 0 канал отсутствует и соответственно при приложении разности потенциалов между стоком и истоком Um ток стока /с = 0. При превышении положительным напряжением на затворе определенного напряжения U0 происходит образование канала за счет притяжения собственных электронов подложки к затвору под действием электрического поля. Напряжение С/0, начиная с которого образуется канал (возникает ток стока), принято называть напряжением отсечки или пороговым напряжением. При ?/зи > U0 в МДП-транзисторах с индуцированным «-каналом увеличение напряжения на затворе будет приводить к уменьшению сопротивления канала, за счет обогащения поверхности электронами. Ток стока /с при этом увеличивается. На 2.26 (кривая 1) приведена стоко-затворная ВАХ для МДП-транзистора с индуцированным «-каналом. Эта

Качественно полученные результаты можно пояснить следующим образом. Пусть в некоторой области примесного полупроводника, например га-типа, генерируются носители заряда. Допустим, что происходит независимая диффузия неравновесных носителей заряда в соответствии с коэффициентами диффузии Dn и Dp. Если Dn>Dp, то диффузионный поток электронов превышает диффузионный поток дырок, в результате чего происходит образование объемного заряда электронов. В той части образца, откуда происходит диффузия, накапливается положительный объемный заряд дырок. В возникшем вследствие образования объемных зарядов электрическом поле потечет ток, обусловленный как основными, так и неосновными носителями заряда, который нейтрализует объемные заряды. Поскольку ток основных носителей заряда во много раз превышает ток неосновных носителей заряда, электронейтральность восстанавливается за счет перераспределения в пространстве основных носителей заряда. Это происходит для основных носителей заряда за время максвелловской релаксации: тм=

Без разделительного слоя контактная система может оказаться нестабильной. Так, в двухслойной контактной системе Сг — Аи вследствие взаимной диффузии металлов происходит образование твердых растворов, приводящее к увеличению (на порядок) сопротивления контакта. При большом различии в скоростях диффузии атомов металлов, из которых образована контактная система, может наблюдаться эффект Киркендал-ла - образование в слое металла с большей скоростью диффузии скоплений вакансий, при развитии приводящих к образованию разрывов сплошности в слое металла.

В_пятом обращении происходит образование поразрядных функций St 4- pi и Stpi, где Si — сумма в разряде без учета переносов

Из за высокой концентрации энергии в месте разряда в нем развиваются высокие температуры, благодаря чему металл выступов плавится и испаряется, а на их месте на поверхности обоих электродов образуются лунки. Прл этом в зоне разряда образуется газовый пузырь из паров металла и рабочей жидкости и под действием высокого давления паров и динамических усилий капли расплавленного металла выбрасываются за пределы электродов и застывают в рабочей жидкости в виде мельчайших шариков. После окончания импульса разряда происходит деионизация разрядного промежутка. Если восстановление электрической прочности в месте развития разряда успевает произойти до начала нового импульса напряжения, то следующий разряд возникает уже в другом месте. В результате снимаются микроне-ровности на обоих электродах. Однако в месте разряда происходит образование лунок, поверхность остается шероховатой, благодаря чему местные разряды продолжаются и с обоих электродов постепенно снимаются все новые порции металла. Естественно, что электроды по мер<; их срабатывания необходимо сближать.

в форму, где вследствие химической реакции происходит образование полимера. Уникальной технологической особенностью полимеризации мономеров в формах является возможность получения деталей с толщиной стенок без ограничения в большую сторону.

Хлористый аммоний добавляется в агломератную смесь и вводится в электролиты солевых марганцево-цинковых и воздушно-марганцево-цинковых элементов. Из-за гигроскопичности хлористого аммония при поглощении им влаги происходит образование твердых 'плотных ком.ков. Перед введением в агломератную смесь производится его дробление и рассев. Дробление хлористого аммония осуществляется на небольшой щековой дробилке, устройство которой показано на 67.

При растворении окиси цинка в раствор едкого кали происходит образование раствора цинката калия:

Высоковольтная поляризация. Всякая поляризация, связанная с образованием зарядов, создает внутри диэлектриков некоторую противо-э. д. с. поляризации. В большинстве случаев эта противо-э. д. с. поляризации невелика. Однако в ряде случаев происходит образование сильно сосредоточенных пространственных зарядов, вызывающих появление весьма больших разностей поляризационных потенциалов, направленных противоположно потенциалам, приложенным к электродам. Эта разновидность поляризации получила название высоковольтной поляризации. Она была достаточно подробно изучена А. Ф. Иоффе, который показал, что высоковольтная поляризация устанавливается довольно медленно, иногда часами, что она практически не наблюдается при частотах выше звуковых, а также и при достаточно высоких температурах,

К смесительному диоду подводится сигнал и напряжение от специального генератора — гетеродина. В связи с нелинейностью ВАХ диода происходит образование сигнала разностной (промежуточной) частоты. Дальнейшее усиление входного сигнала осуществляется на этой промежуточной частоте, которая должна быть выше частот, соответствующих низкочастотным шумам, обратно пропорциональным частоте.