Происходит формирование

В конденсаторе, включенном в тепловые схемы ТЭС и АЭС, создается глубокое разряжение (~0,03— 0,05 кПа), при этом он работает в режиме вакуумного деаэратора. Наряду с конденсацией пара при низкой температуре в конденсаторе происходит достаточно глубокая деаэрация конденсата.

Матрицы на основе МОП-транзисторов обеспечивают наиболее высокую плотность компоновки элементов, имеют минимальную потребляемую мощность, однако уступают по быстродействию матрицам на биполярных транзисторах. На 3.9 показан фрагмент ПЛМ на МОП-транзисторах. Здесь штриховые контуры обозначают границы тонкого оксида, что свидетельствует о наличии МОП-транзисторов в соответствующих областях матрицы (состояние логической единицы). В ПЛМ на КМОП-тран-зисторах для сокращения числа нагрузочных р-МОП-транзисторов Та ( 3.10) можно применить тактирование импульсом (ТИ). При подаче на вход ТИ напряжения низкого уровня закрывается заземляющий п-МОП транзистор Т3, открываются транзисторы Тн и происходит заряд емкостей выходных шин до напряжения логической единицы. Входные сигналы на шинах a, b заряжают входные емкости транзисторов матрицы. При подаче напряжения высокого уровня тактовыми импульсами закрываются транзисторы Гн, открывается транзистор Т3. Так как транзисторы матрицы уже подготовлены (их входные емкости заряжены), происходит достаточно быстрое установление уровней напряжения на выходах ПЛМ.

При использовании операционных усилителей существенно упрощаются схемы многих видов генераторов, в том числе и мультивибраторов. Схема мультивибратора на операционном усилителе приведена на 82, а. Работа мультивибратора происходит следующим образом. В начальный момент после включения напряжений источников питания (на схеме для упрощения не показанных) напряжение на выходе операционного усилителя А может несколько отличаться от нуля вследствие неидеальной балансировки усилителя по постоянному току. Пусть, к примеру, это весьма малое напряжение будет положительным. Через цепь положительной обратной связи (ГЮС), образованной резисторами Rl, R2, напряжение ?/поо подается на неинвертирующий вход операционного усилителя, усиливается им, снова подается на вход и т. д., пока усилитель не переключится в состояние насыщения и напряжение на его выходе не станет максимально возможным, равным ^нас (весьма близким к напряжению источника питания). Это переключение происходит достаточно быстро — доли-единицы микросекунд — и определяется полосой пропускания операционного усилителя. К инвертирующему входу операционного усилителя подключен конденсатор С, напряжение на котором в начальный момент равно нулю. После переключения конденсатор начинает заряжаться через сопротивление R, подключенное к выходу усилителя, и напряжение на нем начинает возрастать ( 88, б):

почти до ы2- В это время диод Д2 закрыт. В следующий полупериод открывается Д2 и происходит зарядка конденсатора С2. Диод Д\ згкрыт. Так как конденсаторы С\ и С2 включены последовательно, напряжение на нагрузке R,, удваивается. При соответствующем выборе параметров схемы разрядка конденсаторов через RH происходит достаточно медленно. В выпрямителях с больными токами применяют индуктивные фильтры ( 18.12), которые являются

Предположим теперь, что якорь после достижения тока в обмотке величины /о и потокосцеплении $бчо переместился из положения 6j в положение ба (2.2,б). Если перемещение происходит достаточно медленно, ток в обмотке можно- считать неизменным. То же самое будет, если электромагнит имеет последовательную обмотку, в цепи которой включено большое сопротивление, так что ЭДС, наведенная в обмотке при любом изменении ее по-гокосцепления, будет мала по сравнению с питающим напряжением. К ранее запасенной энергии, соответствующей площади (В + Г), в процессе перемещения якоря добавляется энергия, пропорциональная площади (Е+Д) В конечном положении (при зазоре 62) запас магнитной энергии поля электромагнита пропорционален площади (В + Е). Тскда энергия, пропорциональная

вии нагрузок может проявляться механический резонанс, т. е. при условии со»р амплитуда колебаний таких элементов увеличивается. Если изменение частоты возмущающих колебаний происходит достаточно быстро, резонанс не проявляется, система не успевает «раскачаться». Для того чтобы амплитуда колебаний достигла своего максимального значения, должно пройти некоторое время, зависящее от демпфирования системы. Если демпфирование равно нулю, то время раскачки должно быть бесконечным. На практике в системе всегда наблюдается демпфирование и, следовательно, время раскачки всегда конечно.

Из сказанного следует, что транзистор может работать с малыми потерями м высоким КПД только при условии, если он длительно находится либо в режиме отсечки, либо в режиме насыщения, а переход из одного режима в другой происходит достаточно быстро. На этом основан принцип действия мощных усилителей, работающих в так называемом режиме переключения. На 22-8 приведена диаграмма токов, поясняющая работу такого усилителя. Управляющий ток 1Ъ подается на базу импульсами, относительная длительность которых характеризуется коэффициентом заполнения

Запирание диода происходит достаточно быстро и обусловлено различием в скоростях увеличения напряжения на выводах диода.

из одного режима в другой происходит достаточно быстро. На этом

2. С начала 70-х гг. постепенно происходит достаточно резкое усиление зависимости США от импорта нефти: 25% в 1973 г. и примерно 40% в конце 70-х гг. по сравнению с 11% в 1970 г. При этом внутрирегиональные связи ослабляются, что вызвано как стремлением Канады к сокращению экспортно-импортных операций и максимальному использованию собственных ресурсов нефти для внутренних нужд страны, так и уменьшением доли внутрирегиональных поставок в резко возросшем объеме импорта нефти. Поставки нефти из стран, находящихся вне пределов региона (преимущественно стран Ближнего и Среднего Востока и Северной Африки), в конце 70-х гг. достигают более 90%. Экспортные цены на канадскую нефть в этот период соответствуют ценам на нее в международной торговле; во внутренних ценах на нефть в США также проявляется тенденция их увязки с мировыми ценами.

Для молибдена при температуре 1600° С, когда процесс распада твёрдого раствора примесей внедрения происходит достаточно полно, можно принять следующие значения величин, входящих в уравнение (3.8): ткр = 0,25 кгс/мм2, *Mo2:=12000 кгс/мм2; Е = = 23500 кгс/мм2, v = 0,3; /-=5- Ю-3 мм; 60 = 0,06. Тогда г0 = = 3-10~4 мм, т. е. около 0,3 мкм.

Процесс функционирования АЛ изготовления ТОП следующий. Основные диэлектрические лавсановые мононити и токопро-водящие нити сматываются с катушек магазина (шпулярника), проходят общую направляющую и разделительные гребенки, входят в ремизы и лица зевообразовательного механизма и через бердо поступают в зону формирования структуры ТОП в ткацком модуле. В процессе выработки ТОП происходит формирование диэлектрического основания платы с расположенными на нем контактными узлами. Наработанная тканая объединительная плата в виде непрерывной ленты отводится из ткацкого модуля.

Для повышения скорости работы УА с хранимой в памяти логикой используются различные методы. Чаще всего осуществляется совмещение отдельных действий, задаваемых микрокомандой, что особенно существенно при использовании многофазных микрокоманд. Например, двухфазные микрокоманды могут выполняться с совмещениями вида, указанного на 8.5. В такте t работы осуществляется выполнение микроопе» раций i-й микрокоманды ВЫП MKi, a одновременно с этим происходит формирование адреса очередной микрокоманды ФЛ+i и ее выборка BblBi+\. При таком совмещении адрес (/+ + 1)-й микрокоманды формируется 1-й микрокомандой с учетом значений оповещающих сигналов, представляющих собой результаты (i—1)-й микрокоманды. Учет результатов i-й микрокоманды может осуществляться только (l-f.l)-B микрокомандой при формировании адреса (/+2)-й микрокоманды.

перенастройка параметров или структуры регуляторов таким образом, чтобы обеспечить оптимальные условия работы замкнутой системы во всем диапазоне изменений параметров. По способу организации процесса адаптации системы могут выполняться как поисковые и беспоисковые, т. е. с автоматическим поиском оптимальных условий работы и без него. Кроме того, по уровню адаптации системы разделяются на самонастраивающиеся, в которых на основе динамических характеристик объектов или системы и информации о параметрах внешних воздействий, получаемой в процессе работы, осуществляется изменение параметров регуляторов, и самоорганизующиеся, в которых на основе текущей информации о состоянии объекта происходит формирование алгоритма управления и изменение не только параметров регуляторов, но и их структуры.

Первой сушкой заканчивается процесс формирования слоя фоторезиста. На этом этапе наряду с удалением растворителя происходит формирование структуры полимерной пленки фоторезиста. Условия сушки в значительной степени влияют на качество фотолитографии в целом ( 3.9). Максимальную температуру сушки выбирают для каждого типа фоторезиста. Она определяется температурой деструкции его молекул. При превышении максимальной температуры изображение или не проявляется, или для его проявления требуется слишком большое время, что приводит к росту числа дефектов в резистивной пленке.

В момент, когда эти напряжения становятся равными, происходит формирование импульса. Фазу импульса можно регулиро-вать,изменяя величину постоянного напряжения.

При построении сумматоров, в которых происходит формирование сигнала переноса в четных разрядах

мого голсвкой сигнала от нескольких милливольт до нескольких вольт. Второй каскад устраняет сигнал помехи, отсекая уровень выше максимальной амплитуды шума. Поэтому на выход схемы ограничения будут проходить только сигналы, которые превышают пороговый уровень. В последнем каскаде происходит формирование выходного сигнала.

Устройства, в которых происходит формирование или преобразование импульсных сигналов, называют импульсными. Класс импульсных устройств весьма широк. В качестве самостоятельных направлений импульсной техники можно выделить, например, создание цифровых, индикаторных и модулирующих устройств.

Обозначения С, И, 3 соответствуют использованным ранее, обозначение Я — подложка прибора. В этих транзисторах проводящий канал наводится (индуцируется) под действием входного управляющего напряжения. Когда напряжение между стоком и затвором равно нулю, проводимость между стоком и истоком практически отсутствует. При увеличении напряжения на входе до значения е0 канал становится проводящим. Это минимальное значение напряжения затвор-исток, при котором происходит формирование проводящего канала, часто называют пороговым. При дальнейшем увеличении напряжения на затворе проводимость канала начинает расти, ток канала увеличивается. Таким образом, МДП-транзистор с индуцированным каналом работает только в режиме обогащения. В.а.х. МДП-транзи-стора с /г-каналом показаны на 3.49, а, б. Понятие масштабного тока здесь несколько иное, чем для полевого транзистора с управляющим /7-л-переходом: в данном случае ic = /м при иа = 2е0 и ий — е0 ( 3.49, б).

После окончания tv происходит формирование отрицательного фронта импульса коллекторного тока tr- длительность которого зависит от амплитуды запирающего тока базы /62. При достаточно больших /62

адрес из РА выдается в шину адреса и поступает в УП, где происходит чтение очередной МК. Процесс чтения завершается к моменту времени t%, и с этого момента в ОУ поступает МК ОУ и начинается процесс исполнения МК, который завершается к моменту /3. В момент /4 (на положительном фронте синхросигнала) полученный в ОУ результат фиксируется в соответствующем регистре. В БМУ в интервале времени /3 ... /4 под действием МК БМУ происходит формирование адреса очередной МК и фиксация его в момент /4 в РА и т. д.