Происходит частичная

Отклонение частоты колебаний генератора с самовозбуждением от заданной может происходить вследствие неточности установки частоты и нестабильности частоты генератора. Неточность обусловлена погрешностью градуировки и установки шкалы настройки генератора. Нестабильность вызвана действием дестабилизирующих факторов, к которым относятся механические деформации, сотрясения деталей, изменение питающих напряжений и физических условий (температуры, давления, влажности и др.). Стабильность частоты генераторов для радиовещания, радиосвязи, телевидения должна быть от 0,02 до 0,0015% и выше.

При сопоставлении вариантов схем электрических сетей, обеспечивающих различную степень надежности электроснабжения, необходимо знать вероятную длительность перерывов электроснабжения для того, чтобы иметь возможность оценить вызванный ими народнохозяйственный ущерб. Перерывы электроснабжения могут происходить вследствие аварийных простоев и плановых ремонтов элементов системы электроснабжения — линий электропередачи, трансформаторов, коммутационной аппаратуры и т. д. Авария какого-либо элемента системы электроснабжения и связанный с ней аварийный простой может рассматриваться как случайное событие. Под событием в теории вероятностей [Л. 14-1] понимается всякий факт, который в результате опыта может произойти или может не произойти. Применительно к элементам систем электроснабжения под событием будем понимать их состояние — рабочее, аварийный простой, плановый ремонт.

Обеднение поверхностных слоев примесями ( 5.16) может наблюдаться при диффузии в течение длительного времени из ограниченного источника. Такой же эффект можно наблюдать во время термической обработки кристаллов с диффузионными слоями, сформированными при использовании неограниченного постоянного источника. Обеднение поверхностных слоев примесями может происходить вследствие их испарения с поверхности.

Саморазряд может происходить вследствие окислительно-восстановительных процессов с участием солей металлов, которые существуют в разновалентной форме. Например, в случае загрязнения электролита хлористым железом РеС12 или хлорным железом РеС13 наблюдается на положительном электроде окисление хлористого железа до хлорного железа. В этом процессе двуокись марганца является окислителем. Образовавшееся хорошо растворимое хлорное железо на отрицательном электроде окисляет цинк до окиси или гидрата окиси цинка, а само восстанавливается до хлористого железа. Хлористое железо, находящееся в растворе,

Ухудшение во времени характеристик изоляции в условиях нормальной эксплуатации называют естественным старением. Кроме того, ухудшение изоляции может происходить вследствие ошибок персонала, а также из-за непредвиденных аварийных или стихийных обстоятельств.

Пробой загрязненных жидкостей может происходить вследствие образования между электродами мостиков из капелек эмульсионной воды и механических загрязнений, затягиваемых электрическим полем в пространство между электродами. Особенно вредно с этой точки зрения наличие во влажном масле различных волокон, которые поглощают влагу и легко образуют сплошные цепочки — мостики, замыкающие электроды. При таком механизме пробоя электрическая прочность жидких диэлектриков оказывается катастрофически низкой. Очевидно, что на образование таких мостиков требуется сравнительно много времени, которое зависит как от концентрации загрязнений, так и от формы электродов и расстояния между ними. При кратковременном приложении напряжения, например в виде импульсов, образование сплошных мостиков невозможно.

При изменении потокосцепления в контуре возникает э. д. с. собственной индуктивности, причем изменение *PL может происходить вследствие изменения тока и индуктивности контура L. Поэтому в общем случае

Кроме перечисленных, так называемых гамма-процессов на катоде, испускание электронов поверхностью катода может происходить вследствие авто- и термоэлектронной эмиссий. Авто-

Выбросы сверх установленных норм могут происходить вследствие аварий, возникающих при отказах систем и оборудования АЭС. Большинство таких аварий возможно только при наличии нескольких одновременных отказов систем нормальной эксплуатации, являющихся исходными событиями развития

Биение маховика может происходить вследствие неправильной обработки, перевалки при шабрении ступицы, неправильной установки клиньев или перекоса на шпонках. Часто эти дефекты можно

4. Протекание тока через окисные пленки. При наличии окис-ной пленки между зернами увеличение тока может происходить вследствие туннельного прохождения носителей через пленку, а также вследствие ее частичного пробоя.

Рост /КБО может быть обусловлен увеличением генерационного тока (§ 1.9), тока утечки по поверхности, а также лавинным пробоем р—«-перехода. Наиболее предпочтительным для использования в р—л—р—«-структурах является механизм увеличения тока за счет лавинного умножения, так как при других механизмах растет ток через структуру до включения, что ухудшает ее ключевые свойства. Рост тока в зависимости от напряжения может также происходить вследствие увеличения h2lB с напряжением ( 3.2,6).

За время обучения в вузе в условиях НТР происходит частичная или даже полная смена поколений технических решений и в какой-то степени принципиальных установок на проектирование образцов новой техники. В радиоэлектронике, например,

Инжектированные через эмиттерный переход электроны проникают вглубь базы, для которой они являются неосновными носителями. В базе происходит частичная рекомбинация электронов с дырками. Однако если база тонкая, то преобладающая часть электронов достигает коллекторного перехода, не успев рекомби-нировать. При этом электроны попадают в ускоряющее поле коллекторного перехода. В результате экстрации электроны быстро втягиваются из базы в коллектор и участвуют в создании тока коллектора.

электронов в базу. Происходит частичная рекомбинация электронов, но основная их часть поступает к коллекторному переходу и за счет экстрации достигает коллектора. Сопротивление транзистора резко уменьшается, а ток коллектора /к-»/кнас-

При таком методе прошивок происходит частичная взаимная компенсация помех, создаваемых р—2 парами сердечников, т. е. компенсируются помехи всех пол у возбужденных сердечников кроме двух. На рисунке знаками «-{-» и «—» показана полярность э. д. с., возникающих в шине считывания /—2 при считывании. Знаки в кружках указывают полярность э. д. с, в выходной шине при обходе по контуру. Здесь усредненное значение результирующей э. д. с., индуктируемой в шине считывания при выборке любого сердечника матрицы, определяется выражением:

Хотя вп-области при этом и происходит частичная рекомбинация положительных и отрицательных зарядов, однако благодаря малой толщине n-слоя большая часть дырок успевает продрейфовать к переходному слою между базой и коллектором. В переходном слое между базой и коллектором носители положительных зарядов оказываются под воздействием сильного электрического поля, образованного источником ЭДС ?н (обычно Ен^>Еу). Под действием этого поля дырки втягиваются в область коллектора и движутся к электроду коллектора. Таким образом, большая часть дырок, вышедших из эмиттера и прошедших в л-область, устремляется к коллектору (потенциал коллектора отрицателен по отношению к потенциалу базы и потенциалу эмиттера).

Путем обработки бумаги в процессе ее производства некоторыми органическими соединениями повышают ее нагревостойкость при работе в нефтяном масле до класса Е. Такая стабилизированная бумага предназначена для вит-ковой изоляции масляных высоковольтных трансформаторов. Стоимость этой бумаги несколько выше, чем обычной. При обработке бумаги уксусной кислотой (процесс ацети-лирования) происходит частичная замена гидроксильных групп ацетильными неполярными группами СН3СОО. Аце-тилированная бумага, разработанная швейцарской фирмой

В большинстве примесных полупроводников всегда имеется некоторое количество неосновной примеси — акцепторов в полупроводниках п-типа и доноров в полупроводниках р-типа. В этом случае электронам с донорных уровней оказывается энергетически выгодней перейти на уровни акцепторов. При этом образуются неподвижные положительные заряды ионизированных доноров и отрицательные заряды ионизированных акцепторов. Происходит частичная компенсация примеси. Характер проводимости такого полупроводника определяется тем, какая примесь является основной. Концентрация основных носителей определяется разностью концентраций основной и неосновной примесей и равна для полупроводников п-типа

Ксли Яа меньше мощности потерь в резонансном контуре, то происходит частичная компенсация потерь. Добротность резонансного контура возрастает, и схема недет себя как частично регенерированный контур, т. е. как одноконтурный пара метрически и усилитель.

Хотя в /г-области при этом и происходит частичная рекомбинация Положительных и отрицательных зарядов, однако благодаря малой толщине /г-слоя большая часть носителей положительных зарядов успевает продрейфовать к переходному слою между базой и коллектором. В переходном слое между базой и коллектором носители положительных зарядов оказываются под воздействием сильного электрического поля, образованного источником э. д. с. ?„ (обычно ?„^>?у). Под действием этого поля носители положительных зарядов втягиваются в область коллектора и движутся к электроду коллектора. Таким образом, большая часть носителей положительных зарядов, вышедших из эмиттера и прошедших в n-область, устремляется к коллектору (потенциал коллектора отрицателен по отношению к потенциалу базы и потенциалу эмиттера).

Концентрация атомов примесей в области базы во много раз меньше концентрации атомов примесей в области эмиттера. Благодаря этому дырочный ток через p-n-переход эмиттер—база много больше электронного тока. При сниженном потенциальном барьере между эмиттером и базой энергетический уровень основных носителей зарядов достаточен, чтобы от эмиттера к базе, соединенной с минусом э.д.с. ?у, двигались дырки. В области базы происходит частичная рекомбинация их с электронами. Но большая часть дырок благодаря малой толщине /г-слоя успевает продрейфовать к p-n-переходу между базой и коллектором. В этом слое дырки оказываются под воздействием сильного электрического поля, образованного источником Е„, в результате чего дырки движутся

Ковкой достигается не только изменение формы заготовки, но и улучше* ние ее механических свойств. Исходной заготовкой при ковке может быть слиток или прокат. При ковке слитка происходит частичная заварка пористости и раковин. Микроструктура металла становится полосчатой (волокнистой). Полосчатость является стойким образованием и не может быть разрушена ни термической обработкой, ни последующей обработкой давлением. Металл с явновыраженной полосчатостью микроструктуры характеризуется анизотропией механических свойств. При этом параметры прочности (предел текучести, временное сопротивление и др.) отличаются незначительно друг от друга по разным направлениям, а параметры пластичности (относительное удлинение, ударная вязкость и др.) вдоль волокон выше, чем поперек их.