Происходят вследствие

Другой причиной непропаев является наличие оксидов в припое и истощение олова в ванне. Скорость окисления в перекачиваемой ванне в 18 раз выше, чем в спокойной, при этом происходят следующие реакции окисления и восстановления:

Активирование заключается в том, что на поверхности, сенсибилизированной двухвалентным оловом, происходит реакция восстановления ионов каталитического металла. Обработку проводят в растворах благородных металлов, преимущественно палладия (PdCl2 — 0,5 ... 4 г/л, НС1 — 10 ... 20 мл/л, остальное — дистиллированная вода) в течение 5 ... 7 мин. На плате происходят следующие реакции:

Окисление обычно проводят в обезвоженном (сухом) кислороде или в парах воды. При этом пластины кремния помещают в проходящую через печь открытую кварцевую трубу, через которую пропускают поток окислителя. Температуру процесса поддерживают в интервале 1 000—1 250 °С. При окислении кремния в сухом кислороде и в парах воды происходят следующие реакции:

За время рассасывания происходят следующие изменения токов и напряжений в триггере: ток базы Ti изменяет направление и становится равным /ci-zl еще более уменьшается по абсолютному значению и напряжение на базе Т±, которое принимает малое отрицательное значение, близкое к — (е0§ — /б!-2гбн)-Поскольку ток коллектора Tlt равный /кн и напряжение на коллекторе, равное — t/KHb за время рассасывания не изменяются, то на входе инвертора на транзисторе Тг напряжение постоянно. По этой причине базовый и коллекторный токи Т2, как и напряжения на его электродах, постоянны. Они имеют те же значения, что и до воздействия запускающего импульса.

После завершения процесса переключения транзисторов мультивибратор переходит во второе, квазиустойчивое состояние равновесия. В этом режиме транзистор 7\ насыщен, транзистор Г2 заперт. За время пребывания мультивибратора в квазиустойчивом состоянии равновесия происходят следующие процессы. Первый из них — сравнительно быстрый процесс зарядки ускоряющего конденсатора С2. Конденсатор С2, который в длительно устойчивом состоянии равновесия был заряжен до малого напряжения UС2 =Uei +1^кн21 ~ ^бь теперь начинает заряжаться от источника —Е через резистор RKZ ( 6.63). Постоянная времени цепи зарядки- конденсатора С2

'После окончания действия внешнего импульса ывх(/) транзистор 7\ вновь включается за счет протекания базового тока 1^ — E/Rs от источника питания +?. Начинается процесс восстановления начальных условий в схеме. При этом происходят следующие процессы:

Во время разряда аккумулятора в нем происходят следующие процессы. У пластины с губчатым свинцом отрицательные ионы радикала серной кислоты SO4 вступают в реакцию со свинцом, образуя сернокислый свинец и выделяя при этом два элементарных отрицательных заряда. Они поступают во внешнюю часть цепи и направляются к пластине РЬО2, при этом со стороны электролита прибывают новые ионы SO4. Одновременно положительные ионы водорода Н+ у другой пластины с двуокисью свинца РЮ2 вступают в реакцию с образующейся здесь сернокислой двуокисью свинца РЬ(5О4)2. Каждых два положительных иона образуют с одной молекулой сернокислой двуокиси молекулу сернокислого свинца и переходящую в раствор молекулу серной кислоты, оттягивая при этом из внешней части цепи два элементарных отрицательных заряда. Уравнение этого процесса записывается так:

При столкновении пучка ускоренных электронов с поверхностью металла происходят следующие процессы: 1) проникновение электронов в толщу металла, торможение их и превращение кинетической энергии в тепловую; 2) возникновение вторичной электронной эмиссии с бомбардируемой поверхности; 3) превращение части энергии электронов пучка (при резком торможении в электрических полях атома) в энергию рентгеновского излучения,

Если необходимы дополнительные обращения в оперативную память, то после такта Т4 цикл Mj завершается и происходит переход к к циклу М2. Пусть, например, команда однобайтовая, но в операции должен участвовать операнд, хранящийся в оперативной памяти. Тогда в цикле М2 происходят следующие процессы: в такте Tj выдается адрес ячейки памяти, в такте Т2 проверяется наличие сигнала на входе Готовность (сигнала о том, что прошел интервал времени, достаточный для чтения из памяти). С появлением этого сигнала происходит переход к такту Т3, в котором выданное из памяти число с шины данных принимается в микропроцессор и в этом же такте выполняется операция, предусматриваемая командой.

После этого в УСАПП происходят следующие процессы. Из УСАПП в ПУ через выход ЗПдТ уровнем лог.О выдается сигнал запроса готовности передатчика терминала. Периферийное .устройство сигнализирует готовность к передаче подачей на вход УСАПП ГПдТ сигнала уровня лог.О, после чего передает на вход УСАПП ВхПр в последовательной форме синхронизирующие слова и слово данных.

Кроме того, окисная пленка в этом процессе становится локальным источником, из которого осуществляется диффузия атомов примеси в кремний. Например, при использовании в качестве внешнего источника фосфина и в присутствии кислорода в атмосфере трубы происходят следующие реакции:

Несчастные случаи с людьми при пользовании электрическими установками в основном происходят вследствие нарушения ими элементарных правил техники безопасности.

Как показывает практика, отказы третьего компонента — внутрисхемных контактных узлов — происходят вследствие образования интерметаллических соединений, а время наработки до отказа 1$ зависит от применяемых материалов и структуры контактных узлов. Расчет этого времени производится на основе соотношения для времени выдержки при заданной температуре в зависимости от перемещения границы раздела между двумя материалами (обычно Аи—А1) контактного соединения ИМ:

Принцип работы печи основан на поглощении электромагнитной энергии материалом загрузки, размещенной в тигле печи. Нагрев и расплавление металлической шихты происходят вследствие наведения электрического тока путем электромагнитной индукции от магнитного поля, создаваемого индуктором, подключенным к источнику переменной ЭДС

Важным фактором воспроизводимости параметров пленочных элементов и улучшения их электрических свойств является чистота пленки. Загрязнения напыленной пленки происходят вследствие некачественной очистки поверхности подложки (в частности и от адсорбированных газов), недостаточно высокого вакуума (имеет значение и состав остаточного газа) и низкого давления насыщенного пара материала испарителя при температуре испарения. Повышение температуры подложки и скорости испарения способствует десорбции газа из пленки и улучшает ее состав.

Потери воды из водохранилища происходят вследствие испарения,

Важным фактором воспроизводимости параметров пленочных элементов и улучшения их электрических свойств является чистота пленки. Загрязнения напыленной пленки происходят вследствие некачественной очистки поверхности подложки (в частности и от адсорбированных газов), недостаточно высокого вакуума (имеет значение и состав остаточного газа) и низкого давления насыщенного пара материала испарителя при температуре испарения. Повышение температуры подложки и скорости испарения способствует десорбции газа из пленки и улучшает ее состав.

Диэлектрическими потерями называют электрическую мощность, рассеиваемую в изоляции или образце диэлектрика в электрическом поле и превращаемую в тепло. Потери происходят вследствие: 1) сквозной проводимости (утечки электроэнергии), 2) ионизации газовых включений (потери на ионизацию), 3) явления «последействия» в диэлектрике, при замедленной поляризации (потери на преодоление внутреннего поля, созданного за предыдущий полупериод действия внешнего поля). Явление «последействия», т. е. запаздывания поляризации, зависит от времени релаксации полярных молекул и времени переброса ионов в тепловом движении и является основой диэлектрических потерь.

Релаксационные диэлектрические потери, которые происходят вследствие явления последействия из-за замедленной поляризации диэлектрика, являются наиболее существенными диэлектрическими потерями. Релаксационные диэлектрические потери растут с ростом частоты. Зависимость tg б дшюлыюго диэлектрика от частоты показывает наличие диполыюго максимума. Максимальный угол поворота диполей при ориентации под действием поля получается при частоте, соответствующей определенному времени релаксации диполя. При росте

Несчастные случаи с людьми при пользовании электрическими установками в подавляющем большинстве случаев происходят вследствие нарушения ими элементарных правил техники безопасности.

Ширина базы фотодиодов w
т. е. ток не зависит от напряжения, а определяется только интенсивностью света ( 2.15). Типичная конструкция фотодиода также показана на 2.15. Поскольку W-оо избыточные носители диффундируют как в сторону р—«-перехода, так и в сторону поверхности, т. е. число носителей, достигающих р—га-перехода, уменьшится вдвое. Поэтому в диффузионных диодах потери .меньше, так как в их базе имеется внутреннее электрическое поле, ускоряющее движение неосновных носителей к р—«-переходу (§ 2.4).