Прохождения охлаждающего

Подключим к диоду в момент времени t = 0 генератор напряжения. Часть напряжения генератора окажется приложенной к переходу, часть — к малолегированной «-области. Через переход начнется инжекция дырок в «-область, и в ней возникнет электрическое поле и, следовательно, ток проводимости, согласно закону Ома равный оЕ. В отсутствие напряжения на диоде проводимость «-области равна 0;, а при прямом смещении на переходе из-за инжекции в нее дырок она увеличивается до некоторой величины <т1. Это увеличение происходит постепенно, так как инжектированные носители движутся в «-области вследствие диффузии с конечной скоростью, за время Д^, которое примерно можно считать равным времени прохождения носителей заряда через «-область. При условии d
штабных резисторов R2/R1 (которые необходимо подбирать с погрешностью не более 0,1 %). Работа операционных усилителей при широком диапазоне частот осложняется тем обстоятельством, что коэффициент усиления существенным образом зависит от частоты сигнала. На 47 дается график зависимости коэффициента усиления /С2 — амплитудно-частотной характеристики АЧХ типового операционного усилителя (без обратной связи) от частоты. Уменьшение усиления с повышением частоты объясняется инерционностью процессов прохождения носителей зарядов в активных компонентах усилителя (в биполярных и полевых транзисторах) и наличием в схеме усилителя неконтролируемых емкостных связей. Наряду с уменьшением усиления внутренние емкостные связи в операционном усилителе приводят к появлению фазового сдвига, который с повышением частоты возрастает до очень больших значений. Например, в соответствии с фазочастотной характеристикой cpz ( 47), на частоте 10й Гц дополнительный фазовый сдвиг в рассматриваемом операционном усилителе достигает 180°. Поэтому если усилитель охвачен обратной связью по инвертирующему входу, то, будучи отрицательной на низких частотах (до 104—106 Гц), обратная связь станет на частоте 10е Гц положительной, что приведет к самовозбуждению усилителя и превращению его в генератор незатухающих колебаний. Для исключения этого в операционных усилителях применяют фазочастот-ную коррекцию, подключая корректирующие конденсаторы и резисторы, подобранные таким образом, чтобы скомпенсировать внутренний фазовый сдвиг. Элементы коррекции могут быть неотъемлемой частью схемы операционного усилителя и создаваться в процессе изготовления его интегральной микросхемы или подключаться дополнительно к его внешним выводам.

этому такой переход не обладает выпрямляющими свойствами. При наличии обедненного или инверсного слоя переход Шотки обладает выпрямляющими свойствами, так как внешнее напряжение, падая в основном на высокоомном переходе, будет изменять высоту его потенциального барьера, изменяя условия прохождения носителей заряда через переход.

числу носителей, образующихся в единицу времени в единице объема. Чтобы выразить скорость нетепловой генерации через коэффициенты ударной ионизации, рассмотрим единичный объем, имеющий длину в направлении прохождения носителей заряда и площадь поперечного сечения, равные единице. Тогда каждый проходящий через этот объем носитель образует в единичном объеме количество носителей, равное коэффициенту ионизации а. В единицу времени через рассматриваемый объем проходит число носителей, равное J/q. Следовательно, если учесть генерацию электронов (или дырок) в результате ионизации атомов электронами и дырками, получим

Инерционность фртодиодов обусловлена рядом факторов, среди которых важную роль играют время заряда емкости перехода, а ' также время tD диффузии носителей к переходу и время <др прохождения носителей через область объемного заряда в переходе. Если период Ты модулирующих световой поток колебаний сравним с суммарным временем tnv = гдиф + tD движения носителей, то процессы изменения тока в приборе как бы не успевают за быстрыми изменениями интенсивности светового потока. В результате с ростом частоты амплитуда переменной составляющей тока в нагрузке фотодиода уменьшается и увеличивается фазовый сдвиг между модулирующим световой поток колебанием и переменной составляющей тока в приборе. Можно показать [23], что при ?пр « « 0,4ГМ амплитуда тока уменьшается в У2 раз по сравнению с ее значением на низкой частоте модуляции, а фазовый сдвиг превышает 70°,

(см. § 1.5). В электронных лампах барьер образуется на границе катод—вакуум и определяется работой выхода электронов. Акты прохождения носителей через потенциальный барьер представляют последовательность независимых случайных событий, а за одинаковый промежуток времени число носителей, преодолевших барьер, оказывается различным. Появляются флуктуации тока, обусловленные случайным распределением скоростей частиц и их энергий, моментов начала их движения.

После образования р-л-перехода и возникновения некоторол контактной разности потенциалов UK устанавливается тепловое равновесие, при котором результирующий ток через р-п переход становится равным нулю. Это означает,что в условиях теплового равновесия вероятность прохождения носителей заряда через р-п переход в обоих направлениях становится одинаковой. Следовательно, энергетические диаграммы п- и р-областей полупроводника в процессе установления теплового равновесия должны сместиться относительно друг друга так, чтобы уровень Ферми был постоянным по всему переходу, т. е. уровень Ферми р-области WFp и n-области WFn должны' расположиться в одну линию. При этом энергетическая диаграмма р-п перехода имеет вид, показанный на 3.4, в. Разность минимальных энергий электрона в зонах проводимости р- и л-областей равна ефк, т. е. определяется контактной разностью потенциалов. Концентрация электронов в зоне проводимости л-области оказывается выше, так как минимальная энергия, которой должны обладать электроны в этой зоне, ниже, чем в зоне проводимости р-области. Чтобы перейти в зону проводимости полупроводника р-типа, электрону полупроводника я-типа необходимо совершить работу есрк. Такую же работу должны выполнить дырки для перехода из валентной зоны полупроводника р-типа в валентную зону полупроводника п-типа.

Второй причиной ухудшения работы транзистора на высоких частотах является отставание по фазе переменного тока коллектора от переменного тока эмиттера. Это обусловлено инерционностью процесса прохождения носителей заряда через базу от эмит-терного перехода к коллекторному, а также инерционностью процессов накопления и рассасывания зарядов в базе.

Инжектированные через эмиттерный переход дырки проникают вглубь базы. В зависимости от механизма прохождения носителей заряда в области базы отличают бездрейфовые и дрейфовые транзисторы. В бездрейфовых транзисторах перенос неосновных носите^ лей заряда через базовую область осуществляется в основном за счет диффузии. Такие транзисторы обычно получают описанным выше методом сплавления. В дрейфовых транзисторах в области базы путем соответствующего распределения примесей создается внутреннее электрическое поле и перенос неосновных носителей заряда через базу осуществляется в основном за счет дрейфа. Такие транзисторы, как уже отмечалось, обычно получают методом диффузии примесей.

Несмотря на определенные различия в механизме прохождения носителей заряда через базу, и в бездрейфовых, и в дрейфовых транзисторах дырки, попав в базу, для которой они ^являются неосновными носителями заряда, начинают рекомбинировать с электронами. Но рекомбинация — процесс не мгновенный. Поэтому ночти все дырки успевают пройти через тонкий слой базы и достигнуть коллекторного р-п перехода прежде, чем произойдет рекомбинация. Подойдя к коллектору, дырки начинают испытывать действие электрического поля коллекторного перехода. Это ноле для

Инерционность фртодиодов обусловлена рядом факторов, среди которых важную роль играют время заряда емкости перехода, а ' также время tD диффузии носителей к переходу и время <др прохождения носителей через область объемного заряда в переходе. Если период Ты модулирующих световой поток колебаний сравним с суммарным временем tnv = гдиф + tD движения носителей, то процессы изменения тока в приборе как бы не успевают за быстрыми изменениями интенсивности светового потока. В результате с ростом частоты амплитуда переменной составляющей тока в нагрузке фотодиода уменьшается и увеличивается фазовый сдвиг между модулирующим световой поток колебанием и переменной составляющей тока в приборе. Можно показать [23], что при ?пр « « 0,4ГМ амплитуда тока уменьшается в У2 раз по сравнению с ее значением на низкой частоте модуляции, а фазовый сдвиг превышает 70°,

и IM2101 (на лапах с фланцевым подшипниковым щитом со стороны вала). Станина генератора 1 - чугунная, литая. В верхней ее части имеется проем прямоугольной формы, над которым устанавливают блок регулирования напряжения 13. На внутренней поверхности станины равномерно по окружности расположены продольные ребра, на которые сажают обмотанный магнитопровод статора. Каналы, образованные между ребрами и наружной поверхностью статорного магнитопровода, служат для прохождения охлаждающего воздуха. Вентиляция генератора - аксиальная, вытяжная. Воздух забирается центробежным вентилятором 11 через отверстия в щите, расположенном со стороны контактных колец. Подшипниковые щиты 4 — чугунные, литые. В нижних частях щитов расположены окна для прохождения воздуха. Окна защищены сетками, штампованными из листовой стали. Для увеличения размеров окон нижняя часть щитов расширена.

Для размещения катушек на полюсах, а также для прохождения охлаждающего воздуха между катушками соседних полюсов в нижней их части должно быть предусмотрено расстояние не менее 0,7—1,0 см (расстояние х на 9.32).

В машинах защищенного исполнения в щитах выполняют окна для прохождения охлаждающего возДуха. Если подшипниковый щит охватывает коллектор или контактные кольца, то для доступа к щеткам в верхней его части делают проемы, закрываемые крышками. Для закрепления щита в станке при его обработке на нем делают специальные технологические приливы.

тове 1, как, например, в явнополюсном роторе, внешний вид которого показан на 51-8. Для улучшения вентиляции машин, имеющих значительную осевую длину, обод выполняется подразделенным на несколько пакетов, между которыми имеются каналы для прохождения охлаждающего воздуха к периферийным зонам ротора. Иногда ( 51-8) радиальные вентиляционные каналы 9

ют блок регулирования напряжения 13. На внутренней поверхности станины равномерно по окружности расположены продольные ребра, на которые сажают обмотанный магни-топровод статора. Каналы, образованные между ребрами и наружной поверхностью статорного магнито-провода, служат для прохождения охлаждающего воздуха. Вентиляция генератора — аксиальная, вытяжная. Воздух забирается центробежным вентилятором // через отверстия в щите, расположенном со стороны контактных колец. Подшипниковые щиты 4 — чугунные, литые. В нижних частях щитов расположены окна для прохождения воздуха. Окна защищены сетками, штампованными из листовой стали. Для увеличения размеров окон нижняя часть щитов расширена.

Для возможности размещения катушек на полюсах, а также для прохождения охлаждающего воздуха между катушками соседних полюсов в нижней их части должно быть предусмотрено расстояние не менее 0,7—1,0 см (расстояние к на 7-31).

В машинах защищенного исполнения в щитах делают окна для прохождения охлаждающего воздуха. Если подшипниковый щит охватывает коллектор или контактные кольца, то для доступа к щеткам в верхней его части делают проемы, закрываемые крышками. Для закрепления щита в станке при его обработке на нем делают специальные технологические приливы.

В машинах защищенного исполнения в щитах выполняют окна для прохождения охлаждающего воздуха. Если подшипниковый щит охватывает коллектор или контактные кольца, то для доступа к щеткам в верхней его части делают проемы, закрываемые крышками. Для закрепления щита в станке при его обработке на нем делают специальные технологические приливы.

магнитопровод статора. Каналы, образованные между ребрами и наружной поверхностью статорного магнитопровод а, служат для прохождения охлаждающего воздуха. Вентиляция генератора — аксиальная, вытяжная. Воздух забирается центробежным вентилятором 11 через отверстия в щите, расположенном со стороны контактных колец. Подшипниковые щиты 4 — чугунные, литые. В нижних частях щитов расположены окна для прохождения воздуха. Окна защищены сетками, штампованными из листовой стали. Для увеличения размеров окон нижняя часть щитов расширена.

Для размещения катушек на полюсах, а также для прохождения охлаждающего воздуха между катушками соседних полюсов в нижней их части должно быть предусмотрено расстояние не менее 0,7...1,0 см (расстояние х на 10.32).

обод изготавливается из цельных кольцевых пластин и насаживается непосредственно на вал. При больших диаметрах обод собирается на стяжных шпильках из отдельных сегментов и крепится на остове J, как, например, в явнополюсном роторе, внешний вид которого показан на 27.9. Для улучшения вентиляции машин, имеющих значительную осевую длину, обод выполняется разделенным на несколько пакетов, между которыми имеются каналы для прохождения охлаждающего воздуха к периферийным зонам ротора. Иногда (см. 27.9) радиальные вентиляционные каналы 9 предусматриваются и в полюсах. Для того чтобы имелась возможность установить заранее изготовленные катушки J обмотки возбуждения на полюсы, имеющие меньшую ширину, чем полюсные наконечники, их (наконечники полюсов) или полюсы целиком необходимо делать отъемными. На 27.10 приведена наиболее распространенная конструкция, в которой применены отъемные полюсы, набранные из пластин / листовой стали толщиной l-s-2 мм и стянутые в осевом направлении шпильками 10. Крепление полюсов осуществляется