Продольного электрического

Кратность тока короткого замыкания обусловлена требованиями надежного срабатывания защиты генератора при аварийных режимах. Исходя из требований получения минимума массы генераторы выполняются с минимально возможным воздушным зазором. Соответственно реакция якоря велика, индуктивное продольное сопротивление Xd = 2,5 и выше.

Поэтому эквивалентную схему, описывающую частотные свойства полевого транзистора, можно представить в виде, изображенном на 2.23. Здесь С3 — средняя емкость затвора, гкан — среднее продольное сопротивление канала. Воспользовавшись этой эквивалентной схемой, запишем для постоянной времени затвора т3 —С/кан, откуда для граничной частоты полевого транзистора

Эти результаты следует использовать для получения сразу решения для режима синусоидального напряжения, заменив на единицу длины продольное сопротивление г комплекс' ным сопротивлением г+/со?, а поперечную проводимость g комплексной проводимостью g+'j(uC. Тогда характеристиками линии будут волновое сопротивление Z и коэффициент распространения у:

резков, обладающих некоторыми значениями Ro, L0, C0 и GO, приходящимися на единицу длины (например, на 1 км). Эти величины называются параметрами, они составляют продольное сопротивление Z0 == #о+/«>?о и поперечную проводимость г/о = G0+/(uC0.

Когда цепь 7-18 принимается в качестве схемы замещения повыситедьного трансформатора (U1i/Ul = kf>l) в ней /-1<Л1 и, следовательно, первое продольное сопротивление Za содержит отрицательное реактивное сопротивление (o(i-i—М); можно подумать, что эта ветвь в схеме замещения как бы содержит конденсатор. Однако полученная цепь не обладает никакими свойствами цепи с конденсатором, кроме повышения входного напряжения. Это легко объясняется тем, что хотя реактивное сопротивление
резков, обладающих некоторыми значениями ^?о, L0, Со и GQ, приходящимися на единицу длины (Например, на 1 км). Эти величины называются параметрами, они составляют продольное сопротивление ZQ=R0-\-j&L0 и поперечную проводимость уо = Go+/a>C0.

Характер продольного сопротивления /г-фильтра, как правило, прямо противоположен характеру поперечного сопротивления. В этом можно убедиться, рассмотрев схемы 5.1, а, 5.2, а и 5.3, а. Действительно, если продольное сопротивление индуктивное, то поперечное — емкостное. Если продольное сопротивление образовано последовательно соединенными L и С, то поперечное — параллельно соединенными L и С и т. д. Если продольное сопротивление состоит только из индуктивностей, то фильтр относится к категории НЧ; если продольное сопротивление чисто емкостное, то фильтр — ВЧ.

Если продольное сопротивление состоит из последовательно соединенных L и С, то фильтр полосового типа. Если продольное сопротивление состоит из параллельно соединенных L и С, то фильтр заграждающего типа.

ной ток /вх = '2 + 'б =-----^——к~ = —^~5—t/^- Продольное сопротивление

Параметры однородной линии с распределенными параметрами на единицу длины обозначим следующим образом: LQ—индуктивность; RQ — продольное сопротивление; Со — ем кость; Go — поперечная проводимость;/ — длина линии; (/2 и/2 — напряжение и ток в конце линии; U\ и 1\ — напряжение и ток в начале линии.

(заземляется). Например, Т- или П-образный неуравновешенный четырехполюсник зажимами 1 и 2 может быть включен между антенной радиоприемника и сеткой электронной лампы, катод которой заземлен. Если схема четырехполюсника должна быть симметричной относительно корпуса или шасси, то продольное сопротивление нужно составить из отдельных частей, включенных поровну между зажимами /—2 и зажимами /'—2'. На 14-11 показана схема уравновешенного симметричного Т-образного четырехполюсника.

Под действием продольного электрического поля напряженностью ?, создаваемого в проводнике длиной / источником электрической энергии, свободные электроны приобретают добавочную скорость (дрейфовую скорость) и дополнительно перемещаются в одном направлении (вдоль проводника на 1.4).

Под действием продольного электрического поля напряженностью ?, создаваемого в проводнике длиной / источником электрической энергии, свободные электроны приобретают добавочную скорость (дрейфовую скорость) и дополнительно перемешаются в одном направлении (вдоль проводника на 1.4).

Под действием продольного электрического поля напряженностью ?, создаваемого в проводнике длиной / источником электрической энергии, свободные электроны приобретают добавочную скорость (дрейфовую скорость) и дополнительно перемещаются в одном направлении (вдоль проводника на 1.4).

Магнигорезистивный эффект. Этот эффект возникает вследствие искривления пути носителей заряда в магнитном поле и отклонения направления их движения от направления продольного электрического поля. В образце конечных размеров электрическая сила, создаваемая электрическим полем Холла, оказывает компенсирующее действие на силу Лоренца, в результате чего магниторезистив-ный эффект выражен слабее. Компенсирующее действие поля Холла тем меньше, чем меньше отношение длинь образца к его ширине, что связано с шунтирующим действием токовых контактов на это поле.

Как было отмечено в § 2.2, токовые металлические контакты закорачивают ЭДС Холла. По этой причине в приконтактной области образца магнитная составляющая силы, действующая на носители заряда, не компенсируется силой холловского электрического поля и носители заряда перемещаются под некоторым углом относительно продольного электрического поля. Электрическое поле Холла полностью закорачивается контактами у концов образца, имеет максимальное значение в его средней части. Электрический ток, наоборот, максимален у концов образца и минимален в его середине, так как поле Холла действует на носители заряда

Пороговое напряжение слабее зависит от напряжения исток — подложка в транзисторе с коротким каналом, чем с длинным. Действительно, рост (/ип увеличивает высоту потенциального барьера р-п перехода исток — подложка, как и в случае длинного канала. Но одновременно из-за расширения стокового р-п перехода увеличивается напряженность продольного электрического поля, что частично компенсирует рост высоты барьера у поверхности, а значит, и порогового напряжения.

отрицательногонапряжения С/си и соответствующим возрастанием продольного электрического пбля в канале. Отклонение от линейного закона объясняется изменением сопротивления канала вследствие уменьшения его поперечного сечения по мере удаления от истокового конца. При подключении напряжения — С/си Р-П переход на границе сток— подложка оказывается под обратным напряжением (f/пи = 0), в то время как на р-п переходе у границы исток — подложка напряжение по-прежнему равно нулю. Запирающий слой у стокового перехода расширяется, увеличивается положительный объемный заряд ионов доноров в подложке, и дырки частично выталкиваются из канала у его стокового конца. Канал в этой области сужается ( 13-13, а). При напряжении С/си = \Ucsi нас объемный положительный заряд еще больше увеличивается и канал у стокового конца стягивается в узкую полоску ( 13-13, б). Наступает режим насыщения, характеризуемый очень слабой зависимостью тока /с от напряжения С/си! (пологие участки стоковых характеристик). С дальнейшим увеличением напряжения С/си начало «горловины» канала смещается к истоковому концу ( 13-13, в); сопротивление канала еще более увеличивается. Сопротивление канала растет не строго пропорционально увеличению' напряжения С/си , что и обусловливает некоторое возрастание тока /о

год воздействием продольного электрического поля напряженностью Ех ( 4.7, а),

В транзисторе используется движение носителей заряда только одного знака (основных носителей), которые из истока через канал движутся в сток. Этим объясняются названия: исток, т.е. область, из которой выходят (истекают) носители заряда, и сток — область, в которую они входят (стекают). Затвор является управляющим электродом. Электрическое поле, возникающее при приложении напряжения между затвором и истоком, изменяет проводимость канала и, следовательно, ток через канал. Это управляющее электрическое поле направлено перпендикулярно движению носителей в канале и может быть названо поперечным. Носители в канале движутся от истока к стоку под действием продольного электрического поля (направленного вдоль канала), создаваемого напряжением между стоком и истоком.

При t/зи =0 под затвором, за исключением областей /г+-типа и краевых участков, относящихся к обедненным слоям p-n-переходов, фпов = 0. В области истока фпов=Фои, где <р0и — высота потенциального барьера истоково-го перехода в равновесии (при Unn — 0). Электроны из истока не могут диффундировать в подзатворную об-ластьчб, так как этому препятствует потенциальный барьер фои. Иными словами, эти электроны находятся в потенциальной яме глубиной фон- Для наглядности аналогии с ямой ось потенциала направлена вниз. Поверхностный потенциал области стока равен фос+^си, где фОС — высота потенциального барьера стокового перехода в равновесии, следовательно, в этой области электроны находятся в более глубокой потенциальной яме. Все напряжение UCH падает на обедненном слое стокового перехода, поэтому напряженность Qy продольного электрического поля под затвором равна нулю всюду, кроме краевых участков у границ p-n-переходов. Таким образом, концентрация электронов в подзатворной области 6 очень мала, канал между истоком и стоком отсутствует, напряженность продольного поля равна нулю, поэтому в цепи стока течет пренебрежимо малый ток стокового перехода. Такое состояние характерно не только для [/Зи =0, но и для других значений напряжения L/зи, меньших порогового.

При дальнейшем повышении напряжения затвора до значения С/зИ>С/зи увеличиваются удельный заряд электронов у истока и разность поверхностных потенциалов на границах канала ( 5.3,6), т.е. возрастает напряженность продольного электрического поля, что приводит к росту тока стока. Так осуществляется управление током через канал при изменении напряжения между затвором и истоком.