Процессов используемых

в результате их теплового движения. Совместное протекание процессов ионизации и деионизйции определяет установившееся значение тока дуги.

Таунсендовская. стадия разряда относится к самостоятельной форме разряда, когда интенсивность процессов ионизации в промежутке достаточно высока и обеспечивает восполнение всех потерь заряженных частиц. Для нее характерна ударная ионизация нейтральных частиц газа, которая приобретает в электрическом поле лавинный характер.

На 5.8 приведены данные о составе плазмы элегаза. Из рисунка видно, что реакция диссоциации происходит при довольно низкой температуре (2100 К). При температуре 3000—4000 К элегаз переходит практически полностью из молекулярного состояния в атомарное. /. При относительно низких температурах концентрация электронов " резко уменьшается вследствие образования отрицательных ионов фто- Г, ра. Зависимости теплопроводности плазмы элегаза и азота от темпе- ' ратуры приведены на 5.11. В области температур диссоциации (2100 К) удельная теплопроводность плазмы элегаза резко возрастает,,,. а затем также резко падает из-за быстрой диссоциации молекул. При.г температурах выше 6000 К теплопроводность увеличивается за счет .'," развития процессов ионизации фтора. Следует заметить, что резкий "п подъем теплопроводности совпадает с пиком зависимости теплоемкости .. плазмы элегаза от температуры (см. 5.10).

Значения эффективных сечений для процессов ионизации Qj0 в зависимости от энергии ударяющих электронов представлены для инертных газов, водорода и паров ртути экспериментальными кривыми на 1-8, а.

Наряду с дрейфом стремятся также ограничить по возможности и шумы. Их появление обусловлено главным образом: 1) дискретным характером процессов эмиссии электронов из катода. Здесь имеет место так называемый дробовой эффект, выражающийся в том, что число электронов, покидающих катод, подвержено статистическим флюктуациям по месту и времени; 2) дискретным характером процессов ионизации атомов газа в катодной части разряда. При наличии в приборе, кроме катодной, еще и анодной части имеют место также флюктуации, обусловленные нестабильностью электрокинетических процессов у анода. Чтобы не увеличить шумы из-за анодной части разряда, стремятся в стабилитронах ограничиться только катодной частью разряда.

При' более высокой плотности пара, соответствующей tir = 50 °С, кривая обратного тока после спадания до некоторого минимума из-за ионно-электрошгой эмиссии и процессов ионизации молекул пара вновь возрастает. Прогрессивное возрастание обратного тока приводит

Из рассмотрения процессов ионизации и деионизации следует, что основным фактором, обеспечивающим горение дуги, является ее высокая температура — термическая ионизация. Отсюда следует, что всемерное интенсивное охлаждение ствола дуги является преобладающим способом ее гашения. Газы с большей теплопроводностью и теплоемкостью обладают лучшей охлаждающей способностью, а следовательно, и лучшими дугогасящими свойствами. Например, кислород, углекислый газ, водяной пар и водород имеют по отношению к воздуху теплопроводность (среднюю в пределах 0 — 6000 К) соответственно 1,8; 2,5; 5 и 17 и дугогасящие свойства соответственно 1,8; 2,6; 3,8 и 7.

5.32. При малых h электрическая прочность сильно увеличивается потому, что развитие процессов ионизации затрудняется из-за малой общей длины свободного пробега электронов.

Частотные характеристики фото •• элементов показывают зависимость чувствительности фотоэлемента от частоты изменения интенсивности светового потока, облучающего фотокатод. На 6-5 приведены для сравнения частотные характеристики электронного и ионного фотоэлементов. Чувствительность ионного фотоэлемента уменьшается при увеличении частоты за счет инерционности процессов ионизации и рекомбинации при газовом разряде, что связано с малой подвижностью ионов. Характеристика электронного фотоэлемента остается линейной вплоть до частот 109 Гц; снижение чувствительности за этой границей объясняется влиянием времени пролета электронов при очень больших частотах изменения интенсивности светового потока.

правило, прозрачны, чтобы не препятствовать выходу видимого излучения разряда. Пространство между электродами заполняется либо чистыми инертными газами, либо смесью газов при давлении несколько сотен паскалей. Свечение отдельных частей тлеющего разряда, как указывалось ранее, в основном обусловлено переходами возбужденных атомов в нижние энергетические состояния. Состав смеси газов подбирается таким образом, чтобы увеличить интенсивность процессов ионизации, возбуждения и рекомбинации. Например, при добавлении к пеону атомов ксенона увеличивается вероятность реакции Ne* + Xe->-Xe++

Частотные характеристики фото •• элементов показывают зависимость чувствительности фотоэлемента от частоты изменения интенсивности светового потока, облучающего фотокатод. На 6-5 приведены для сравнения частотные характеристики электронного и ионного фотоэлементов. Чувствительность ионного фотоэлемента уменьшается при увеличении частоты за счет инерционности процессов ионизации и рекомбинации при газовом разряде, что связано с малой подвижностью ионов. Характеристика электронного фотоэлемента остается линейной вплоть до частот 109 Гц; снижение чувствительности за этой границей объясняется влиянием времени пролета электронов при очень больших частотах изменения интенсивности светового потока.

Для проектирования оптимального процесса регулировки необходимо аналитическое исследование процесса с учетом случайных факторов. Это связано с высокими требованиями по точности, реализация которых только с позиций детерминизма не позволяет обеспечить высокую эффективность производства ЭРЭ. с одной стороны, и высокой степенью сложности физико-химиче< ских процессов, используемых в технологии РЭА, с другой стороны. Хотя и математическое описание процесса регулировки часто приводит к необходимости составления системы уравнений, решение которых очень сложно, однако и в этом случае удается получить необходимый материал для построения стратегии регулировки и создания автоматизированных систем регулировки (АСР). В качестве критерия оптимальности используются стоимостные и точностные показатели процесса регулировки. При выборе подгоняемых параметров с целью получения оптимальной стратегии регулировки необходимо наличие математической модели, связывающей выходные параметры устройства с параметрами элементов (см. гл. 11).

Учебник состоит из десяти глав, название которых соответствует разделам программы курса. Четыре первые главы посвящены изложению физических основ работы полупроводниковых приборов. Материал этих глав излагается с учетом знакомства читателя с курсом «Основы физики твердого тела», предшествующего настоящему курсу. Автор счел необходимым включить в первую главу основные понятия и термины из основ зонной теории в минимальном объеме, необходимом для изложения основного материала учебника. Вторая глава посвящена краткому описанию физических процессов, используемых в микроэлектронике. Особое внимание уделено физическим явлениям и процессам, протекающим в пленочных структурах и положенным в основу принципа работы интегральных микросхем. К этим явлениям, в первую очередь, относятся электронные процессы на поверхности полупроводников, явления переноса носителей заряда в полупроводниках, различные механизмы токо-прохождения в пленочных структурах. При написании этой главы были использованы работы по теоретическим основам микроэлектроники, опубликованные за последние годы.

Основные технологические процессы, используемые при изготовлении ИМС. Рассмотрим сущность основных технологических процессов, используемых при изготовлении ИМС, и некоторые их особенности, влияющие на конструктивные параметры ИМС.

3.S, Классификация процессов, используемых при получении полупроводниковых соединений

Термодинамика как раздел математической физики, в основе которого1 лежат два закона (первый и второй законы термодинамики), изучает равновесие и направление самопроизвольно протекающих процессов в системах взаимодействующих макроскопических тел. Вследствие того что свойства систем и характер физико-химических процессов в технологии интегральных схем определяются взаимодействием больших ансамблей атомов (или молекул), термодинамика является одной из основополагающих наук, используемых при исследовании технологических процессов. Применение термодинамического метода при анализе физико-химических процессов, используемых в технологии интегральных схем, оказалось весьма продуктивным.

В основе процессов, используемых в фотолитографии, лежит фотохимическое действие света на вещество.

Очевидно, что нет необходимости описывать пооперационные технологии всех процессов, используемых при изготовлении ИМС, но приведенные примеры показыва-. ют, насколько сложны эти процессы и как много факторов детерминированного и стохастического характера влияют на точность их выполнения, а следовательно, и на выход годных ИМС.

Электрическая энергия широко применяется во всех отраслях городского хозяйства. В перспективе предстоят большие работы по переводу энергоемких тепловых процессов, используемых в быту, на электрическую энергию (приготовление пищи, горячее водоснабжение и отопление).

I0.2. Сравнительные характеристики некоторых веществ, материалов, устройств и процессов, используемых для накопления и хранения энергии в расчете на единицу массы:

Резкое расширение рынка компьютеров и стандартного программного обеспечения обусловливает необходимость постоянного совершенствования программных комплексов расчета режимов и переходных процессов, используемых не только в экспериментальных, но и в эксплуатационных целях.