Процессами рекомбинации

В вычислительной сети связь в действительности устанавливается не между отдельными машинами, а между прикладными программами, или, более точно, между прикладными вычислительными процессами, протекающими в машинах. Под прикладным процессом следует понимать прикладную программу вместе с ее наборами данных и выделенными ей ресурсами машины.

В переходных режимах при самовозбуждении генератора, при включении мощных нагрузок, а также при включении генераторов на параллельную работу методом самосинхронизации задача сводится к расчетам динамической устойчивости или внезапного снижения напряжения. Изменение напряжения обусловлено физическими процессами, протекающими в синхронном генераторе, зависит от параметров генератора и системы гармонического компаундирования. Рассмотрим физические явления переходных процессов синхронного генератора с вращающимися выпрямителями.

Повышение надежности электроустановки, т. е. снижение количества отказов, обеспечивается резервированием, техническим обслуживанием, ремонтом и целенаправленным управлением процессами, протекающими в установке [23].

С учетом сказанного необходимо разделять необратимые изменения линейных размеров (ИЛР) пленки и обратимые. Необратимые обусловлены процессами, протекающими в структуре пленки, и представляют собственно усадку материала. На 3.4 показана зависимость усадки пленок типа Kapton и ПМ от температуры и времени отжига. Предварительная термообработка пленок позволяет снизить в 10 раз

Концентрация носителей заряда в элементарном объеме полупроводника изменяется в результате генерации и рекомбинации носителей, а также из-за различия величин токов, втекающих и вытекающих из данного объема. Как отмечалось в § 1.8, движение носителей заряда обусловлено двумя процессами: диффузией и дрейфом. Следовательно, общее количество носителей в данном объеме полупроводника определяется непрерывными физическими процессами, протекающими в нем: генерацией, рекомбинацией, диффузией и дрейфом носителей.

Нелинейные свойства терморезисторов характеризуются статической вольт-амперной характеристикой, которая представляет зависимости, напряжения U на терморезисторе в установившемся режиме от протекающего через него тока ( 9.5). Эта характе-. ристика носит нелинейный характер и имеет максимум в своей средней части. Эта нелинейность объясняется физическими процессами, протекающими в терморезисюре при увеличении тока. Рассмотрим эту характеристику по участкам.

микросхемы. Структура МПС, построенной на основе ВМ86 в минимальном режиме, во многом аналогична типовой структуре системы, построенной на базе ВМ80, но ее реальная производительность оказывается на порядок выше. Поэтому область применения ВМ86 в минимальном режиме в значительной степени совпадает с областью применения МП80, но расширена за счет возможности обработки более высокочастотных сигналов и управления процессами, протекающими с большими скоростями.

2. Ознакомить студентов с элементами устройств, измерительными приборами, машинами, установками и процессами, протекающими в них.

Высокочастотные диоды предназначены для работы в различных схемах преобразования элекрических сигналов в диапазоне частот до нескольких сотен мегагерц. Диоды этой группы чаще всего бывают точечными, так как в них используется точечный переход ( 18). Точечные диоды отличаются от плоскостных более сложными процессами, протекающими в них при выпрямлении. В большинстве случаев основой точечных диодов служиг кристалл германия, в который упирается тонкая металлическая игла. Точечный контакт получают путем специальной формовки. Через диод пропускается несколько сравнительно мощных, но-коротких импульсов прямого тока. При этом возникает сильный местный нагрев контакта и происходит сплавление кончика иглы с полупроводником. Процесс формовки сопровождается изменением типа электропроводности части исходного полупроводника, которая примыкает к контакту. В месте контакта иглы и полупроводниковой пластины возникает р—л-переход.

где /св — свободная составляющая тока, обусловленная свободными процессами, протекающими в цепи без участия источника u(t)', 'пр — принужденная составляющая тока, обусловленная действием источника напряжения u(t].

пределение определяются величиной и распределением термоупругих напряжений (см. 4.40). Если т «Тир, то размножения дислокаций не происходит и их количество и распределение определяются источниками гетерогенного зарождения и процессами, протекающими на фронте кристаллизации, например захватом твердых включений или газовых пузырьков, вокруг которых концентрируются напряжения. При т<ткр монокристалл в общем случае растет бездислокационным, а образование дислокаций происходит вследствие отмеченных выше процессов, протекающих на фронте кристаллизации.

К самостоятельным видам разряда относятся такие, для поддержания которых не требуется внешних источников ионизации газа. Тлеющий разряд как вид самостоятельного разряда возникает между анодом и катодом при напряжении, достаточном для лавинообразного развития процесса ионизации газа движущимися под воздействием электрического поля электронами и процесса выбивания вторичных электронов с катода положительными ионами. Тлеющий разряд сопровождается процессами рекомбинации электронов и ионов. При этом выделяется энергия в виде фотонов и газ светится. Цвет свечения определяется составом газа-наполнителя. Так как процессы ионизации и рекомбинации происходят в основном вблизи катода, то свечение наблюдается в прикатодной области.

Первая причина обусловлена процессами рекомбинации в /-области ^-«-перехода. Она имеет место при малых прямых смещениях.

ния считали упругими. Следует заметить, что значение Nd, рассчитанное по (6.13), является верхним пределом числа смещенных атомов, так как при расчете пренебрегали процессами рекомбинации междоузельных атомов и вакансий при легировании.

3.13. Зависимости от напряжения составляющих тока через диод, вызванных только процессами инжекции и экстракции носителей заряда через р-п-переход (I) и процессами рекомбинации и генерации носителей заряда в р-п-переходе (2)

у кремниевых диодов определяется в основном процессами рекомбинации носителей в переходе, которые при U > 0 преобладают над процессами тепловой генерации.

При обратных смещениях (U<0) процессы тепловой генерации преобладают над процессами рекомбинации, темп тепловой генерации

Практически линейное уменьшение послеинжекционного напряжения при ^>/i от значения ?/з до нуля определяется процессами рекомбинации дырок в базе и разрядом барьерной емкости р-п перехода. Учитывая, что избыточная граничная концентрация дырок в базе за счет рекомбинации уменьшается как &pni(t) ~&Рш ехр ( — t/rp), можно найти, что послеинжекционное напряжение меняется по закону

Материалы излучающих структур, как уже отмечалось, должны иметь широкую запрещенную зону. В таких структурах оказывается значительным и даже преобладающим рекомбинационный ток /рек, вызванный процессами рекомбинации в области объемного разряда р-п перехода ( 5.8). Чем больше ширина запрещенной зоны, тем больше потенциальный барьер и тем значительнее рекомбинация электронов в р-п переходе. Эта рекомбинация происходит обычно на глубоких центрах люминесценции и заканчивается генерацией тепловой энергии (генерация на центрах рекомбинации 2 — 5.9). Таким образом, для оптического излучения эти электроны «пропадают», а ре-комбинационный ток /рек, ими создаваемый, снижает эффективность инжекции «излучающих» электронов.

у кремниевых диодов определяется в основном процессами рекомбинации носителей в переходе, которые при U > 0 преобладают над процессами тепловой генерации.

и коллектора, a /ES = /E—IBR — «идеальная» или диффузная составляющая постоянного тока эмиттера. Вид спектральной зависимости, задаваемой выражением (4.63), показывает, что флуктуации тока эмиттера включают в себя составляющую дробового шума из-за рекомбинационных процессов в обедненном слое и, кроме этого, составляющую, связанную с тепловыми флуктуациями и процессами рекомбинации — генерации в области базы. На низких частотах, когда GE^GEo, последняя

Спад послеинжекционной э. д. с. (продолжается во времени почти на порядок большем, чем время переключения диода из прямого направления в обратное, так как он определяется только процессами рекомбинации, а время переключения, кроме этого, еще и вытягиванием носителей из базы диода.