Проблемно ориентированные

Пленочными называют схемы, нанесенные в виде тонких пленок на изоляционную подложку из стекла или керамики. Термин «тонкие пленки» относится к проводящим, полупроводниковым и непроводящим покрытиям толщиной до нескольких микрометров. В зависимости от назначения тонких пленок и от материала тонкопленочного покрытия применяют методы вакуумного напыления, катодного распыления, электролиза, фотохимического покрытия, печатного, диффузионного, термического окисления и др. В состав пленочных схем входят как пассивные элементы — резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, так и активные элементы — диоды, транзисторы, тиристоры. Для изготовления тонкопленочных резисторов применяют металлы и сплавы металлов с высоким удельным сопротивлением: нихром, никель, тантал. Изменяя площадь тонкопленочного резистора и соотношение его сторон, можно при неизменной толщине пленки получить сопротивление от десятков ом до нескольких килоом с точностью ±2%. Материалом для обкладок конденсаторов в тонкопленочном исполнении служит алюминий или медь, в качестве диэлектрика применяют микропленки из фтористого магния, имеющие диэлектрическую проницаемость около 6,5 при пробивном напряжении ~2-10" в/см.

В резко неоднородном электрическом поле (см. 7-48,6 и в) разрядное напряжение при прочих равных условиях ниже, чем в однородном электрическом поле. Адсорбированная на поверхности влага значительно слабее сказывается на пробивном напряжении. Это можно объяснить тем, что процессы в адсорбированной на поверхности влаге могут лишь незначительно добавочно увеличить и без того большую неоднородность поля.

Это выражение относится к идеальному случаю, но оно дает качественно правильную зависимость t/np от tg б, со, tc. На пробивном напряжении сильно сказываются размеры конструкции. Проектируя элементы конструкции РЭА, предназначенные для работы под высоким напряжением, необходимо проверить электрическую прочность воздушных промежутков между элементами, находящимися под высоким потенциалом. Кроме того, следует проверить отдельные элементы в отношении опасности коронного разряда, особо обращая внимание на элементы конструкции, поверхность которых имеет большую кривизну. Выбор диэлектриков в качестве изоляторов или конструкционных элементов должен осуществляться е учетом длительности эксплуатации аппаратуры и старения диэлектрика.

до 1,25, т. е. при пробивном напряжении (2,4 — 2,5) ?/ф напряжение гашения равно Ursm = ?/пр./?гаш=(1,9— 2,0) ?/ф.

Наконец, параметром диода, характеризующим явление пробоя его выпрямляющего перехода, является пробивное напряжение диода — напряжение, при котором происходит неограниченное возрастание тока ( 3.14). Формально при пробивном напряжении М-»-оо. В производственных условиях пробивное напряжение диода определяют значением обратного напряжения, вызывающего пробой выпрямляющего перехода, при котором обратный ток достигает заданного значения.

для туннелирования возникают только при определенной напряженности электрического поля или при определенном j Г'"Т напряжении на ^-«-переходе — при пробивном напряжении. Значение этой критической напряженности электри- рис 3 2Q вдх диода ческого поля составляет примерно туннельном пробое для раз-8-10 В/см для кремниевых переходов ных температур и 3-10 В/см для германиевых. Так как

Лавинный пробой транзистора в схеме с общей базой. Второй причиной, ограничивающей напряжение коллектора, является лавинное размножение. При этом существенную роль играет режим цепи базы. Если ток в цепи базы не ограничен, что имеет место, например, в схеме с общей базой, то пробой транзисторов не отличается от пробоя полупроводникового диода. В этом случае в коллекторном переходе произойдет лавинный пробой при пробивном напряжении UKBO проб.

Чтобы совместить достоинства окислов алюминия и кремния, иногда используют соединения из этих окислов — алюмосиликаты. Стабильность пленок самая высокая для состава: 40% AlzOs и 60% 5Юг. При толщине диэлектрика около 0,15 мкм значение емкости получается в пределах от 300 до 800 пФ/мм2 при tg6\ равном 0,3 %• и пробивном напряжении 40 В.

* До косой черты указана производительность при пробивном напряжении масла ниже 20 кВ, после косой черты — при пробивном напряжении выше 20 кВ.

которой_имеются данные о среднем пробивном напряжении 1/п 0 и среднеквадратичном отклонении СГ0;

* До косой черты указана производительность при пробивном напряжении масла ниже 20 кВ, после косой черты — при пробивном напряжении выше 20 кВ.

температуре от 213 до 343 К . . . . От 60 до 120 В Общая емкость диода при пробивном напряжении *............ От 0,4 до 0,6 пФ

значения, проблемно-ориентированные и специализированные. Электронно-вычислительные машины общего назначения используются для решения задач АСУТП и ряда инженерных задач. Проблемно-ориентированные (мини- и микро-ЭВМ) предназначены для управления ограниченного круга задач, связанных как правило, с управлением объектами, регистрацией их функционирования или проведением относительно несложных расчетов. Микро- и мини-ЭВМ приспособлены для выполнения функций управления оборудованием. Специализированные ЭВМ (микропроцессоры и др.) предназначены для реализации строго определенного класса задач. В АСТО специализированные ЭВМ используются в программируемых контроллерах, служащих для реализации команд управления оборудованием, сопряжения ЭВМ с исполнительными устройствами автоматического оборудования для задач отработки информации, формирования осведомительных сигналов и сигналов типа «включить — выключить».

Языки проектирования — это проблемно-ориентированные языки для обмена информацией между проектировщиком и ЭВМ в процессе проектирования. Они разделяются на

Среди языков программирования САПР ЭМ различают машинные, проблемно-ориентированные и машинно-ориентированные. Языки АЛГОЛ-60, ФОРТРАН, ПЛ-1 ориентированы на описание инженерных и научных задач, т. е. задач, при решении которых преобладают операции численного анализа. Машинно-ориентированные языки отражают структуру ЭВМ, особенности ее системы команд и занимают промежуточное положение между машинным языком и проблемно-ориентированными языками.

Программирование на машинных языках требует больших затрат труда и времени, поэтбму в настоящее время разработаны языки, называемые алгоритмическими. Эти языки близки к обычному математическому и в то же время достаточно формализованы для того, чтобы обеспечить решение задач на ЦВМ без участия человека. Программа, составленная на аглоритмическом языке, должна быть переведена на машинный язык. Этот процесс выполняется автоматически .на ЦВМ с помощью специальных программ— трансляторов. Для эффективного использования ЦВМ кроме трансляторов требуются библиотеки стандартных программ, программы, обеспечивающие последовательное решение нескольких задач,— режим пакетной обработки, параллельное прохождение задач — Мультипрограммный режим и ряд других. Все эти вспомогательные программы, образующие так называемое математическое обеспечение (МО) ЦВМ, поставляются заводом—изготовителем ЦВМ. Программы для решения конкретных задач данной области знаний, имеющиеся в распоряжении пользователя, составляют специальное математическое обеспечение (СМО). В настоящее время языки написания программ подразделяются на два класса: машинно-ориентированные и проблемно-Ориентированные. Если основная цель состоит в получении оптимальной программы, т. е. в наилучшем использовании возможностей ЦВМ данного типа и сведении к минимуму машинного времени, затрачиваемого на вычислительный процесс, то используют машинно-ориентированные языки. Если же на первом плане стоит облегчение процесса составления программ и обмена алгоритмами, то предпочтение отдают проблемно-ориентированным языкам.

При составлении программ могут использоваться машинно-ориентированный язык АССЕМБЛЕР, проблемно-ориентированные языки: ФОРТРАН — для научно-технических задач, ПЛ/1—для решения научно-технических и экономических задач.

цифровой и графической информации), принтер (алфавитно-цифровое печатающее устройство), графопостроитель, накопитель на магнитной ленте (НМЛ) или магнитном диске (НМД) и через цифроаналоговые преобразователи ДЛЯг ... ЦАП^ (после сглаживания с помощью фильтров нижних частот) выдаются в аналоговой форме в виде непрерывных сигналов ?/вых i ... ^вых N- Если объем внутренней (основной) памяти недостаточен, то промежуточные результаты могут выводиться на НМЛ или НМД, (который играет в этом случае роль внешней памяти микроЭВМ), и по мере необходимости, вновь вводится в микроЭВМ. Работа микроЭВМ происходит в соответствии с заранее составленной программой, под которой понимается совокупность команд, отображающих операции, которые должны быть выполнены над цифровыми кодами сигналов в процессе их обработки. В узкоспециализированных измерительно-вычислительных устройствах программа обработки записана в память микроЭВМ постоянно и быстро изменена быть не может. В универсальных устройствах предварительно разработанная программа записывается на магнитную ленту или магнитный диск и перед началом работы переписывается в основную память микроЭВМ. Управление работой микроЭВМ производится устройством управления в соответствии с программой. Для написания программы для микроЭВМ обычно применяется машинно-ориентированный язык АССЕМБЛЕР, учитывающий особенности построения данной микроЭВМ, вследствие чего программа оказывается более компактной. Помимо этого, используются проблемно-ориентированные языки БЕЙСИК, ПАСКАЛЬ, СИ, ФОРТРАН и т. д.

1) алгоритмические,} языки: простейшие — типа машинно-ориентированных языков (автокодов, ассемблеров) и более сложные — различные проблемно-ориентированные языки типа АЛ ГОЛ-60, ФОРТРАН, КОБОЛ, ПЛ1, языки обработки списков и др.;

Принцип информационного единства требует, чтобы в подсистемах, средствах обеспечения и других компонентах САПР использовались термины, символы, условные обозначения, коды, проблемно-ориентированные языки программирования и способы представления информации, установленные в отрасли соответствующими нормативными документами. В этой части задача решается с учетом имеющихся стандартов как на термины и определения в области электрооборудования и электрических машин (в том числе ЭМММ), так и на параметры сопряжения.

годных для использования при проектировании достаточно широкого класса объектов. Различают инвариантные компоненты, общие для всех САПР, и инвариантные компоненты в предметной области. Компонентами первой группы являются унифицированные технические средства САПР и операционные системы, общие математические методы и соответствующие им пакеты программ, поставляемые специализированными организациями. Проблемно ориентированные инвариантные компоненты создаются разработчиками конкретных САПР. Реализация принципа инвариантности сводится к поиску оптимальной декомпозиции моделей и алгоритмов, применяемых при проектировании ЭМММ. В результате анализа методик проектирования и расчета различных ЭМММ выявляются общие или обобщенные фрагменты и процедуры, которые оформляются в инвариантные модули. Для этого используются обобщенные математические модели, базовые конструкции, типовые и групповые технологические процессы.

В зависимости от назначения ПМК САПР подразделяют на общесистемные, базовые проблемно ориентированные и базовые объектно ориентированные.

Состав базы данных АБД определяется с учетом характеристик объектов проектирования (технических, метрологических и эксплуатационных), характеристик процесса проектирования (характеристик стандартных проектных решений, описания технологических операций с вариантами их реализации, характеристик рабочих мест, характеристик средств производства и т. д.), действующих нормативов и справочных данных, ранее созданных в организации информационных массивов. При построении АБД должен выполняться принцип информационного единства, т. е. должны использоваться термины, символы, условные обозначения, проблемно ориентированные языки программирования и другие способы представления информации, принятые в отраслях. Размерность данных физических величин, хранящихся в АБД, должна соответствовать нормативным документам. АБД должны обладать гибкостью, надежностью, наглядностью и экономичностью.