Пробивными напряжениями

состояние пробивных предохранителей. Эти предохранители устанавливают на стороне низшего напряжения трансформаторов с изолированной нейтралью при вторичном напряжении до 660 В. При повреждении изоляции обмоток трансформатора и переходе высшего напряжения на обмотку низшего в пробивном предохранителе происходит пробой промежутка и соединение сети низшего напряжения с заземлением. В электроустановках напряжением до 1000 В 1 раз в 5 лет должно производиться измерение полного сопротивления петли «фаза — нуль» для наиболее удаленных электроприемников (не мен ее 10% от общего количества).

перевода нагрузок с одного ТН на другой, когда одну из фаз (Ь) нескольких ТН объединяют (например, [Л. 127]). Заземление должно производиться- по возможности ближе к ТН. Однако часто его выполняют в одной точке на общей шинке (фазе Ь) нескольких ТН. При этом для повышения безопасности обслуживающего персонала у каждого ТН на объединенной фазе предусматривается пробивной предохранитель. Опыт эксплуатации указывает на некоторое несовершенство рассмотренных решений. Поэтому в последнее время отказываются от пробивных предохранителей при глухом заземлении ТН на объединенной фазе, а само объединение цепей ТН на общей фазе стремятся исключать или иметь только кратковременно, например при работе переключателей, которые производят перевод нагрузки одного ТН на другой.

Электрические установки с изолированной нейтралью следует применять при повышенных требованиях по безопасности (торфяные разработки, угольные шахты и т. п.) при условии, что в этом случае обеспечиваются контроль изоляции сети и целость пробивных предохранителей, быстрое обнаружение персоналом замыканий на землю и быстрая ликвидация их либо автоматическое отключение участков с замыканием на землю.

Электрические установки с изолированной нейтралью следует применять для повышения надежного питания систем промышленного электроснабжения (торфяные разработки, угольные шахты и т. п.) при условии, что в этом случае обеспечиваются контроль изоляции сети и целостность пробивных предохранителей, быстрое обнаружение персоналом замыканий на землю и быстрая ликвидация их или автоматическое отключение участков с замыканием на землю.

торов, маслоохлаждающих и маслос-борных устройств, ошиновки и кабелей; отсутствия нагрева контактных соединений; исправности пробивных предохранителей и сигнализа- журного персонала Не реже 1 раза в 6 мес — на трансформаторных пунктах при номинальной нагрузке — до 6 ч в сутки

При осмотрах дежурный персонал проверяет течь масла, уровень масла в расширителе и его цвет, характер гудения, состояние изоляторов, температуру масла, работу охлаждающих устройств, целость заземления, состояние ошиновки и кабелей, исправность сигнализации, пробивных предохранителей и т. д.

17.9. Проверка состояния пробивных предохранителей в электроустановках напряжением до 1000 В 219

3. Проверка состояния пробивных предохранителей в электроустановках напряжением до 1000 В.

пробивных предохранителей

• в установках до 1 000 В проверка пробивных предохранителей и полного сопротивления петли «фаза-нуль» - не реже 1 раза в 6 лет.

Проверка наличия цепи между заземлителем и заземляемыми частями. Проверка состояния пробивных предохранителей в установках напряжением до 1000 В

3. Проверка состояния пробивных предохранителей в установках напряжением до 1000 в

и VD4. Через нагрузку в любой полупериод протекает ток в одном направлении. При этом вторичной обмотке Тр ток будет переменным. Особо следует подчеркнуть, что импульсы выпрямленного тока протекают последовательно через два диода, что увеличивает потери в устройстве. Поэтому здесь желательно использовать диоды с малым падением напряжения при заданном прямом токе. Что касается обратного напряжения на каждом диоде, то оно равно половине амплитуды напряжения на вторичной обмотке. Тр. В результате появляется возможность использовать диоды с меньшими пробивными напряжениями, чем в рассмотренных выше выпрямителях.

а) создание транзисторных структур с высокими пробивными напряжениями;

Соотношение между этими пробивными напряжениями транзистора в различных схемах включения можно найти, используя выражение для коэффициента лавинного размножения носителей (3.70):

Согласно выражению (4.53), разница между пробивными напряжениями транзистора при отключенном третьем выводе тем больше, чем больше статический коэффициент передачи тока эмиттера и чем меньше коэффициент Ь, который зависит от исходного материала (см. § 3.11).

а) создание транзисторных структур с высокими пробивными напряжениями;

Пробой за счет туннельного эффекта наступает тем скорее, чем тоньше запорный слой. Для возникновения ударной ионизации необходима более широкая область объемного заряда (толстый запорный слой), чтобы неосновные носители заряда в ней могли при своем движении приобрести достаточную энергию. Такой более толстый запорный слой возникает в полупроводниках с меньшей проводимостью материала. Таким образом, варьируя проводимость материала (путем изменения количества примесей), можно получить диоды с различными пробивными напряжениями. Если пробой в кремниевом диоде наступает при разности потенциалов менее 5 В, то можно утверждать, что физика пробоя — туннельный эффект, если же при разности потенциалов более 8В — ударная ионизация. При промежуточных значениях потенциала пробоя механизм его смешанный.

Время TBOCCT определяется: процессами накопления и рассасывания избыточных носителей в различных областях диода при протекании обратного тока и зависит от схемы включения и способа изоляции. Наименьшее значение TBOCCT имеет диод, включенный по схеме /, наибольшее — диоды по схемам 3, 4 и 5. Диоды, включенные по схеме 1, используются как быстродействующие. Для получения диодов с большими пробивными напряжениями их включают по схемам 2 и 5. Диоды, включенные по схемам 5 и 4, используются как накопительные.

— создание транзисторных структур с высокими пробивными напряжениями;

Повышенный спрос на цифровые интегральные схемы и качественное улучшение их рабочих характеристик привели к тому, что именно это направление было положено в основу развития новой технологии изготовления силовых полупроводниковых ключей. Опираясь на большинство методов обработки кремниевых пластин, которые были успешно применены в цифровой интегральной технике, разработчики силовых приборов уже к концу 70-х годов достигли таких технологических и конструктивных успехов, что их уровень позволил создать сложные, но стабильно воспроизводимые многоячейковые структуры с однородными свойствами. На базе метода двойной диффузии были успешно разработаны мощные ДМДП-транзисторы с коротким каналом ( 1.17). За счет перемещения стока с поверхности кремниевой пластины (как это свойственно горизонтальным структурам) на ее основание были изготовлены вертикальные структуры с повышенной плотностью тока и большими пробивными напряжениями, чем у упоминавшихся ранее УМДП-транзи-сторов. Это позволило наладить серийные выпуски мощных МДП-транзисторов на токи от единиц до десятков ампер с пробивными напряжениями в несколько сотен вольт. Геометрия поверхностных каналов имела различную конфигурацию в разработках тех или иных компаний. Поэтому популярным стало «фирменное» наименование одинаковых, в общем, по сути транзисторов. Наиболее известными и общеупотребительными на многие годы стали прямоугольные ячейки SIPMOS «Siemens» и

Дальнейшее совершенствование диффузионно-планарнои технологии и использование методов двойной диффузии позволили получить многоканальные структуры мощных МДП-транзисторов ( 2.13). Активная область канала данных приборов формируется аналогично базе биполярного транзистора. Благодаря хорошей управляемости диффузионного процесса оказалось возможным изготовление рабочих каналов длиной менее 1 мкм с хорошей воспроизводимостью. Для транзисторов с относительно высокими пробивными напряжениями (более 100...300 В) используют ОМДП- и УМДП-структуры.