Приводятся параметры

Ниже приводятся некоторые схемы, служащие для измерения уровней, размеров, скоростей, температуры.

Ниже приводятся некоторые рекомендации, которые полезно учитывать при проектировании гидродинамических уплотнений с минимальными протечками.

Подробно методы расчета электрических измерительных цепей изложены в [1]. Здесь приводятся некоторые формулы, необходимые для решения задач.

ется по формулам, полученным при опытных исследованиях конвективного теплообмена на моделях и натурных машинах. В табл. 7.3 приводятся некоторые формулы, которые используют в тепловых расчетах электрических машин.

Далее рассматривается только синтез двухполюсников по заданной функции Z (р) путем представления ее в виде цепной дроби или суммы простых дробей, дается понятие о синтезе четырехполюсников на примере дифференцирующих и интегрирующих цепей, а также приводятся некоторые соображения о синтезе нелинейных цепей.

Конструкции реле. Как уже указывалось, электромеханические реле будут в основном развиваться как реле управления. Ниже приводятся некоторые характерные конструкции электромагнитных реле управления.

В данной главе приводятся некоторые сведения по следующим разделам теории линейных цепей:

Математическое описание характеристик. Большинство применяемых реле сопротивления с одним Up и одним /р используют сравнение двух электрических величин Л и В и имеют в комплексной плоскости Zp = Ц,е/фр//р характеристики в виде окружности, прямой или иногда их сочетаний. Каждая из этих характеристик может быть описана уравнениями, имеющими разную форму. Ниже приводятся некоторые из этих форм записи.

В табл. 11.1 приводятся некоторые данные промышленных термопар. Значения термо-э. д. с. являются средними, так как термо-э. д. с. в сильной степени зависит от примесей и обработки термоэлектродов. В промышленных условиях этот разброс характеристик учитывается путем градуирования партий провода.

Для разъяснения этих важных зависимостей приводятся некоторые примеры (табл. 2.4):

Наибольшее распространение в электротехнических установках переменного тока получили нелинейные активные и индуктивные сопротивления. Многие нелинейные активные сопротивления и соответствующие электрические цепи, содержащие эти сопротивления, рассматриваются при изучении основ промышленной электроники. Ниже приводятся некоторые электрические цепи и устройства, содержащие нелинейные индуктивные сопротивления.

Формулы (3.36) — (3.38) трудно применять в расчете и для построения характеристик, поскольку в каталогах не приводятся параметры х\ и я2. Поэтому на практике используют упрощенное уравнение механической характеристики, в которое входят лишь величины, получаемые только из каталожных данных. Это уравнение получается из совместного решения уравнений (3.36) —(3.38):

В отличие от физических параметров Ъ -параметры различаются для каждой схемы включения. Для маломощных транзисторов в справочниках обычно приводятся параметры при / э = 1 мА; UK g = 5 В при включении с общей базой, однако они легко пересчитываются с помощью табличных формул матричного типа для двух других схем с ОЭ или ОК.

В табл. 1.1 приводятся параметры некоторых типов диодов и кенотронов.

На 7.1—7.3 показаны принципиальные тепловые схемы (ПрТС) блоков с турбинами К-200-130, К-300-240 и К-800-240, а в табл. 7.1 приводятся: параметры блоков и основные характеризующие их технические данные. Все блоки работают по циклу с'про межу точным л ере-гревом пара. В показанном на 7.1 блоке с турбиной К-200-130 и барабанным паровым котлом деаэратор подключен к третьему (по хо-

нусоидальной формой измеряемого напряжения. Преобразователи действующего значения измеряемых напряжений в напряжение постоянного тока обычно реализуются на основе термоэлектрических преобразователей. Общим недостатком ЦВ переменного тока, которые в настоящее время выпускаются промышленностью, является их невысокая точность. Ниже приводятся параметры одной из таких моделей ЦВ.

Отметим, что обычный метод расчета топологических зазоров, или метод, основанный на критерии наихудшего случая, используют сравнительно редко. Гораздо чаще прибегают к методу, основанному на сборе статистического распределения погрешностей. Это позволяет выбрать некоторые типовые значения топологических размеров, характерные для данного технологического процесса и параметров используемого полупроводникового материала. В качестве примера ниже приводятся параметры важнейших элементов ИМС и конструктивно-технологические ограничения на процессы фотолитографии.

В табл. 7.2 приводятся параметры схемы замещения '( 7.10) для различных классов полупроводниковых приборов, методика определения параметров по ВАХ, а также формулы расчета мощности потерь.

Примечание. В знаменателе приводятся параметры РУ в тропическом исполнении.

В табл. 7-11 приводятся параметры, по которым выбираются шины, кабели и изоляторы.

Резисторы настолько просты в обращении, что очень часто их принимают как нечто само собой разумеющееся. Между тем они не идеальны, и стоит обратить внимание на некоторые их недостатки. Возьмем, например, получившие широкое распространение резисторы композиционного типа с допуском 5%. Они хороши почти для любых схем с некритичными параметрами, но невысокая стабильность этих резисторов не позволяет использовать их в прецизионных схемах. Следует помнить об ограничениях, свойственных этим элементам, чтобы в один прекрасный день не оказаться разачарованным. Основной недостаток состоит в изменении сопротивления во времени под действием температуры, напряжения, влажности. Другие недостатки связаны с индуктивными свойствами (они существенно сказываются на высоких частотах), с наличием термальных точек в мощных схемах или шумов в усилителях с низким уровнем шума. Ниже приводятся параметры резисторов в самых жестких условиях эксплуатации; обычно условия бывают лучше, но правильнее рассчитывать на худшее.

интерфейс PCI (версия 2.1)/Н132, интерфейс ISA (требуется только буфер 74LS45), 8-разрядный HI08, реализующий шину ISA, шестиканальный блок ПДП, устройство управления энергопотреблением, порт OnCE/JTAG. Архитектурной особенностью данного процессора является также наличие трех сопроцессоров (как в DSP56304). Подсистема памяти может конфигурироваться. Ниже приводятся параметры блоков при включении кэша команд объемом Ж х 24: ОЗУ программ — 5632 х 24; ПЗУ программ — 6144 х 24; ОЗУ данных X — 3840 х 24; ОЗУ данных Y — 2048 х 24; ПЗУ данных Y — 3072 х 24; загрузочное ПЗУ — 192 х 24. Имеет возможность трассировки адреса внутреннего ОЗУ программ через внешний порт. Память DSP56305 включает: ОЗУ программ — 6,5К х 24; ПЗУ программ — 6К х 24; кэш инструкций — 1К х 24; ОЗУ данных — 5.75К х 24; ПЗУ данных — ЗК х 24. Дополнительно введен интерфейс памяти Ml.

Рабочий режим транзистора в проектируемой схеме часто отличается от того режима, для которого приводятся параметры в ТУ.