Приведения активного

Пример 8.40. На 8.7,6 приведена зависимость максимальных выходных напряжений О У К544УД1 от частоты входных сигналов [15]. Определить максимальное неискаженное напряжение на выходе усилителя на частоте 60 кГц.

4) машины, в которых статический момент зависит от ряда технологических факторов, изменяющихся случайно во времени. К этим машинам можно отнести все горные машины по добыче (экскаваторы, погрузочные, бурильные и врубовые машины и др.). Для примера на 2.4 приведена зависимость потребляемой двигателем станка СВБ-2 мощности от времени.

На 5.5 приведена зависимость модуля коэффициента передачи р и угла фазового сдвига i) от частоты. На частоте fo=\J(2nCR), называемой частотой квазирезонанса, коэффициент передачи р имеет максимальное значение:

Фототок /ф зависит также от спектрального состава светового потока. Зависимость относительного значения фототока от длины волны излучения К при постоянном световом потоке определяет спектральную характеристику. На 4.4 в качестве примера приведена зависимость /Ф//Фшах=/(^) фоторезистора из сульфида кадмия. Спектральные свойства фоторезисторов принято характеризовать длиной волны ^тах, соответствующей максимуму чувствительности, и порогом фотоэффекта, равным длине волны Х0, при которой чувствительность составляет 1% от максимальной. Длинноволновый порог фотоэффекта составляет для фоторезисторов из сульфида кадмия (сернистого кадмия) 0,8—0,9 мкм, из селенида кадмия —• 3,3 мкм, из селенида свинца — 4,6 мкм.

В табл. 14.1 приведена зависимость частоты /2 от числа пластин в соответствии с формулой (14.8) при частоте сети /х = 50 гц.

На 2.8, а схематически показано изменение положения уровня Ферми $F в зависимости от изменения концентрации основных носителей заряда. На 2.8, б приведена зависимость времени жизни т неравновесных носителей заряда от концентрации основных носителей,

На 5.14 приведена зависимость фотоемкости от энергии фотона для эпитаксиального слоя арсенида галлия г-типа, выращенного из газовой фазы. Измерения выполнены при температуре 77 К-Из графика видно, что в полупроводнике имеется несколько уровней: 0,465, 0,74, 0,78 и 1,2 эВ. Увеличение емкости при /iv = 0,73 эВ и уменьшение при 0,78 эВ соответствуют опустошению и заполнению одного и того же уровня, расположенного на (1,73 эВ ниже дна зоны проводимости. Это следует из того факта, что сумма энергий равна ширине запрещенной зоны арсенида галлия: 1,5 эВ при 77 К. На 5.15 представлена схема установки для измерения спектральной зависимости фотоемкости. Исследуемая структура С освещается светом с помощью оптической системы ОС. Она подключена последовательно с блокирующим конденсатором С\ на вход измерительного моста переменного тока МПТ. Измерение емкости структуры производится с помощью малого переменного напряжения, подаваемого от генератора Г и наложенного на большое обратное постоянное напряжение от источника постоянного напряжения ИН. Напряжение разбаланса моста усиливается селектив-

С учетом этого на 10.6 приведена зависимость тока /о(/) при синусоидальном питающем напряжении

По результатам расчета на 10.10 приведена зависимость А^г % (cos
На 3.1 приведена зависимость термического КПД т? идеального парового цикла Ренкина от ?0 для насыщенного и перегретого пара [24]. При этом для перегретого пара зависимости т? -f(to) построены для различных значений р0- Как и следовало ожидать, с возрастанием температуры перегрева (при р0 = const) КПД непре рывно растет. Для насыщенного пара увеличение т? происходит только примерно до давления пара, равного 16,5 МПа (до /н « 350 °С). При дальнейшем увеличении параметров насыщенного пара КПД даже падает. Это связано с тем, что (как будет показано ниже) влияние давления на термический КПД цикла неоднозначно.

На 7.9 приведена зависимость сопротивления индуктивной катушки с учетом поверхностного эффекта (гп), а также дополнительного сопротивления из-за эффекта близости (г6) от диаметра провода d для

Содержащийся в формулах (6-2) — (6-4) коэффициент с назовем коэффициентом приведения активного сопротивления.

С повышением частоты коэффициент приведения активного сопротивления с увеличивается, так как г2, хм2 ~ ]/"/, a xs, xe — /. В пределе, при /-> да, получим

где с, как и прежде,— коэффициент приведения активного сопротивления; х'2 — приведенное реактивное сопротивление вторичной цепи, равное теперь приведенному внутреннему сопротивлению х'м2.

7. Коэффициент приведения активного сопротивления детали

7. Определим коэффициент приведения активного сопротивления с. Реактивное сопротивление

где коэффициент приведения активного сопротивления загрузки

Содержащийся в формулах (5-15) — (51-17) коэффициент с будем в дальнейшем называть коэффициентом приведения активного сопротивления.

С повышением частоты коэффициент приведения активного сопротивления с увеличивается, так как г2=>/7 и *2м = т/7, a xs = f

10. Коэффициент приведения активного сопротивления детали

с= 3,12- 10~3/(0,446-0,5) = 0,014 м. 8. Коэффициент приведения активного сопротивления хй = 3,95- 10-6//ис/А = 3,95- 10~6.2- 103-0,5. 0,014/0,005 =1,1- 10~2 ом; г2/х0 = 0,33 < 0,5; с = - - - = 0,692.

где D j и D 2 — соответственно диаметры индуктора и нагреваемого цилиндра; рх и р2 — удельные сопротивления, материалов индуктора и нагреваемого цилиндра; m2 = D2/(/2AK); A = f (/п2); с — коэффициент приведения активного сопротивления цилиндра (§ 5-3); а — длина системы; Ак — горячая глубина проникновения тока. _