Приведена упрощеннаяНа 11.14 приведена временная диаграмма для передачи со стробированием. Информация передается по линиям Л\, ,.., Л„ в интервале времени, когда сигнал на линии Ло соответствует 1. При нулевом
На 11.22 приведена временная диаграмма процедуры считывания (ввода) в расширенном интерфейсе ввода-вывода ЕС ЭВМ.
Интерфейс «мультишина» рассчитан на михромашины с короткими межмодульными связями. Это позволяет выполнять смену задатчика на шине синхронно со специальными синхросигналами. На 11.30 приведена временная диаграмма обмена данными в интерфейсе «мультишина» в режиме прямого доступа при параллельном арбитраже.
На III.4, а приведена временная диаграмма тока /ц для однофазной однополупериодной схемы. Этот ток можно представить в виде ряда Фурье
На 6-9, а приведена временная диаграмма, поясняющая импульсный способ записи по трем уровням. Ток в записывающей головке при записи 1 имеет форму импульса положительной полярности, создающего положительное насыщение носителя, а при записи О — импульса противоположной полярности (отрицательное насыщение). Отличительной чертой этого метода является то, что ток в записывающей головке в начале и в конце цифрового такта равен нулю, т. е. после записи двоичного знака носитель всегда возвращается к размагниченному состоянию. Для записи 1 или 0 производится либо переключение двух встречно соединенных обмоток записывающей головки, либо изменение направления тока в одной обмотке.
На 6-9, г приведена временная диаграмма для фазового ме* тода записи. Этот метод по Сравнению с ранее рассмотренным позволяет значительно повысить достоверность выделения сигналов при считывании информации в условиях наложения соседних магнитных отпечатков на носителе, т. е. дает возможность реализовать более высокую плотность записи. Объясняется это тем, что при изменении частоты записи в широких пределах амплитудные и фазовые искажения сигналов остаются малыми.
На 10-2 приведена временная диаграмм:^ синхронной передачи сигнала по шине интерфейса Ш0 от передающего устройства У\ к приемному устройству У2-
На 10-3 приведена временная диаграмма для • асинхронного метода передачи информации от передающего устройства У! к приемному У2 по шине Ш0. Устрой-
На 6-9, а приведена временная диаграмма, поясняющая импульсный способ записи по трем уровням. Ток в записывающей головке при записи 1 имеет форму импульса положительной полярности, создающего положительное насыщение носителя, а при записи О — импульса противоположной полярности (отрицательное насыщение). Отличительной чертой этого 'метода является то, что ток в записывающей головке в начале и в конце цифрового такта равен нулю, т. е. после записи двоичного знака носитель всегда возвращается к размагниченному состоянию. Для записи Гили 0 производится либо переключение двух встречно соединенных обмоток записывающей головки, либо изменение направления тока в одной обмотке.
На 10-2 приведена временная диаграмма синхронной передачи сигнала по шине интерфейса Ш0 от передающего устройства У\ к приемному устройству У2.
Кроме того, быстродействие дополнительно может снизиться за счет большей длительности тактового периода. На 1.15 приведена временная диаграмма работы процессора с УУ, построенным по принципу программируемой логики. В момент времени /, (на положительном фронте синхросигнала С) происходит прием в регистр адреса (РА) БМУ сформированного адреса следующей микрокоманды. Далее
На 9.24 приведена упрощенная временная диаграмма процесса прерывания в предположении, что управление запо-
На 14.6 приведена упрощенная структурная схема БОП. Обработка запроса в БОП состоит из трех этапов. Поскольку на каждом этапе используются отдельные средства, возникает своеобразный конвейер, и при наличии запросов одновременно обрабатываются три запроса по одному для каждого этапа.
В качестве примера на 15.3 приведена упрощенная структура двухмашинного вычислительного комплекса ВК2М46,
На 18.1 приведена упрощенная схема системы ТП—Д черпаковой цепи драги с емкостью черпака 250 л, состоящая из главной цепи, цепей управления, защиты и автоматического регулирования.
На 30.5 приведена упрощенная схема реле утечки с использованием оперативного постоянного тока. Обмотка реле Р трехфазным дросселем TD подключается к трем фазам сети. Второй конец обмотки реле Р подключен к источнику постоянного оперативного тока Е. Контакт реле Р включен в цепь отключающей катушки ОК. автоматического выключателя А. Дроссель ТД имеет большое индуктивное сопротивление и сравнительно небольшое омическое сопротивление. Поэтому включение его в сеть переменного тока не снижает существенно сопротивление изоляции сети, в то же время постоянному оперативному току дроссель значительного сопротивления не оказывает.
На 1.7, о приведена упрощенная функционал.пая схема ЭХГ, в состав которого входит БТЭ, имеющая 76 ТЭ с ИОМ. Две секции (по 38 ТЭ) соединены параллельно и имеют суммарную мощность 5 кВт. БТЭ размещена в цилиндрическом контейнере диаметром 0,33 м и габаритной длиной 0,94 м. Ее «сухая» удельная масса (без заправки) составляет 11 кг/кВт. Эксперименты показали, что сборка ТЭ способна работать более 5000 ч без деградации ИОМ при температуре до 455 К [1.7].
На 8.68, а приведена упрощенная схема БИС АЦП серии К1ПЗ (КШЗПВ1). Здесь цифровой автомат выполнен в виде: двоичного регистра Рг последовательного приближения, суммирующего импульсы тактового генератора 7Т; выходных буферных устройств 1, 2, 4, ..., 256, соответствующих двоичным разрядам счетчика; схемы готовности данных ГД, управляемой счетчиком и выдающей команду на считывание выходного кода. Термостабилизированный источник опорного напряжения ИОН вырабатывает напряжение t/on для ЦАП. Компаратор выполнен синхронизируемым импульсами тактового генератора.
Более широкими возможностями обладают электронно-счетные частотомеры. На 10.12 приведена упрощенная структурная схема электронно-
На 10.13, а приведена упрощенная структурная схема аналогового электронного фазометра. Фазометр содержит два одинаковых канала: опорный и измерительный. В состав этих каналов входят усилители-ограничители УО, формирующие прямоугольные импульсы иг и и2 ( 10.13, б) из синусоидальных напряжений. Прямоугольные импульсы с выходов обоих каналов поступают на дифференцирующие и распределяющие цепи ДЦ, которые служат для формирования из прямоугольных импульсов коротких положительных и отрицательных импульсов и3, и4, соответствующих фронтам и срезам прямоугольных импульсов. Вместе с этим происходит распределение импульсов дифференцирующих цепей между ключами KI, /(2 так, что ключ Ki замыкается положительным импульсом опорного канала и размыкается отрицательным импульсом измерительного канала, а ключ К2 размыкается отрицательным импульсом опорного канала и за-
На 2.3 приведена упрощенная модель решетки (а) и зонная энергетическая диаграмма (б) для беспримесного кремния, где между каждыми двумя атомами кремния проведено две связывающие их прямые линии, каждая из которых символизирует собой наличие электрона на общей орбите у этих атомов. Ее принято называть валентной связью. Валентный электрон, находящийся в такой связи, по энергии расположен в валентной зоне. Электроны во всех связях будут присутствовать только при температуре абсолютного нуля. По мере нагревания полупро-
Поток рассеяния Фа зависит от размеров полюсов, межполюсного окна и магнитных характеристик элементов магнитной цепи машины. На 4.9 приведена упрощенная схема замещения магнитной цепи яв-нополюсной синхронной машины. Для машин постоянного тока последующие выводы остаются такими же. Основной поток Ф и поток рассеивания Фа создаются одной и той же МДС обмотки возбуждения FB-Магнитные сопротивления путей этих потоков включены параллельно. Сопротивление потоку Ф определяется магнитными характеристиками воздушного зазора, зубцовых зон и ярма статора. Суммарное магнитное сопротивление этих участков ( 4.9) обозначено Л„. Сопротивление дня потока Фд, определяемое, в основном, магнитной характеристикой межполюсного пространства, обозначено Ra. Магнитные сопротивления стали полюсов и ярма ротора, общие для обоих потоков, на схеме не показаны.
Похожие определения: Предусмотрено переключение Применяют синхронные Применяют универсальные Применения электрических Применения дополнительных Применения микросхем Применения радиоактивных
|