Приведена структура

с 2р=2 надобность в уравнительных - соединениях отпадает. На 10-18,а приведена развернутая схема равносекционной простой петлевой обмотки с уменьшенным числом пазов и коллекторных пластин.

На 3.50 приведена развернутая схема простой петлевой обмотки, каждая катушка которой состоит из трех секций. Пазовые части катушек изображены в зависимости от их положения в пазу сплошными или пунктирными линиями, а в лобовых частях эти линии разветвляются: от каждой отходят три отрезка, обозначающих лобовые части трех секций, входящих в катушку. Начала и концы секций соединяют с пластинами коллектора. На схемах на коллекторных пластинах обычно показывают места расположения щеток.

2.5.7. На 2.22 приведена развернутая схема трехфазной двухслойной обмотки с числом пазов на полюс и фазу q = 2. Определить тип обмотки, ее шаг, число полюсов и параллельных ветвей. Выполнить соединение фаз в треугольник.

с 2р=2 надобность в уравнительных соединениях отпадает. На 10-18,а приведена развернутая схема равносекционной простой петлевой обмотки с уменьшенным числом, пазов и коллекторных пластин.

На 14-9, и приведена развернутая схема простом петлевой обмотки. Секции условно показаны одной линией. На самом деле обычно в секции имеется несколько проводов ( 14-9,6). В дальнейшем будем считать, что практически все секции обмотки имеют несколько проводов. Секции, располагаемые в верхнем слое, изображены сплошными

в которой при остановке автоматически выполняется динамическое торможение. Эта схема принципиальная, но справа приведена развернутая схема цепей управления. Там же для примера показана маркировка проводов цепей управления. При нажатии кнопки «Пуск» втягивается якорь контактора К и двигатель включается. При одновременном замыкании вспомогательных контактов ВК1 замыкается цепь блокировки, и якорь контактора остается втянутым при отпускании кнопки «Пуск». Размыкание цени катушки контактора К вызывает отпадание якоря контактора и остановку двигателя. Вместе с отпаданием якоря контактора К включаются размыкающие вспомогательные контакты ВК2 и контактор динамического торможения Т, который подключает двигатель на напряжение постоянного тока, и замыкаются замыкающие контакты реле РД с выдержкой времени на отпадание. Реле контролирует время торможения. После отпадания якоря контактора К и последующего втягивания контактора Т двигатель включается через резистор гт на напряжение постоянного тока. Процесс торможения заканчивается по окончании времени выдержки реле РД, когда размыкается контакт реле РД, отпадает якорь контактора Т, и схема переходит в исходное состояние.

Рассмотрим в качестве примера двухполюсный генератор, обмотка якоря которого состоит из шести секций, уложенных в шести пазах сердечника якоря. На 12.5, а приведена развернутая схема обмотки якоря. Вертикальными линиями с цифрами 1, 2, ..., 6 пока, заны условно пазы сердечника якоря, в которые уложены секцией-

На 3.50 приведена развернутая схема простой петлевой обмотки, каждая катушка которой состоит из трех секций. Пазовые части катушек изображены в зависимости от их положения в пазу сплошными или пунктирными линиями, а в лобовых частях эти линии разветвляются: от каждой отходят три отрезка, обозначающих лобовые части* трех секций, входящих в катушку. Начала и концы секций соединяют с пластинами коллектора, На схемах на коллекторных пластинах обычно показывают места расположения щеток.

На 2.1 была приведена развернутая структура службы подготовки производства в ЭМУ. Рассмотрим задачи, выполняемые отдельными ее звеньями.

На 6.3 приведена развернутая тепловая схема двухконтурной АЭС с реактором ВВЭР-1000. Схема моноблочная.

На 6.3 приведена развернутая тепловая схема двухконтурной АЭС с реактором ВВЭР-1000. Схема моноблочная.

На 2-1 была приведена развернутая структура службы подготовки производства. Рассмотрим задачи, выполняемые отдельными ее звеньями.

На З.З.а показана структура типичного БТ п-/7-п-типа, который используется в схемах с непосредственными связями, а также в схемах РТЛ, ЭСЛ и ЭПЛ, а на 3.3,6 — структура БТ p-n-p-типа с вертикальным расположением /?-л-переходов и с коллектором в виде подложки (технологически совместим с транзистором типа п-р-п). Очевидно, что транзисторы подобного типа, расположенные на одном кристалле, имеют общий коллектор. Это ограничивает их применение. На 3.3,в приведена структура БТ типа р-п-р с горизонтальной структурой. Ширина базы и, следовательно, коэффициент усиления по току такого БТ определяется расстоянием между окнами, протравливаемыми в оксиде кремния для создания эмиттера и коллектора. В этой структуре трудно контролировать ширину базы, поэтому небольшие колебания ее могут вызвать значительные изменения коэффициента усиления.

На 3.8 приведена структура ИМС с изоляцией в виде области пространственного заряда (ОПЗ) ^-«-перехода (метод базовой изолирующей диффузии).

Наибольшее применение структуры типа кремний на сапфире (К.НС) получили для изготовления БИС на КМОП-элементах. На 3.11 приведена структура такого элемента.

На 3.34, б приведена структура преобразователя с дифракционной решеткой, содержащая два активных электрода 1, между которыми расположены пассивные электроды 2. Достоинствами такого преобразователя являются повышенное значение сопротивления (по сравнению с ВШП); возможность возбуждения ПАВ на удвоенной частоте и снижение требований к технологии его изготовления, так как разрыв и короткое замыкание пассивных электродов не приводят к изменению параметров. Условие акустического синхронизма выполняется при ширине электрода, равной 0.5А,, и шаге, равном К. Сопротивление излучения такого преобразователя в 0,25W2 раз больше, а емкость в 0.25Л/2 раз меньше соответствующих параметров эквивалентного ВШП, содержащего такое же число электродов. Более точное значение сопротивления ??ад излучения преобразователя типа дифракционной решетки можно вычислить, пользуясь табл. 3.12.

гене угла диэлектрических потерь таких диэлектриков (параэлек-триков) при температурах ниже 80 К сильно зависит от внешнего электрического поля. Активный элемент параэлектрического усилителя представляет собой конденсатор, заполненный па-раэлектриком, помешенным в электромагнитное поле (накачка). Емкость конденсатора периодически изменяется с частотой накачки, что позволяет осуществить параметрическое усиление ( 9.30). На 9. 30, а приведена структура активного элемента параэлектрического усилителя, а на 9.30,6 — зависимость его емкости от напряжения при температуре 4,2 К. Пунктиром показана эта же зависимость при нормальной температуре (300 К).

В рассмотренном транзисторе по сравнению с изопланарным достигается уменьшение толщины эмиттера и базы, расстояния от края эмиттерного перехода до базового контакта, сопротивления пассивной базы, площади и барьерной емкости коллекторного р-п перехода, т. е. он характеризуется более высокой граничной частотой и меньшей площадью. На 3.12 приведена структура транзистора (с комбинированной изоляцией), в которой используются два слоя поликристалличе-ского кремния. Первый слой / /?+-типа обеспечивает омический контакт к базовой области. При изготовлении транзистора этот слой служит источником акцепторных примесей, диффундирующих в пассив, ные области базы р+-типа и уменьшающих их удельное сопротивление. Второй слой 2 легирован донорами. Он наносится после частичного

На 9.10 приведена структура, в которой транзистор имеет вертикальный канал, а конденсатор расположен в глубине под транзистором. Она сформирована на подложке /)+-типа, выполняющей функцию первой «заземленной» обкладки конденсатора. В подложке методом сухого анизотропного травления получена канавка глубиной 5...8 мкм с вертикальными боковыми стенками, покрытыми тонким слоем диоксида кремния /, заполненная поликристаллическим кремнием 2 п+-типа, служащим второй обкладкой конденсатора. На подложку нанесен эпитаксиальный слой 3 /Г~-типа толщиной З...5мкм, на границе которого расположен скрытый слой 4 п+-типа.

На 2.6 приведена структура ПЗУ, программируемого пользователем. Как и в ОЗУ, матрица-накопитель состоит из элементов памяти (ЭП), образующих строки и столбцы, но в отличие от ОЗУ при считывании из накопителя выдается содержимое целой строки элементов памяти. Такая строка обычно содержит несколько слов. С помощью селектора из строки выделяется и передается на выход требуемое слово.

На 8.2,а приведена структура регулятора мощности одной фазы дуговой сталеплавильной печи, задачей которого является поддержание постоянной мощности, выделяемой в дуге, и равной тому значению, которое определяется уставкой регулятора на каждой из ступеней напряжения печного трансформатора.

Принцип действия параэлектрических усилителей основан на использовании явления аномально высокой поляризации некоторых диэлектриков (например, СгТЮ3) при низких температурах. Тангенс угла диэлектрических потерь таких диэлектриков (параэлект-риков) при температурах ниже 80 К сильно зависит от внешнего электрического поля. Активный элемент параэлектрического усилителя представляет собой конденсатор, заполненный параэлектри-ком, помещенным в электромагнитное поле (накачка). Емкость конденсатора периодически изменяется с частотой накачки, что по-зволяет осуществить параметрическое усиление ( 8.30). На 8.30, а приведена структура активного элемента параэлектрического усилителя, а на 8.30, б —зависимость его емкости от напряжения при температуре 4,2 К. Пунктиром показана эта же зависимость при нормальной температуре (300 К).

На 12.1 приведена структура себестоимости штамповки листов магнитопроводов электродвигателей серии 4А с высотой