Приведена диаграмма

На 3.20 приведена электрическая схема интегрального операционного усилителя К140УД1 и его схемное обозначение. Имея большой коэффициент усиле-

На 6.8, а приведена электрическая схема ГЛИН на операционном усилителе, соответствующая рассмотренной функциональной схеме. В этом устройстве операционный усилитель с /?С-цепью в звене отрицательной обратной связи представляет собой интегратор. На транзисторе Т типа п-р-п собран ключ. Управление транзисторным ключом осуществляется управляющими импульсами «упр: 'при подаче «апряжения мупр положительной полярности транзисторный ключ открыт, а при прекращении— закрыт.

На 9.10 приведена электрическая схема оптоэлектронной микросхемы типа К249КН1А-Е. Микросхема предназначена для коммутации аналоговых сигналов, в частности сигналов от измерительных датчиков. Фотодиоды оптронов ОД\ и ОД2 работают в фотогенераторном режиме, а поскольку ЭДС одного фотодиода недостает для надежного отпирания транзисторов Т\ и 7*2, в управляющую цепь включены последовательно два оптрона. Оптроны в данном устройстве играют роль импульсного трансформатора, однако по сравнению с ним обладают таким преимуществом, как возможность передачи сигналов постоянного тока при полном отсутствии помех с выхода на вход. Конструктивно фотодиоды оптронов изготовляют на том же кристалле, что и транзисторы, как единое целое.

На 8.57, а приведена электрическая схема простейшего ГЛИН. На транзисторе Т собран ключ, управляемый прямоугольными импульсами ывх отрицательной полярности ( 8.57, б). В исходном состоянии транзистор насыщен (ключ замкнут), что обеспечивается выбором соотношения сопротивлений резисторов R6

раздельными, выполненными в разных коллекторах одного ПЭ катодами (см. 1.24,6) позволяет реализовать функцию И непосредственно на входе ( 1.26). Схема объединения базовых элементов (см. 1.24,а), в которой используется диодная сборка из ДШ с общим катодом и раздельными анодами, приведена на 1.27. На 1.24,в приведена электрическая схема базового элемента, аналогичная схеме 1.24,а, но отличающаяся от нее тем, что коллекторный p-n-переход переключательного транзистора шунтирован ДШ. Такое включение шунтирующего ДШ уменьшает степень насыщения переключательного транзистора и логический перепад. В таком элементе At/ = i/дщ., — ^дш,, где t/дш,, URIU,— падения напряжения на развязывающем и шунтирующем ДШ.

напряжению необходимо иметь несколько каскадов усиления. На 2.13 приведена электрическая схема одного из наиболее распространенных интегральных ОУ. Входной каскад представляет собой дифференциальный усилитель на транзисторах Тг и Г2. Источник стабилизированного тока на транзисторе Г4, образующем с транзистором Т3 схему токового зеркала, выполняет функцию нагрузки транзистора Т2. Эмиттеры транзисторов Т3 иГ4 подключены к внешним входам установки нулевой точки. Второй каскад усиления состоит из составного транзистора, образованного транзисторами Т5 и Тв. Нагрузкой составного транзистора является источник тока /2. Выходной каскад ОУ выполнен на транзисторах 77 и Ts, включенных по схеме эмиттерного повторителя. Второй каскад ОУ работает как интегратор на высоких частотах, так как между базой Тъ и коллектором Тя включен конденсатор коррекции Ск = ЗОпФ. Работа входного каскада иллюстрируется диаграммой распределения токов, приведенной на 2.14. При отсутствии входных сигналов через эмиттеры транзисторов 7\ и Т2 протекают токи, равные 0,5/j. Во втором каскаде коллекторные токи транзисторов Т3 и Tt равны, так как они образуют схему токового зеркала. При этом на выходе дифференциального каскада напряжение равно удвоенному падению напряжения открытого эмиттер но-базового перехода транзистора Ts.

На 2.20 приведена электрическая схема широкополосного усилителя с использованием описанных каскадов. Выделим основные части схемы и рассмотрим их

Рассмотрим работу ППЗУ на простейшем примере. На 4.9 приведена электрическая схема ЗУ в виде диодной матрицы, в которой последовательно с каждым диодом включена плавкая перемычка /. В исходном состоянии все перемычки должны быть целы, и с любого выхода будет считываться «1». Занесение информации в ППЗУ производится путем пережигания плавких перемычек при пропускании импульсов тока через некоторые диоды, в результате часть диодов оказывается отключенной от разрядных шин. Этот процесс называется программированием и осуществляется с помощью специального внешнего устройства — программатора ППЗУ. На 4.10 приведена схема фрагмента накопителя ППЗУ типа ТТЛ, в котором базы МЭТ подключаются к шинам слов, а эмиттеры через плавкие перемычки 1— к разрядным шинам. Если на коллекторы МЭТ подать напряжение питания, то при выборе определенной строки на базу соответствующего МЭТ подается отпирающее напряжение. В том случае, когда какой-нибудь эмиттер подключается к низкоомной нагрузке, можно обеспечить импульс тока эмиттера, достаточный для пережигания перемычки. Ток, достаточный для пережигания нихромовой перемычки, составляет 20—50 мА, а время, необходимое для пережигания, — несколько десятков миллисекунд.

2.9. На 2.9 приведена электрическая схема газового стабилизатора напряжения с газоразрядным стабилитроном типа СГ4С. Определить сопротивление балластного резистора /?б и мощность Р«, выделяемую на нем, если ток на прямолинейном участке вольт-амперной характеристики стабилитрона изменяется от минимального значения /min = 5 мА до максимального /тах = 40 мА. Значение стабилизированного выходного напряжения ?/'вых = 150 В, а напряжение на входе t/BX = 240 В, сопротивление нагрузочного резистора /?н= ЮкОм.

На 7.8 в качестве примера приведена электрическая схема ИМС ОУ типа К140УД12, которая может быть использована как микромощный усилитель и как ОУ общего назначения. ИМС может работать в широком диапазоне значений питающих напряжений и других параметров (см. табл. 7.4). Особенностью ИМС является то, что ее режим работы задается внешней схемой.

В качестве примера на 7.16, а приведена электрическая

В качестве примера на 34 приведена диаграмма энергетических уровней иона неодима Nd3+.

Выбор трансформаторов связи и блочных трансформаторов. Номинальная мощность трансформаторов выбирается по расчетной мощности, которая устанавливается из рассмотрения перетоков мощности по обмоткам трансформаторов в нормальном и аварийном режимах работы ТЭЦ на основе баланса мощности. На 2.14 приведена диаграмма баланса

На 7.6 приведена диаграмма, поясняющая принцип управления тиристорным преобразователем.

Необходимые фазовые соотношения в последовательностях импульсов с частотой имп можно получить в преобразователе, содержащем делители частоты ( 3.9а). Импульсы от задающего генератора, деленные по частоте в п раз, действуют на выходе xl, Процесс деления в другом делителе может начаться только после-того, как подействует импульс запуска и откроется ключ Кл. На* 3.96 приведена диаграмма образования фазового сдвига BI процессе деления частоты в 4 раза. Подлежащие делению импульсы (диаграмма /) после деления преобразуются в сигнал на выходе xl (диаграмма 2). Если в момент t\ действует импульс запуска, то ключ Кл откроется и начнется процесс деления в нижнем делителе (диаграммы 3 и 4). Из диаграмм видно, что между момен-

На 11.13 приведена диаграмма режимов паротурбинной установки с двумя отопительными отборами. Диаграмм! построена для условий, при которых давление свежего пара составляет 12,74 МПа, а температура его равна 555 °С. Сетевая вода подогрелается в сетевых подогревателях СП1 и СП2 до энтальпии, определяемой в зависимости от полной теплофикационной нагрузки Qm и давления в верхнем отборе рт1. Значения этих величин устанавливаются го температуре наружного воздуха. Диаграмма устанавливает зависимость между расходом пара D, мощностью генератора N и теплофикагионной нагрузкой Q

Теоретическое давление. Рассмотрим условия работы центробежного нагнетателя — вентилятора или компрессора— на сеть, которую в нашем случае представляет вентиляционный тракт электрической машины. На 10-7 приведена диаграмма скоростей газа перед лопатками центробежного колеса и за ними. На диаграмме обозначено: С] — абсолютная скорость при входе на лопатки; с2 — абсолютная скорость при выходе из колеса; U{ — переносная скорость на диаметре входа на лопатки; и2 — переносная скорость на наружном диаметре колеса; с\и — тангенциальная составляющая скорости при входе на лопатки; с%и — тангенциальная составляющая скорости при выходе из колеса, Wi — относительная скорость газа при входе, w2 — относительная скорость газа при выходе.

На 2.11 приведена диаграмма изменения индукции по высоте зубца при v=l,5, а также кривая изменения напряженности магнитного поля в зубце, полученная из кривой намагничивания электротехнической стали марки 1212, при flzmin=l>6 Тл. Из 2.11 видно, что напряженность магнитного поля в зубце неравномерна.

Предположим, что магнитная индукция на поверхности якоря ( 6-7) нормальна к ней (напомним, что магнитные линии выходят и входят в ферромагнитные тела под почти прямым углом) и изменяется вдоль окружности якоря по синусоидальному закону. На 6-8 приведена диаграмма радиально-синусоидального магнитного поля. Направление вектора индукции в отдельных точках поля на поверхности якоря совпадает с направлениями радиусов (указано стрелками). Величины индукции изображены отрезками, расположенными между окружностью якоря и оги-.бающей кривой. Такое распределение индукции в воздуш-

На 3-1,6 приведена диаграмма, показывающая относительное распределение электронов на разных уровнях для одного из многоэлектронных атомов. Электроны обозначены кружочками. Число кружочков на каждой линии соответствует максимально возможному числу электронов в соответствующей подгруппе.

Из сказанного следует, что транзистор может работать с малыми потерями м высоким КПД только при условии, если он длительно находится либо в режиме отсечки, либо в режиме насыщения, а переход из одного режима в другой происходит достаточно быстро. На этом основан принцип действия мощных усилителей, работающих в так называемом режиме переключения. На 22-8 приведена диаграмма токов, поясняющая работу такого усилителя. Управляющий ток 1Ъ подается на базу импульсами, относительная длительность которых характеризуется коэффициентом заполнения

По мере того как расширяется применение пайки для пленочных материалов, номенклатура припоев становится все более разнообразной. По существу любой сплав или элемент, способный смачивать некоторую поверхность и затем затвердевать с образованием соединения, может служить припоем. На 19-5 приведена диаграмма, на которой указаны некоторые из используемых сплавов. Помимо оловянно-свинцовых широко применяют 'серебряные (для высоких температур), индиевые (для промежуточных) и висмутовые припои (для низких тем-