Приведена эквивалентная

Чтобы можно было составить представление о характере изменения частоты вращения, на 9.29 приведены зависимости п(Ф).

На 1.28 приведены зависимости U , Р„,РК и т? от тока /.

Уравнение КПД показывает, что с уменьшением нагрузки КПД также уменьшается. На 15.6 приведены зависимости КПД генератора от нагрузки при различных значениях cos^. С увеличением номинальной мощности генераторов возрастают КПД как самого генератора, так и его первичного двигателя.

На 12.1 приведены зависимости, характеризующие временное магнитнсе старение магнитов из некоторых магнитотвердых материалов при разном положении рабочей точки (разном отношении В/Н). 12.1 хорошо отражает логарифмический характер этих зависимостей (для оси времени взят логарифмический масштаб).

Из-за недостаточной надежности пластмассовых корпусов ИМС (прежде всего низкой влагоустойчивости) применение их ограничено. К тому же из-за различия в ТК.ЛР материала корпуса и кристалла примерно на порядок при температуре эксплуатации, которая, как правило, ниже температуры стеклования герметизирующей пластмассы, кристалл испытывает сжимающее напряжение. Механические напряжения кристалла могут привести к отклонениям электрических параметров микросхем, а также снизить механическую прочность кристалла и корпуса. На 2.7 приведены зависимости компонентов напряженного состояния монокристалла кремния со структурой ГЦК, ориентированного рабочей поверхностью в направлении , для температуры стеклования герметизирующей пластмассы 120° С. Напряженно-деформированное состояние монокристалла изменяет его электрофизические параметры, вызывает смещение минимумов зоны проводимости и расщепление запрещенной зоны. Изменение (уменьшение) ширины запрещенной зоны может быть оценено приближенной формулой

Определение основных размеров рабочих колес по методу подобия. При начальных стадиях проектирования часто необходимо быстро оценить габариты насоса, с тем чтобы правильно выбрать его конструктивную схему. Приняв в качестве определяющего параметра коэффициент быстроходности, после систематизации размеров лучших насосов оказалось возможным представить основные геометрические размеры колеса как функцию от ns. Это позволяет достаточно точно определить габариты рабочего колеса. В [10] приведены зависимости Ко„, /Со,, Кьг, Кьгъ функции от «s, зная которые, можно определить соответствующие размеры

На 2.24,а приведены зависимости kl от (p2/Pi) для оптимального соленоида (/. = 0,406, &Ф4 = 0,48) при M't = 10 и w^lOO (непрерывные линии для сплошного внутреннего проводника, когда с = 0,25 и пунктирные—для трубчатого внутреннего проводника, когда с«0). Видно, что при p2/Pi* «1,5-^2, когда можно эффективно изолировать первичную и вторичную обмотки друг от друга, имеем kl «0,995-^0,997 (соответственно &с« 0,997 -н- 0,998) при w1 = 100. Высокие значения ke обеспечивают эффективную передачу энергии из первичной цепи во вторичную и практически бездуговую коммутацию ключа К1 на 2.21. Примерно таких же высоких значений ke можно добиться при бифилярной намотке первичной и вторичной обмоток.

толщину и выполнена в виде слоев, чередующихся со слоями первичной обмотки аналогично тому, как это делается в цилиндрических обмотках. На 2.26, г приведены зависимости ke от относительной толщины A. = A/rflcp тороидального ИН с чередующейся намоткой для различного числа слоев вторичной обмотки и2. Число слоев первичной обмотки п1=п2 + \. Отношение активных сечений вторичной и первичной обмоток принималось 0,2. Сплошные линии построены для й?„1ср = 0,1, пунктирные — для ?/„1ср = 0,5.

приведены зависимости \i,(H) для железа (кривая 2) и пармаллоя (кривая 3).

жна быть не менее 66 единиц. Среднее число единиц данных (табл-.. 3.1) в накопителе при 7 = 4 и р = 0,4 равно 2,5 и при 7=10 равно 6,5, т. е. примерно на порядок меньше требуемого объема накопителя.. На этих же рисунках приведены зависимости для экспоненциального распределения длин сообщений, рассчитанные при р = 0,6 по известной формуле для системы М/М/l и с учетом (3.11) и (3.12). Из сопоставления графиков для 7=4 и 7=10 видно, что распределения P(L>N) существенно более близки при 7=10, что соответствует предположению о возможности аппроксимации ге-

В i[25] приведены зависимости Рпот, РП и Pns от емкости накопителя Яб- Эти зависимости показаны на 3.10,а при р=0,5 и 0/(д,= 10~4, на 3.10,6 — зависимости Рп2=ДЯб) при различных значениях загрузки.

Трехфазная электрическая система большой мощности состоит из большого числа трехфазных источников и трехфазных приемников электрической энергии, работающих параллельно. Можно считать, что частичное изменение числа источников и приемников электрической энергии в системе большой мощности не влияет на режим ее работы. Поэтому действующее значение напряжения на общих шинах системы, так же как частоту, можно всегда считать постоянными величинами. На 15.7 приведена эквивалентная схема замещения фазы системы большой мощности, содержащая источник бесконечной мощности ЭДС К и приемник с сопротивлением нагрузки Z На этом же рисунке показана эквивалентная схема замещения фазы синхронного генератора без учета активного сопротивления фазной обмотки, который подключен к общим шинам системы. Запишем уравнение электрического состояния фазы синхронного генератора:

Корпус приемника тока присоединен к заземлению с сопротивлением R3. Человек с сопротивлением R4 касается корпуса приемника при пробе изоляции. Человек в этом случае включается параллельно сопротивлению Rs и сопротивлению изоляции первого провода rl и последовательно с сопротивлением изоляции второго провода г2. На 30.2, б приведена эквивалентная схема такого соединения. Сопротивления г! и R4, включенные параллельно сопротивлению Ra, значительно больше сопротивления заземления Rs, поэтому ими для упрощения можно пренебречь. В этом случае получается упрощенная эквивалентная схема, приведенная на 30.2, в.

Заметим, что коллекторная область структуры транзистора ( 1.1, а) имеет большое объемное сопротивление (порядка 0,5...50 Ом • см), а контакт коллектора вынесен на лицевую поверхность подложки. В результате последовательное сопротивление в цепи коллекторного тока (сопротивление насыщения) получается больше, чем у дискретных транзисторов. На 1.1, в приведена эквивалентная схема паразитных параметров транзистора. Помимо сопротивления в цепи коллектора гн

Формулы (4.1) и (4.2) справедливы для отдельно взятого LC-контура. При работе резонансного усилителя на показатели контура влияет сопротивление нагрузки и параметры 'транзистора. На 4.2, а приведена эквивалентная схема выходной части резо-

Трехфазная электрическая система большой мощности состоит из большого числа трехфазных источников и трехфазных приемников электрической энергии, работающих параллельно. Можно считать, что частичное изменение числа источников и приемников электрической энергии в системе большой мощности не влияет на режим ее работы. Поэтому действующее значение напряжения на общих шинах системы, так же как частоту, можно всегда считать постоянными величинами. На 15.7 приведена эквивалентная схема замещения фазы системы большой мощности, содержащая источник бесконечной мощности ЭДС Е и приемник с сопротивлением нагрузки ZH. На этом же рисунке показана эквивалентная схема замещения фазы синхронного генератора без учета активного сопротивления фазной обмотки, который подключен к общим шинам системы. Запишем уравнение электрического состояния фазы синхронного генератора:

Трехфазная электрическая система большой мощности состоит из большого числа трехфазных источников и трехфазных приемников электрической энергии, работающих параллельно. Можно считать, что частичное изменение числа источников и приемников электрической энергии в системе большой мощности не влияет на режим ее работы. Поэтому действующее значение напряжения на общих шинах системы, так же как частоту, можно всегда считать постоянными величинами. На 15.7 приведена эквивалентная схема замещения фазы системы большой мощности, содержащая источник бесконечной мощности ЭДС Е и приемник с сопротивлением нагрузки Z На этом же рисунке показана эквивалентная схема замещения фазы синхронного генератора без учета активного сопротивления фазной обмотки, который подключен к общим шинам системы. Запишем уравнение электрического состояния фазы синхронного генератора:

На 10.16, а приведена эквивалентная схема, соответствующая схеме с последовательным регулируемым элементом, в качестве которого используют реостат Rp. Сопротивление реостата регулируют таким образом, чтобы при изменении входного напряжения или сопротивления нагруз-

щей обмотки для обоих сердечников. Разделение магнитопровода на два сердечника определяется условиями под-магничивания. Последнее выполняется с использованием отдельных катушек на каждом сердечнике, соединяемых последовательно — встречно. При этом ЭДС от подмагни-чивания во вторичной обмотке оказываются направленными встречно и принципиально полностью компенсируются. Практически же приходится учитывать в /Нб слагающую /нб.подм, определяемую неидентичностью сердечников. Обеспечение подмагничивания при внутренних К(31), когда f/ф и U0 могут сильно снижаться, достигается использованием одного из t/мф, которые остаются при этом неизменными. Для получения наибольшего эффекта от подмагничивания необходим правильный выбор создаваемой им индукции в сердечниках. На 12.16, а приведена эквивалентная схема замещения ТА с присоединенной нагрузкой ZH. Эффективное значение сопротивления ветви намагничива-

На 149, б приведена эквивалентная схема входной цепи измерительного устройства, имеющего входное сопротивление Явх = ^/вх/^взс- Если источник сигнала имеет э. д. с., равную Ес, и внутреннее сопротивление Rt, то /вх = EJ(Ri + Явх), откуда 1/„ = /ВХЯВХ = E,Rj(Ri + Яи).

На 10.7 приведена эквивалентная электрическая схема приборов измерения токов и напряжений. На этой схеме А и Б — входные зажимы прибора, С — емкость между входными зажимами, Cj и С2 — емкости входных зажимов А и Б относительно общей точки, R и L — активное сопротивление и индуктивность рабочей части амперметра или вольтметра.

Методика инженерного расчета выпрямителя на кенотроне с оксидным катодом (которая впоследствии была применена и для полупроводникового выпрямителя) при нагрузке с емкостной реакцией разработана Б. П. Асеевым. Г. С. Цыкин развил ее для случая использования кенотрона с вольфрамовым катодом. Ниже приведена эта методика в основном в таком виде, как ее излагал Б. П. Терентьев. Данная методика целиком применима и для полупроводниковых диодов. Ниже излагается расчет в общем виде, пригодный как для полупроводниковых диодов, так и для кенотронов с любым типом катода. В основу расчета положены следующие допущения: 1) при выводе энергетических соотношений емкость С0 -»• со и поэтому ис, — Ua.cp = const*;, 2) вольт-амперные характеристики кенотронов ( V.5, а и б) представлены полупрямой для оксидного катода и полупроводникового диода, а для вольфрамового катода — ломаной линией (т. е. произведена линеаризация, показанная на V.5, а штриховой линией, которая позволяет считать гар — tg а = const2) и 3) влияние индуктивности Ls пренебрежимо мало. С учетом сделанных допущений на V.5, в приведена эквивалентная схема одной фазы выпрямителя. Напомним, что здесь г —суммарное сопротивление вентиля и трансформатора, определяемое по (V.1).